DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.7-8.432.439

В данной работе исследуется зависимость оптических характеристик планарных Si3N4 кольцевых микрорезонаторов от их геометрических характеристик. Показаны зависимости собственной и нагруженной добротностей кольцевого резонатора от величины расстояния между кольцом и волноводом резонатора, изменение которой позволяет управлять коэффициентом сопряжения резонатора. В результате определены оптимальные геометрические параметры резонатора, обеспечивающие наивысшую добротность. Результаты работы могут быть использованы для дальнейшего изготовления фотонных интегральных схем из нитрида кремния и устройств на их основе.