Эффекты переключения сопротивления в наноразмерных пленках открыли перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данные сохраняются за счет изменения сопротивления материала.

DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109

sitemap

Разработка: студия Green Art