eng
Выпуск #7/2013
В.Тюльпанов, А.Васильев
Сборка интегральных схем по технологии 3D-интеграции
Сборка интегральных схем по технологии 3D-интеграции
Просмотры: 7336
Одной из основных тенденций в микроэлектронике является уменьшение габаритов изделий при одновременном повышении их производительности и функциональности. Для решения этой задачи успешно применяются методики трехмерной компоновки составных элементов интегральных схем. Наиболее интенсивно развиваются методы 3D-интеграции, которая заключается в сборке изделий, начиная с полупроводниковых пластин 3D-WLSiP до стадии упаковки кристаллов в корпус. Современные технологии позволяют монтировать кристаллы на пластину и пластины между собой, получая готовое изделие даже до разделения пластин на отдельные кристаллы.
Теги: 3d arrangement 3d-integration 3d-интеграция integrated circuits интегральные схемы трехмерная компоновка
3D-интеграция заключается в сборке изделий, начиная с полупроводниковых пластин 3D-WLSiP (система в корпусе на уровне пластины) до стадии упаковки кристаллов в корпус. Современные технологии позволяют монтировать кристаллы на пластину и пластины между собой, получая готовое изделие даже до разделения пластин на отдельные кристаллы, причем кремний останется ключевым элементом 3D-интеграции, поскольку позволяет создавать вертикальные переходные отверстия и сохранять наименьшие габариты изделия.
Технологии 3D-интеграции
Существует несколько ключевых приемов 3D-интеграции:
• сквозные переходные отверстия (Thru-silicon-via interconnections – TSV), выполняемые травлением или лазерной обработкой и заполняемые медью для омического контакта;
• ультратонкие (20 и 35 мкм) чипы, полученные резкой, а затем утонением со скошенной кромкой под углом 45° и последующим снятием напряжений плазменной обработкой;
• сборка (стек) из тонких чипов по технологии TSV с применением коммутационных подкристальных переходных плат-интерпозеров (interposer);
• работа с тонкими пластинами с применением усовершенствованного временного монтажа тонких кремниевых пластин на переходные платы с использование различных технологий, например ZoneBOND;
• сборка модуля 3D-WLSiP из тонких пластин (корпусирование на уровне тонкой пластины).
Миниатюризация КМОП-устройств влечет за собой активное развитие новых технологий улучшения конструкции и оптимизации производства ИС. Одно из наиболее перспективных направлений, – конечно, 3D-интеграция укладкой в стек. Она может выполняться на уровне пакета (корпус на корпусе) или за счет интеграции всех чипов системы в одном пакете (система в корпусе). Последний подход обеспечивает лучший форм-фактор, сокращение длины соединений, улучшение характеристик передачи сигнала и снижение потребления электроэнергии.
Отдельные кристаллы могут быть собраны посредством планарного размещения на переходной плате или вертикально один над другим (стек). В этой схеме проволочные со-
единения уже не являются лучшим решением. Предпочтительнее новые типы электрических связей (сквозные переходные отверстия и/или медные микроконтактные выступы).
Корпусирование на уровне тонкой пластины – также одна из перспективных технологий, внедряемых в производство в мире. Она позволяет получить готовые к поверхностному монтажу ИС с толщиной корпуса до 400 мкм (рис.1). Область применения таких решений – интегрированные пассивные устройства (ИПУ) – фильтры и радиочастотные мобильные системы. ИПУ были выведены на рынок в конце 1990-х годов и теперь чаще всего собираются по технологии "монтаж кристалла
на пластину". Тенденция к миниатюризации устройств и увеличение их функциональности делают необходимым упрощение маршрута монтажа кристаллов на пластину WLCSP (корпусирование в размер кристалла на уровне пластины) и большую функциональность в одном корпусе (корпусирование в размер кристалла – КРК).
Создание переходной платы начинается со сквозных переходных отверстий диаметром порядка 10 мкм и глубиной около 100 мкм. Процесс сборки представлен на рис.2. Переходные платы изготавливаются из чистой кремниевой пластины без активных устройств. Переходные отверстия формируются с ее лицевой стороны, после чего производится монтаж кристаллов на переходную плату. Далее переходные отверстия вскрываются утонением пластины с переходными платами с задней стороны с предварительным монтажом лицевой стороной на временный носитель. Возможны два пути сборки (рис.3).
В случае, когда заливка лицевой стороны является завершающим этапом, уменьшается количество операций завершающей стадии сборки, где класс чистоты помещения ниже, и увеличивается число операций, включаемых в маршрут первоначальной сборки, где класс чистоты помещения значительно выше, поскольку идет работа с открытой пластиной. Путь, при котором заливка лицевой стороны выполняется до утонения, нацелен на то, чтобы сначала окончить корпусированием (заливкой структуры пластиковым компаундом) процессы, связанные с лицевой стороной, а затем осуществлять монтаж на временный носитель и дальнейшую работу с обратной стороной пластины для вскрытия переходных отверстий на подкристальной плате. Разумеется, последовательность операций должна быть определена в соответствии с предшествующими и последующими процессами.
Разделяют два уровня 3D-сборки, определяемые конечным продуктом:
• совокупность операций до вскрытия переходных отверстий;
• операции, которые позволяют завершить создание КРК-структуры и упаковать готовые изделия в ленту для автоматического монтажа на печатную плату.
Основные группы операций 3D-сборки:
• заливка (герметизация) пластиковым компаундом пластин с обеих сторон;
• утонение пластин до 100 мкм для вскрытия переходных отверстий на подкристальной плате;
• работа с тонкими пластинами (временный монтаж на носитель и демонтаж с него);
• операции для формирования КРК, начиная с установки контактных шариковых выступов и оканчивая разделением и упаковкой в ленту со 100%-й автоматической оптической инспекцией и электрическим контролем.
Сквозные переходные отверстия
Сквозные переходные отверстия выполняются, как правило, чередованием фаз сухого изотропного травления и осаждения (см. таблицу). Изоляция переходных отверстий проводится субатмосферным осаждением оксида (CVD-процесс) при температуре 400°С, что обеспечивает толщину слоя оксида в нижней части полости порядка 400 нм. Для сложных переходных отверстий с аспектным соотношением 10:1 используется MOCVD-процесс для осаждения 20 нм барьера из нитрида титана и последующего затравочного слоя меди толщиной в 150 нм. Дальнейшее наращивание медного слоя осуществляется гальваническим осаждением. При этом слой меди растет из нижней части отверстия, что требует избегать раннего закрытия его горлышка. Полное заполнение 100-мкм углублений сопровождается покрытием всей поверхности пластины медным слоем толщиной около 3 мкм. Затем, чтобы ограничить ее экструзию, выполняется отжиг меди. Излишек меди удаляется химико-механической полировкой (ХМП) до вскрытия TiN и с достижением общей конечной шероховатости изделия менее 50 нм. Лицевая сторона металлизированного слоя формируется на верхней части переходных отверстий магнетронным напылением, последующей литографией и сухим травлением. Затем CVD–методом осаждается 0,5-мкм оксидный слой и проводится вскрытие контактных окон.
Монтаж кристаллов на переходную плату
Часто такой монтаж осуществляется присоединением кристалла лицевой стороной к плате, что подразумевает использование технологии перевернутых кристаллов. Компания Datacon (Австрия), являющаяся частью холдинга Besi, отработала автоматические режимы процесса на производимом ею оборудовании (Datacon 8800 FC Chameo, Datacon 2200 Evo) (рис.4). Основная сложность при постановке такого техпроцесса – необходимость работы с очень тонкими кристаллами и низкопрофильными микроконтактными выступами, что приводит к проблемам при нанесении флюса на выступы перед пайкой кристалла. Решением является комплекс мер, в частности, увеличение на несколько микрон высоты контактных выступов и точная настройка процесса флюсования. В результате достигаются стабильные результаты с высокой повторяемостью.
При использовании традиционных методов монтажа перевернутых кристаллов наблюдается достаточно низкий процент выхода годных 3D-интегрированных модулей, что объясняется высокой гибкостью и неплоскостностью сверхтонких кристаллов из-за внутренних напряжений, вызванных топологическими слоями. Принципиально решить задачу позволяет применение групповой пайки с регулируемыми температурой и давлением, благодаря чему возможен воспроизводимый процесс с процентом выхода годных изделий – более 97% при толщине кристалла в 35 мкм и точности монтажа 6 мкм (3σ). Реализуется такой метод на специальном оборудовании для сварки пластин, например EVG510 компании EV Group(Австрия) (рис.5).
После пайки выполняется заливка пространства между кристаллом и подкристальной платой с применением специальных высокоточных дозаторов. Решающее значение имеет точность позиционирования дозатора для достижения максимально высокого качества заполнения компаундом пространства между кристаллами, поэтому необходимо специальное оборудование (рис.6).
Работа с тонкими пластинами
Операции с тонкими пластинами являются одними из ключевых в процессе сборки 3D-ИС. После утонения и шлифовки толщина пластин может составлять менее 50 мкм. Кроме того, они подвержены внутренним напряжениям, вызванным шлифованием и неоднородностью материала из-за топологических слоев. Проблемы передачи таких пластин между операциями и их фиксации в оснастке решаются временным монтажом – отдельная пластина или их пакет закрепляются перед утонением с помощью специального адгезива на временном носителе. В реальном процессе сборки 3D-ИС для корпусирования на уровне пластин широко применяется инкапсуляция пластиковым компаундом посредством многоплунжерного литья под давлением, причем эта операция выполняется как до, так и после утонения пластины и вскрытия отверстий.
При заливке компаундом лицевой стороны перед утонением работа с лицевой стороной завершается. Поскольку залитая лицевая поверхность имеет достаточную плоскостность, она прекрасно подходит для временного монтажа перед обработкой обратной стороны. При этом риск повреждения топологии отсутствует. Как вариант может быть применен снимаемый сдвигом (Slideoff) временный носитель с нанесенным на него специальным адгезивом. Наиболее серьезная проблема состоит в том, что компаунд, которым залита лицевая сторона, имеет плохую адгезию (низкий угол смачиваемости). Этому есть две причины. Во-первых, компаунд впитывает и удерживает влагу, поэтому должен быть обязательно обезвожен перед нанесением адгезива, иначе оставшаяся влага может образовать полости (пузыри) в процессе временного монтажа. Во-вторых, физическая и химическая адгезии клея к компаунду довольно низкие. Чтобы улучшить адгезию клея и обеспечить высокую прочность скрепления, компаунд подвергается дегазации, а затем его поверхность активируется кислородной плазмой. В итоге получается разнородный "пирог", каждый слой которого имеет свой коэффициент температурного расширения (КТР), что может привести к короблению и расслоению при обработке обратной стороны. Кроме того, термомеханические свойства со-
единения и его способность передавать тепло во время обработки являются критическими параметрами при выборе материала.
Вариант, при котором заливка компаундом лицевой стороны 3D-ИС осуществляется после утонения, более сложен, но позволяет избежать обработки обратной стороны подкристальной платы с компаундом на лицевой стороне, значительно уменьшая риски коробления и расслаивания. Такой процесс требует специальной последовательности операций с высокой топологией в клеевом слое временного монтажа: с тонкими кристаллами на лицевой стороне и с шариковыми выводами на обратной стороне. Более того, СFF подразумевает использование технологии ZoneBOND для первой операции временного монтажа/демонтажа (отрыв носителя осуществляется поднятием его края) и стандартной технологии последующего временного монтажа (отрыв носителя от пластины осуществляется методом взаимного сдвига). Специально подготовленный ZoneBOND-носитель имеет две различные зоны адгезии. Центральная область имеет относительно низкую адгезию, а краевое кольцо шириной около 1–2 мм образует область с высокой адгезией. Пластина монтируется лицевой стороной на ZoneBOND-носитель, затем обрабатывается обратная сторона, заливается компаундом и формируются шариковые выводы. Для увеличения адгезии пластины с временным носителем выполняются дегазация и плазменная активация. Следующим шагом является монтаж методом взаимного сдвига на обратную сторону, после чего носитель снимается с лицевой стороны и последняя заливается компаундом. Для дальнейшего разделения вся сборка монтируется покрытой компаундом лицевой стороной на пленку на рамке. В заключение выполняется демонтаж держателя, отмывка, и пластина поступает на дисковую резку.
Перспективы внедрения
Даже беглого взгляда на процесс сборки 3D-ИС достаточно, чтобы найти операции, более характерные для кристального производства, чем для сборочного. Неудивительно, что для многих руководителей подбор оборудования, обучение специалистов и освоение технологии могут показаться чрезмерно сложной проблемой. С другой стороны, высокий уровень интеграции устройств и изделий, полученных с помощью таких решений, позволяет сделать значительный шаг в производстве.
Чтобы производить изделия действительно мирового уровня, необходим комплексный подход и привлечение опытных экспертов. Мировые лидеры вкладывают миллионы долларов, чтобы найти такие подходы раньше конкурентов, и, разумеется, эти разработки защищены множеством международных патентов и охраняются создателями. Однако для нишевых применений, характерных, например, для российской радиоэлектронной промышленности, созданы весьма эффективные решения. Таким образом, существует реальная возможность разработки и внедрения технологий 3D-интеграции на российских предприятиях. Дьявол же, как всегда, прячется в деталях – выборе правильной технологии и технологического партнера.
* Компания "Остек"
Технологии 3D-интеграции
Существует несколько ключевых приемов 3D-интеграции:
• сквозные переходные отверстия (Thru-silicon-via interconnections – TSV), выполняемые травлением или лазерной обработкой и заполняемые медью для омического контакта;
• ультратонкие (20 и 35 мкм) чипы, полученные резкой, а затем утонением со скошенной кромкой под углом 45° и последующим снятием напряжений плазменной обработкой;
• сборка (стек) из тонких чипов по технологии TSV с применением коммутационных подкристальных переходных плат-интерпозеров (interposer);
• работа с тонкими пластинами с применением усовершенствованного временного монтажа тонких кремниевых пластин на переходные платы с использование различных технологий, например ZoneBOND;
• сборка модуля 3D-WLSiP из тонких пластин (корпусирование на уровне тонкой пластины).
Миниатюризация КМОП-устройств влечет за собой активное развитие новых технологий улучшения конструкции и оптимизации производства ИС. Одно из наиболее перспективных направлений, – конечно, 3D-интеграция укладкой в стек. Она может выполняться на уровне пакета (корпус на корпусе) или за счет интеграции всех чипов системы в одном пакете (система в корпусе). Последний подход обеспечивает лучший форм-фактор, сокращение длины соединений, улучшение характеристик передачи сигнала и снижение потребления электроэнергии.
Отдельные кристаллы могут быть собраны посредством планарного размещения на переходной плате или вертикально один над другим (стек). В этой схеме проволочные со-
единения уже не являются лучшим решением. Предпочтительнее новые типы электрических связей (сквозные переходные отверстия и/или медные микроконтактные выступы).
Корпусирование на уровне тонкой пластины – также одна из перспективных технологий, внедряемых в производство в мире. Она позволяет получить готовые к поверхностному монтажу ИС с толщиной корпуса до 400 мкм (рис.1). Область применения таких решений – интегрированные пассивные устройства (ИПУ) – фильтры и радиочастотные мобильные системы. ИПУ были выведены на рынок в конце 1990-х годов и теперь чаще всего собираются по технологии "монтаж кристалла
на пластину". Тенденция к миниатюризации устройств и увеличение их функциональности делают необходимым упрощение маршрута монтажа кристаллов на пластину WLCSP (корпусирование в размер кристалла на уровне пластины) и большую функциональность в одном корпусе (корпусирование в размер кристалла – КРК).
Создание переходной платы начинается со сквозных переходных отверстий диаметром порядка 10 мкм и глубиной около 100 мкм. Процесс сборки представлен на рис.2. Переходные платы изготавливаются из чистой кремниевой пластины без активных устройств. Переходные отверстия формируются с ее лицевой стороны, после чего производится монтаж кристаллов на переходную плату. Далее переходные отверстия вскрываются утонением пластины с переходными платами с задней стороны с предварительным монтажом лицевой стороной на временный носитель. Возможны два пути сборки (рис.3).
В случае, когда заливка лицевой стороны является завершающим этапом, уменьшается количество операций завершающей стадии сборки, где класс чистоты помещения ниже, и увеличивается число операций, включаемых в маршрут первоначальной сборки, где класс чистоты помещения значительно выше, поскольку идет работа с открытой пластиной. Путь, при котором заливка лицевой стороны выполняется до утонения, нацелен на то, чтобы сначала окончить корпусированием (заливкой структуры пластиковым компаундом) процессы, связанные с лицевой стороной, а затем осуществлять монтаж на временный носитель и дальнейшую работу с обратной стороной пластины для вскрытия переходных отверстий на подкристальной плате. Разумеется, последовательность операций должна быть определена в соответствии с предшествующими и последующими процессами.
Разделяют два уровня 3D-сборки, определяемые конечным продуктом:
• совокупность операций до вскрытия переходных отверстий;
• операции, которые позволяют завершить создание КРК-структуры и упаковать готовые изделия в ленту для автоматического монтажа на печатную плату.
Основные группы операций 3D-сборки:
• заливка (герметизация) пластиковым компаундом пластин с обеих сторон;
• утонение пластин до 100 мкм для вскрытия переходных отверстий на подкристальной плате;
• работа с тонкими пластинами (временный монтаж на носитель и демонтаж с него);
• операции для формирования КРК, начиная с установки контактных шариковых выступов и оканчивая разделением и упаковкой в ленту со 100%-й автоматической оптической инспекцией и электрическим контролем.
Сквозные переходные отверстия
Сквозные переходные отверстия выполняются, как правило, чередованием фаз сухого изотропного травления и осаждения (см. таблицу). Изоляция переходных отверстий проводится субатмосферным осаждением оксида (CVD-процесс) при температуре 400°С, что обеспечивает толщину слоя оксида в нижней части полости порядка 400 нм. Для сложных переходных отверстий с аспектным соотношением 10:1 используется MOCVD-процесс для осаждения 20 нм барьера из нитрида титана и последующего затравочного слоя меди толщиной в 150 нм. Дальнейшее наращивание медного слоя осуществляется гальваническим осаждением. При этом слой меди растет из нижней части отверстия, что требует избегать раннего закрытия его горлышка. Полное заполнение 100-мкм углублений сопровождается покрытием всей поверхности пластины медным слоем толщиной около 3 мкм. Затем, чтобы ограничить ее экструзию, выполняется отжиг меди. Излишек меди удаляется химико-механической полировкой (ХМП) до вскрытия TiN и с достижением общей конечной шероховатости изделия менее 50 нм. Лицевая сторона металлизированного слоя формируется на верхней части переходных отверстий магнетронным напылением, последующей литографией и сухим травлением. Затем CVD–методом осаждается 0,5-мкм оксидный слой и проводится вскрытие контактных окон.
Монтаж кристаллов на переходную плату
Часто такой монтаж осуществляется присоединением кристалла лицевой стороной к плате, что подразумевает использование технологии перевернутых кристаллов. Компания Datacon (Австрия), являющаяся частью холдинга Besi, отработала автоматические режимы процесса на производимом ею оборудовании (Datacon 8800 FC Chameo, Datacon 2200 Evo) (рис.4). Основная сложность при постановке такого техпроцесса – необходимость работы с очень тонкими кристаллами и низкопрофильными микроконтактными выступами, что приводит к проблемам при нанесении флюса на выступы перед пайкой кристалла. Решением является комплекс мер, в частности, увеличение на несколько микрон высоты контактных выступов и точная настройка процесса флюсования. В результате достигаются стабильные результаты с высокой повторяемостью.
При использовании традиционных методов монтажа перевернутых кристаллов наблюдается достаточно низкий процент выхода годных 3D-интегрированных модулей, что объясняется высокой гибкостью и неплоскостностью сверхтонких кристаллов из-за внутренних напряжений, вызванных топологическими слоями. Принципиально решить задачу позволяет применение групповой пайки с регулируемыми температурой и давлением, благодаря чему возможен воспроизводимый процесс с процентом выхода годных изделий – более 97% при толщине кристалла в 35 мкм и точности монтажа 6 мкм (3σ). Реализуется такой метод на специальном оборудовании для сварки пластин, например EVG510 компании EV Group(Австрия) (рис.5).
После пайки выполняется заливка пространства между кристаллом и подкристальной платой с применением специальных высокоточных дозаторов. Решающее значение имеет точность позиционирования дозатора для достижения максимально высокого качества заполнения компаундом пространства между кристаллами, поэтому необходимо специальное оборудование (рис.6).
Работа с тонкими пластинами
Операции с тонкими пластинами являются одними из ключевых в процессе сборки 3D-ИС. После утонения и шлифовки толщина пластин может составлять менее 50 мкм. Кроме того, они подвержены внутренним напряжениям, вызванным шлифованием и неоднородностью материала из-за топологических слоев. Проблемы передачи таких пластин между операциями и их фиксации в оснастке решаются временным монтажом – отдельная пластина или их пакет закрепляются перед утонением с помощью специального адгезива на временном носителе. В реальном процессе сборки 3D-ИС для корпусирования на уровне пластин широко применяется инкапсуляция пластиковым компаундом посредством многоплунжерного литья под давлением, причем эта операция выполняется как до, так и после утонения пластины и вскрытия отверстий.
При заливке компаундом лицевой стороны перед утонением работа с лицевой стороной завершается. Поскольку залитая лицевая поверхность имеет достаточную плоскостность, она прекрасно подходит для временного монтажа перед обработкой обратной стороны. При этом риск повреждения топологии отсутствует. Как вариант может быть применен снимаемый сдвигом (Slideoff) временный носитель с нанесенным на него специальным адгезивом. Наиболее серьезная проблема состоит в том, что компаунд, которым залита лицевая сторона, имеет плохую адгезию (низкий угол смачиваемости). Этому есть две причины. Во-первых, компаунд впитывает и удерживает влагу, поэтому должен быть обязательно обезвожен перед нанесением адгезива, иначе оставшаяся влага может образовать полости (пузыри) в процессе временного монтажа. Во-вторых, физическая и химическая адгезии клея к компаунду довольно низкие. Чтобы улучшить адгезию клея и обеспечить высокую прочность скрепления, компаунд подвергается дегазации, а затем его поверхность активируется кислородной плазмой. В итоге получается разнородный "пирог", каждый слой которого имеет свой коэффициент температурного расширения (КТР), что может привести к короблению и расслоению при обработке обратной стороны. Кроме того, термомеханические свойства со-
единения и его способность передавать тепло во время обработки являются критическими параметрами при выборе материала.
Вариант, при котором заливка компаундом лицевой стороны 3D-ИС осуществляется после утонения, более сложен, но позволяет избежать обработки обратной стороны подкристальной платы с компаундом на лицевой стороне, значительно уменьшая риски коробления и расслаивания. Такой процесс требует специальной последовательности операций с высокой топологией в клеевом слое временного монтажа: с тонкими кристаллами на лицевой стороне и с шариковыми выводами на обратной стороне. Более того, СFF подразумевает использование технологии ZoneBOND для первой операции временного монтажа/демонтажа (отрыв носителя осуществляется поднятием его края) и стандартной технологии последующего временного монтажа (отрыв носителя от пластины осуществляется методом взаимного сдвига). Специально подготовленный ZoneBOND-носитель имеет две различные зоны адгезии. Центральная область имеет относительно низкую адгезию, а краевое кольцо шириной около 1–2 мм образует область с высокой адгезией. Пластина монтируется лицевой стороной на ZoneBOND-носитель, затем обрабатывается обратная сторона, заливается компаундом и формируются шариковые выводы. Для увеличения адгезии пластины с временным носителем выполняются дегазация и плазменная активация. Следующим шагом является монтаж методом взаимного сдвига на обратную сторону, после чего носитель снимается с лицевой стороны и последняя заливается компаундом. Для дальнейшего разделения вся сборка монтируется покрытой компаундом лицевой стороной на пленку на рамке. В заключение выполняется демонтаж держателя, отмывка, и пластина поступает на дисковую резку.
Перспективы внедрения
Даже беглого взгляда на процесс сборки 3D-ИС достаточно, чтобы найти операции, более характерные для кристального производства, чем для сборочного. Неудивительно, что для многих руководителей подбор оборудования, обучение специалистов и освоение технологии могут показаться чрезмерно сложной проблемой. С другой стороны, высокий уровень интеграции устройств и изделий, полученных с помощью таких решений, позволяет сделать значительный шаг в производстве.
Чтобы производить изделия действительно мирового уровня, необходим комплексный подход и привлечение опытных экспертов. Мировые лидеры вкладывают миллионы долларов, чтобы найти такие подходы раньше конкурентов, и, разумеется, эти разработки защищены множеством международных патентов и охраняются создателями. Однако для нишевых применений, характерных, например, для российской радиоэлектронной промышленности, созданы весьма эффективные решения. Таким образом, существует реальная возможность разработки и внедрения технологий 3D-интеграции на российских предприятиях. Дьявол же, как всегда, прячется в деталях – выборе правильной технологии и технологического партнера.
* Компания "Остек"
Отзывы читателей
