Представлен оригинальный метод формирования диэлектрической изоляции FinFET, заключающийся в формировании локальной захороненной диэлектрической области в основании тела транзистора. Предложено технологическое решение реализации данного метода, совместимое с технологией производства КМОП СБИС, и представлены экспериментальные результаты отработки технологических процессов.

УДК 621.328.323
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.251

sitemap

Разработка: студия Green Art