eng
Выпуск #5/2023
А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
Просмотры: 288
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305
Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.
Теги: cmos technology heavy ions technological cad vlsi кмоп-технология сбис технологическая сапр тяжелые заряженные частицы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматриваемого транзистора.
Теги: cmos technology heavy ions technological cad vlsi кмоп-технология сбис технологическая сапр тяжелые заряженные частицы
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
