DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341

Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.