Требования к надежности электронных компонентов высоки, потому важно получение детальных сведений о свойствах кристаллических структур полупроводниковых материалов. Обычно для определения толщины пленок, параметров кристаллической решетки и испытаний деформированных состояний слоистых структур применяется рентгеновская дифракция, а для исследования поверхностей и дефектов конструкции, позволяющих установить хронологию роста кристаллов, – растровая электронная микроскопия. В статье представлены результаты исследований методом конфокальной рамановской 3D-визуализации, который позволяет выявлять деформацию и изменения в структуре кристаллической решетки.

sitemap

Разработка: студия Green Art