eng
Показана возможность реализации блоков однопортовых и двухпортовых оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) повышенной стойкости к внешним факторам для базовых кристаллов (БК) серий 5521 и 5529. Рассмотрена ячейка памяти ОЗУ.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.26.31
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.26.31
Теги: gate array memory cell radiation hardness базовый кристалл радиационная стойкость ячейка памяти
Активное развитие космической отрасли требует создания качественно новой электронной компонентной базы (ЭКБ), удовлетворяющей требованиям повышенной стойкости к основным дестабилизирующим факторам космического пространства. К таким факторам относятся: ионизирующее излучение, широкий температурный диапазон от –60 до 125 °С, воздействие тяжелых заряженных частиц.
При создании бортовой аппаратуры космических систем используется широкая номенклатура ЭКБ общего и специального назначения (более 700 типов). Одними из наиболее востребованных и наиболее уязвимых по отношению к факторам космического пространства компонентов являются ОЗУ. Радиационно-стойкие ОЗУ выполняются в виде заказных интегральных схем (ИС), сложно-функциональных (СФ) блоков в составе систем на кристалле (СнК) или на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС). В современных СнК объем памяти может превышать 50% площади кристалла ИС [1–3]. В то же время специализированные микросхемы при малых тиражах выпуска оптимально реализовывать на основе базовых матричных или базовых кристаллов (БМК или БК). Наличие ОЗУ в составе БК позволяет существенно расширить область их применения, улучшить функциональные и эксплуатационные характеристики аппаратуры. Однако разрешенные для применения в космических аппаратах БК с интегрированными (встроенными) в них блоками ОЗУ пока не созданы. В настоящее время в России доступна лишь одна серия отечественных БК с возможностью создания модулей памяти – это БМК серии 1592 емкостью 10, 30, 60 и 100 тыс. вентилей. Максимальная емкость ОЗУ составляет 256 × 16 или 128 × 32 бит. Данная серия БМК устойчива к механическим и климатическим воздействиям, стойкость же к специальным факторам не указана.
Интеграция схем памяти в БМК рассматривалась c 1980-х годов в работах авторов [1–3]. Тогда технологический уровень не позволял создать БМК с достаточным объемом памяти. Среди современных отечественных работ по данной тематике следует отметить предложение С.Ф.Тюрина использовать в БМК ячейку памяти с учетверением транзисторов QSRAM [2]. Предполагается, что расчетверение отдельных транзисторов логических элементов обеспечит выигрыш в вероятности безотказной работы по сравнению с резервированием. В России БМК выпускают "Ангстрем", ДЦ "Союз", ФНПЦ "НИИИС им. Ю.Е.Седакова", "НЗПП с ОКБ" и НПК "Технологический центр". Однако на данный момент отсутствуют БМК космического назначения со встроенными в них блоками памяти.
Создание отечественного БК со встроенными блоками ОЗУ космического назначения позволит отказаться от ряда зарубежных ИС, расширить номенклатуру специализированных микросхем, улучшить их динамические и функциональные характеристики.
Реализация модуля ОЗУ в составе БК обеспечит следующие преимущества:
получение стойкости встроенного ОЗУ, сопоставимой со стойкостью БК;
сокращение потребляемой мощности конечного устройства и увеличение системного быстродействия за счет уменьшения длины и количества межсоединений;
уменьшение габаритов аппаратуры за счет снижения количества используемых микросхем и уменьшения размеров печатных плат [5].
В НПК "Технологический центр" разработаны серии БК 5521 и 5529 со следующими характеристиками: напряжение питания 3 В ± 10% или 3,3 В ± 10%, расчетное время задержки на вентиль 110 пс, тактовая частота D-триггера в счетном режиме 500 МГц [4, 5, 9]. Серия 5521 изготавливается по радиационно-стойкой КМОП-технологии с нормами 0,18 мкм на объемном кремнии. Серия 5529 изготавливается по радиационно-стойкой КМОП-технологии с нормами 0,25 мкм на структурах "кремний на изоляторе". Отличительной особенностью указанных серий является возможность реализации в них блоков однопортовых и двухпортовых ОЗУ.
Популярным решением в схемах ОЗУ является классическая 6-транзисторная ячейка с транзисторами связи n-типа (6Tn), увеличение площади которой в 1,2–1,5 раза позволяет существенно повысить стойкость ко всем радиационным факторам [6].
Повышение сбоеустойчивости 6-транзисторного элемента памяти может быть выполнено схемотехническими методами. Так Л.Рокетт, Д.Уайзман и
Дж.Вембрукс предложили увеличивать постоянную времени в цепи обратной связи триггера. Между инверторами в составе ячейки памяти добавляли резисторы, конденсаторы, позже диоды и транзисторы [7]. Основными недостатками таких ячеек являются температурная чувствительность, уязвимость при низких температурах и необходимость дополнительной маски для формирования резистора.
Д.Бессо, Р.Велазко и другие исследователи использовали схемы обратной связи для восстановления исходных данных. Основные проблемы при этом – размещение дополнительных транзисторов обратной связи и появление новых чувствительных узлов [8]. Преимуществами этого метода являются температурный запас, запас по напряжению и хорошая устойчивость к одиночным сбоям, вызванным тяжелыми заряженными частицами.
Дж.Уитакер, М.Н.Лю и Дж.Канарис применили дублирование критических узлов (например, DICE-ячейки). Основные преимущества этого метода – запас по температуре и по напряжению, устойчивость к воздействию тяжелых заряженных частиц и высокая производительность. Надежную защиту от сбоя в случае однократной бомбардировки космическими частицами узла схемы обеспечивают временное разнесение тактовых сигналов и тройное модульное резервирование внутри ячейки памяти. В наиболее популярных DICE-ячейках памяти и ячейках с тройным резервированием изменение состояния возможно только при множественных попаданиях тяжелых заряженных частиц. Также им свойственны наличие состязательности сигналов в процессе записи / чтения, необходимость предзаряда шин и вероятность потери данных при чтении.
Сбоеустойчивость элемента памяти может быть повышена и конструктивно-топологическими методами, направленными на уменьшение вероятности появления тиристорного эффекта в КМОП-структурах и снижение влияния дозовых эффектов. Г.Анелли и У.Снойес в своих работах представляют методы снижения влияния накопленной дозы за счет использования транзисторов с кольцевым затвором. В работах Т.Аоки показана возможность подавления тиристорного эффекта благодаря использованию контактов к подложке и n-карману, а также охранных колец.
В основе ячейки ОЗУ (патент РФ на изобретение № 2507611), применяемой в БК серий 5521 и 5529, лежит триггер, построенный на двух инверторах, со схемой подтверждения записанных данных (см. рисунок). В процессе записи информации в выбранную ячейку отсутствует состязательность между новыми и старыми данными, поскольку схема подтверждения разрывает обратную связь в триггере.
При записи в ОЗУ с применением ячеек памяти на основе 6-транзисторного ядра и DICE-ячеек на каждую записываемую ячейку приходится большое количество побочно считываемых, поскольку выбирается вся строка, за счет чего снижается сбоеустойчивость. В описываемой ячейке такая ситуация исключается, так как для записи данных используется двухкоординатная выборка по строке (сигнал WR / WRB) и столбцу (сигнал СЕ / CEB). Двухкоординатная выборка увеличивает размеры ячейки памяти на три транзистора, но существенно повышает ее сбоеустойчивость.
Запоминающий элемент предложенной ячейки памяти изолирован от влияния битовых линий благодаря использованию дополнительного выходного инвертора. Необходимость дополнительного порта при разделении разрядных шин на чтение и запись увеличивает площадь ячейки, однако позволяет полностью исключить влияние операции чтения на состояние запоминающего элемента ячейки. Ячейки ОЗУ интегрированы в САПР "Ковчег" и введены в состав унифицированной библиотеки.
На основе предложенной однопортовой ячейки были разработаны, изготовлены и исследованы микросхемы ОЗУ различной емкости. Например, блок ОЗУ емкостью 4 К × 8 бит, изготовленный по технологии КНИ 0,25 мкм, имеет следующие показатели стойкости:
пороговые ЛПЭ ОРЭ отказов LTH. ТЭ(КО) не менее 64 МэВ ∙ см2/мг;
сечение ОРЭ отказов при ЛПЭ 64 МэВ ∙ см2/мг не более 4,8 · 10–8 см2;
сечение насыщения ОРЭ отказов σSI.ТЭ(КО) не более 0,7 см2;
пороговые ЛПЭ ОРЭ сбоев: LTH.ОС не менее 64 МэВ ∙ см2/мг;
сечение ОРЭ сбоев при ЛПЭ 64 МэВ ∙ см2/мг не более 2,3 · 10–12 см2/бит.
На основе двухпортовой ячейки ОЗУ на БК серий 5521 и 5529 разработаны микросхемы 5521ТР054А-577 и 5529ТР054А-677, представляющие собой отказоустойчивое синхронное / асинхронное двухпортовое ОЗУ емкостью 32 Кбит с организацией 4 К слов по 8 бит с функцией исправления ошибок данных по алгоритму Хэмминга. В случае отключения функции исправления ошибок данных емкость ОЗУ увеличивается до 64 Кбит с организацией 8 К слов по 8 бит. Микросхемы имеют флаги ошибок, счетчики ошибок и супервизоры питания для каждого порта. Для повышения сбоеустойчивости микросхем 5521ТР054А-577 и 5529ТР054А-677 в блоке управления применяются троированные триггеры со схемой мажорирования, время выборки с включенной функцией исправления ошибок данных не превышает 25 нс.
В таблице представлены показатели стойкости к воздействию специальных факторов по ГОСТ РВ 20.39.414.2 микросхем ОЗУ отечественного производства.
Таким образом, ячейка ОЗУ, разработанная в НПК "Технологический центр", и СФ-блоки на ее основе не уступают по устойчивости к воздействию специальных факторов микросхемам ОЗУ других отечественных производителей. Для повышения сбоеустойчивости блоков ОЗУ на БК серий 5521 и 5529 были применены схемотехнические, топологические и алгоритмические методы. Испытания образцов микросхем серии 5529 подтвердили высокий уровень стойкости ОЗУ к воздействию одиночных тяжелых заряженных частиц: сбоев и отказов не обнаружено до уровня 64 МэВ ∙ см2/мг. Использование отказосбоеустойчивых блоков ОЗУ в совокупности с применением троированных триггеров позволяет на БК серий 5521 и 5529 реализовать специализированные микросхемы сложностью более 1 млн. условных вентилей, устойчивых к факторам космического пространства [9].
Статья подготовлена при финансовой поддержке Минобрнауки России. Уникальный идентификатор ПНИ RFMEFI57814X0061.
ЛИТЕРАТУРА
Miyahara N., Ishikawa K., Hamaguchi S., Horiguchi S., Aoki M. A composite CMOS gate arrays with 4K RAM and 128K ROM // IEEE Journal of Solid – State Circuits. Vol. SC-21, No. 2. April 1986. P. 228 – 233.
Takahashi T., Kawashima M., Fujita M., Kobayashi I., Arai K., Okabe T. A 1.4M-Transistor CMOS Gate Array with 4ns RAM // IEEE International SolidState Circuits Conference Digest of Technical Papers. 1989. P. 178–179.
Kuroda T., Fujita T., Nagamatu T. et al. A High-speed Low-Power 0.3 μm CMOS Gate Array with Variable Threshold Voltage (VT) Scheme // IEEE 1996 Custom Integrated Circuits Conference. 1996. P. 53–56.
Тюрин С.Ф. Отказоустойчивая статическая оперативная память на основе ячеек БМК // Вестник пермского университета. Математика. Механика. Информатика. 2016. Вып. 1(132). С. 34–39.
Гаврилов С.В., Денисов А.Н, Коняхин В.В., Малашевич Н.И., Федоров Р.А. Семейство серии базовых матричных кристаллов // Известия ВУЗов. ЭЛЕКТРОНИКА. 2015. № 5(101). С. 497–504.
Герасимов Ю.М., Григорьев Н.Г., Гусев В.В., Кобыляцкий А.В., Петричкович Я.Я. Радиационно-стойкие КМОП СБИС ОЗУ по технологии объемного кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 3. C. 171–176.
Быстрицкий А., Подъяпольский С., Телец В.,
Цыбин С. ПЛИС для космических применений. Архитектурные и схемотехнические особенности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2005. № 6. С. 44–48.
Коняхин В.В., Денисов А.Н., Федоров Р.А., Вильсон А.Л., Бражников С.С., Коновалов В.С., Малашевич Н.И., Росляков А.С. Микросхемы для аппаратуры космического назначения : Практическое пособие / Под общ. ред. А.Н. Саурова. – М.: ТЕХНОСФЕРА, 2016. 388 с.
Malashevich N., Makarceva M., Fedorov R.
Radiation-Hardened Gate Array with Embedded SRAM // Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2015 15th European Conference on Year: 2015. P. 1–4, DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365656. IEEE Conference Publications.
При создании бортовой аппаратуры космических систем используется широкая номенклатура ЭКБ общего и специального назначения (более 700 типов). Одними из наиболее востребованных и наиболее уязвимых по отношению к факторам космического пространства компонентов являются ОЗУ. Радиационно-стойкие ОЗУ выполняются в виде заказных интегральных схем (ИС), сложно-функциональных (СФ) блоков в составе систем на кристалле (СнК) или на базе программируемых логических интегральных схем (ПЛИС). В современных СнК объем памяти может превышать 50% площади кристалла ИС [1–3]. В то же время специализированные микросхемы при малых тиражах выпуска оптимально реализовывать на основе базовых матричных или базовых кристаллов (БМК или БК). Наличие ОЗУ в составе БК позволяет существенно расширить область их применения, улучшить функциональные и эксплуатационные характеристики аппаратуры. Однако разрешенные для применения в космических аппаратах БК с интегрированными (встроенными) в них блоками ОЗУ пока не созданы. В настоящее время в России доступна лишь одна серия отечественных БК с возможностью создания модулей памяти – это БМК серии 1592 емкостью 10, 30, 60 и 100 тыс. вентилей. Максимальная емкость ОЗУ составляет 256 × 16 или 128 × 32 бит. Данная серия БМК устойчива к механическим и климатическим воздействиям, стойкость же к специальным факторам не указана.
Интеграция схем памяти в БМК рассматривалась c 1980-х годов в работах авторов [1–3]. Тогда технологический уровень не позволял создать БМК с достаточным объемом памяти. Среди современных отечественных работ по данной тематике следует отметить предложение С.Ф.Тюрина использовать в БМК ячейку памяти с учетверением транзисторов QSRAM [2]. Предполагается, что расчетверение отдельных транзисторов логических элементов обеспечит выигрыш в вероятности безотказной работы по сравнению с резервированием. В России БМК выпускают "Ангстрем", ДЦ "Союз", ФНПЦ "НИИИС им. Ю.Е.Седакова", "НЗПП с ОКБ" и НПК "Технологический центр". Однако на данный момент отсутствуют БМК космического назначения со встроенными в них блоками памяти.
Создание отечественного БК со встроенными блоками ОЗУ космического назначения позволит отказаться от ряда зарубежных ИС, расширить номенклатуру специализированных микросхем, улучшить их динамические и функциональные характеристики.
Реализация модуля ОЗУ в составе БК обеспечит следующие преимущества:
получение стойкости встроенного ОЗУ, сопоставимой со стойкостью БК;
сокращение потребляемой мощности конечного устройства и увеличение системного быстродействия за счет уменьшения длины и количества межсоединений;
уменьшение габаритов аппаратуры за счет снижения количества используемых микросхем и уменьшения размеров печатных плат [5].
В НПК "Технологический центр" разработаны серии БК 5521 и 5529 со следующими характеристиками: напряжение питания 3 В ± 10% или 3,3 В ± 10%, расчетное время задержки на вентиль 110 пс, тактовая частота D-триггера в счетном режиме 500 МГц [4, 5, 9]. Серия 5521 изготавливается по радиационно-стойкой КМОП-технологии с нормами 0,18 мкм на объемном кремнии. Серия 5529 изготавливается по радиационно-стойкой КМОП-технологии с нормами 0,25 мкм на структурах "кремний на изоляторе". Отличительной особенностью указанных серий является возможность реализации в них блоков однопортовых и двухпортовых ОЗУ.
Популярным решением в схемах ОЗУ является классическая 6-транзисторная ячейка с транзисторами связи n-типа (6Tn), увеличение площади которой в 1,2–1,5 раза позволяет существенно повысить стойкость ко всем радиационным факторам [6].
Повышение сбоеустойчивости 6-транзисторного элемента памяти может быть выполнено схемотехническими методами. Так Л.Рокетт, Д.Уайзман и
Дж.Вембрукс предложили увеличивать постоянную времени в цепи обратной связи триггера. Между инверторами в составе ячейки памяти добавляли резисторы, конденсаторы, позже диоды и транзисторы [7]. Основными недостатками таких ячеек являются температурная чувствительность, уязвимость при низких температурах и необходимость дополнительной маски для формирования резистора.
Д.Бессо, Р.Велазко и другие исследователи использовали схемы обратной связи для восстановления исходных данных. Основные проблемы при этом – размещение дополнительных транзисторов обратной связи и появление новых чувствительных узлов [8]. Преимуществами этого метода являются температурный запас, запас по напряжению и хорошая устойчивость к одиночным сбоям, вызванным тяжелыми заряженными частицами.
Дж.Уитакер, М.Н.Лю и Дж.Канарис применили дублирование критических узлов (например, DICE-ячейки). Основные преимущества этого метода – запас по температуре и по напряжению, устойчивость к воздействию тяжелых заряженных частиц и высокая производительность. Надежную защиту от сбоя в случае однократной бомбардировки космическими частицами узла схемы обеспечивают временное разнесение тактовых сигналов и тройное модульное резервирование внутри ячейки памяти. В наиболее популярных DICE-ячейках памяти и ячейках с тройным резервированием изменение состояния возможно только при множественных попаданиях тяжелых заряженных частиц. Также им свойственны наличие состязательности сигналов в процессе записи / чтения, необходимость предзаряда шин и вероятность потери данных при чтении.
Сбоеустойчивость элемента памяти может быть повышена и конструктивно-топологическими методами, направленными на уменьшение вероятности появления тиристорного эффекта в КМОП-структурах и снижение влияния дозовых эффектов. Г.Анелли и У.Снойес в своих работах представляют методы снижения влияния накопленной дозы за счет использования транзисторов с кольцевым затвором. В работах Т.Аоки показана возможность подавления тиристорного эффекта благодаря использованию контактов к подложке и n-карману, а также охранных колец.
В основе ячейки ОЗУ (патент РФ на изобретение № 2507611), применяемой в БК серий 5521 и 5529, лежит триггер, построенный на двух инверторах, со схемой подтверждения записанных данных (см. рисунок). В процессе записи информации в выбранную ячейку отсутствует состязательность между новыми и старыми данными, поскольку схема подтверждения разрывает обратную связь в триггере.
При записи в ОЗУ с применением ячеек памяти на основе 6-транзисторного ядра и DICE-ячеек на каждую записываемую ячейку приходится большое количество побочно считываемых, поскольку выбирается вся строка, за счет чего снижается сбоеустойчивость. В описываемой ячейке такая ситуация исключается, так как для записи данных используется двухкоординатная выборка по строке (сигнал WR / WRB) и столбцу (сигнал СЕ / CEB). Двухкоординатная выборка увеличивает размеры ячейки памяти на три транзистора, но существенно повышает ее сбоеустойчивость.
Запоминающий элемент предложенной ячейки памяти изолирован от влияния битовых линий благодаря использованию дополнительного выходного инвертора. Необходимость дополнительного порта при разделении разрядных шин на чтение и запись увеличивает площадь ячейки, однако позволяет полностью исключить влияние операции чтения на состояние запоминающего элемента ячейки. Ячейки ОЗУ интегрированы в САПР "Ковчег" и введены в состав унифицированной библиотеки.
На основе предложенной однопортовой ячейки были разработаны, изготовлены и исследованы микросхемы ОЗУ различной емкости. Например, блок ОЗУ емкостью 4 К × 8 бит, изготовленный по технологии КНИ 0,25 мкм, имеет следующие показатели стойкости:
пороговые ЛПЭ ОРЭ отказов LTH. ТЭ(КО) не менее 64 МэВ ∙ см2/мг;
сечение ОРЭ отказов при ЛПЭ 64 МэВ ∙ см2/мг не более 4,8 · 10–8 см2;
сечение насыщения ОРЭ отказов σSI.ТЭ(КО) не более 0,7 см2;
пороговые ЛПЭ ОРЭ сбоев: LTH.ОС не менее 64 МэВ ∙ см2/мг;
сечение ОРЭ сбоев при ЛПЭ 64 МэВ ∙ см2/мг не более 2,3 · 10–12 см2/бит.
На основе двухпортовой ячейки ОЗУ на БК серий 5521 и 5529 разработаны микросхемы 5521ТР054А-577 и 5529ТР054А-677, представляющие собой отказоустойчивое синхронное / асинхронное двухпортовое ОЗУ емкостью 32 Кбит с организацией 4 К слов по 8 бит с функцией исправления ошибок данных по алгоритму Хэмминга. В случае отключения функции исправления ошибок данных емкость ОЗУ увеличивается до 64 Кбит с организацией 8 К слов по 8 бит. Микросхемы имеют флаги ошибок, счетчики ошибок и супервизоры питания для каждого порта. Для повышения сбоеустойчивости микросхем 5521ТР054А-577 и 5529ТР054А-677 в блоке управления применяются троированные триггеры со схемой мажорирования, время выборки с включенной функцией исправления ошибок данных не превышает 25 нс.
В таблице представлены показатели стойкости к воздействию специальных факторов по ГОСТ РВ 20.39.414.2 микросхем ОЗУ отечественного производства.
Таким образом, ячейка ОЗУ, разработанная в НПК "Технологический центр", и СФ-блоки на ее основе не уступают по устойчивости к воздействию специальных факторов микросхемам ОЗУ других отечественных производителей. Для повышения сбоеустойчивости блоков ОЗУ на БК серий 5521 и 5529 были применены схемотехнические, топологические и алгоритмические методы. Испытания образцов микросхем серии 5529 подтвердили высокий уровень стойкости ОЗУ к воздействию одиночных тяжелых заряженных частиц: сбоев и отказов не обнаружено до уровня 64 МэВ ∙ см2/мг. Использование отказосбоеустойчивых блоков ОЗУ в совокупности с применением троированных триггеров позволяет на БК серий 5521 и 5529 реализовать специализированные микросхемы сложностью более 1 млн. условных вентилей, устойчивых к факторам космического пространства [9].
Статья подготовлена при финансовой поддержке Минобрнауки России. Уникальный идентификатор ПНИ RFMEFI57814X0061.
ЛИТЕРАТУРА
Miyahara N., Ishikawa K., Hamaguchi S., Horiguchi S., Aoki M. A composite CMOS gate arrays with 4K RAM and 128K ROM // IEEE Journal of Solid – State Circuits. Vol. SC-21, No. 2. April 1986. P. 228 – 233.
Takahashi T., Kawashima M., Fujita M., Kobayashi I., Arai K., Okabe T. A 1.4M-Transistor CMOS Gate Array with 4ns RAM // IEEE International SolidState Circuits Conference Digest of Technical Papers. 1989. P. 178–179.
Kuroda T., Fujita T., Nagamatu T. et al. A High-speed Low-Power 0.3 μm CMOS Gate Array with Variable Threshold Voltage (VT) Scheme // IEEE 1996 Custom Integrated Circuits Conference. 1996. P. 53–56.
Тюрин С.Ф. Отказоустойчивая статическая оперативная память на основе ячеек БМК // Вестник пермского университета. Математика. Механика. Информатика. 2016. Вып. 1(132). С. 34–39.
Гаврилов С.В., Денисов А.Н, Коняхин В.В., Малашевич Н.И., Федоров Р.А. Семейство серии базовых матричных кристаллов // Известия ВУЗов. ЭЛЕКТРОНИКА. 2015. № 5(101). С. 497–504.
Герасимов Ю.М., Григорьев Н.Г., Гусев В.В., Кобыляцкий А.В., Петричкович Я.Я. Радиационно-стойкие КМОП СБИС ОЗУ по технологии объемного кремния // Проблемы разработки перспективных микро- и наноэлектронных систем (МЭС). 2014. № 3. C. 171–176.
Быстрицкий А., Подъяпольский С., Телец В.,
Цыбин С. ПЛИС для космических применений. Архитектурные и схемотехнические особенности // ЭЛЕКТРОНИКА: Наука, Технология, Бизнес. 2005. № 6. С. 44–48.
Коняхин В.В., Денисов А.Н., Федоров Р.А., Вильсон А.Л., Бражников С.С., Коновалов В.С., Малашевич Н.И., Росляков А.С. Микросхемы для аппаратуры космического назначения : Практическое пособие / Под общ. ред. А.Н. Саурова. – М.: ТЕХНОСФЕРА, 2016. 388 с.
Malashevich N., Makarceva M., Fedorov R.
Radiation-Hardened Gate Array with Embedded SRAM // Radiation and Its Effects on Components and Systems (RADECS), 2015 15th European Conference on Year: 2015. P. 1–4, DOI: 10.1109/RADECS.2015.7365656. IEEE Conference Publications.
Отзывы читателей
