eng
Спецвыпуск/2026
А.Э.Габдрахманов, О.В.Губанова, Д.В.Рязанцев
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК SiO2 И SiXNY ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ ПЛАНАРНЫХ КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОК SiO2 И SiXNY ДЛЯ ИНТЕГРАЛЬНЫХ ПАССИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
Просмотры: 5
10.22184/1993-8578.2026.19.14s.152.157
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
