eng
Спецвыпуск/2019
К. А. Царик, С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, Е. М. Соколов, Н. В. Тюрнев
Исследование процесса молекулярно-лучевого роста гетероэпитаксиальных слоев Ga(Al)N на темплейтах 3С-SiC/Si(111) с on-axis- и 4° off -axis-разориентацией
Исследование процесса молекулярно-лучевого роста гетероэпитаксиальных слоев Ga(Al)N на темплейтах 3С-SiC/Si(111) с on-axis- и 4° off -axis-разориентацией
Просмотры: 1129
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.430.434
Представлены результаты изучения морфологии поверхности и структуры слоев Ga(Al)N, сформированных МЛЭ на темплейтах 3С-SiC/Si(111) on-axis- и 4° off-axis-разориентации. После формирования 560 нм GaN-слоя RMS поверхности составила ~7 нм на темплейтах on-axis и ~5 нм на 4° off-axis. На 3С-SiC/Si были получены монокристаллические слои GaN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) ~0,61–0,76° для on-axis и ~0,55–0,65° для 4° off-axis. Прогиб поверхности после формирования GaN-слоя увеличился до ~18 мкм на темплейтах on-axis и до ~12 мкм на 4° off-axis, геометрия прогиба указывала на наличие деформации растяжения.
Представлены результаты изучения морфологии поверхности и структуры слоев Ga(Al)N, сформированных МЛЭ на темплейтах 3С-SiC/Si(111) on-axis- и 4° off-axis-разориентации. После формирования 560 нм GaN-слоя RMS поверхности составила ~7 нм на темплейтах on-axis и ~5 нм на 4° off-axis. На 3С-SiC/Si были получены монокристаллические слои GaN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) ~0,61–0,76° для on-axis и ~0,55–0,65° для 4° off-axis. Прогиб поверхности после формирования GaN-слоя увеличился до ~18 мкм на темплейтах on-axis и до ~12 мкм на 4° off-axis, геометрия прогиба указывала на наличие деформации растяжения.
Отзывы читателей
