DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.515.526

В статье рассмотрены способы формирования межуровневой коммутации в микросборках с использованием сквозных металлизированных отверстий в кремнии и с помощью торцевых коммутационных дорожек на компаунде. Описаны образцы высокоплотных кремниевых плат. Представлены результаты исследований процессов металлизации компаундов и лазерного испарения металла с поверхности диэлектриков.