Метод молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) основан на выращивании полупроводниковых слоев из испаряемых в сверхвысоком вакууме (~10–11 мм.рт.ст.) эффузионными источниками компонентов, причем распространение потоков компонентов роста в объеме происходит в режиме молекулярного пролета. Для обеспечения необходимой чистоты процесса и сверхвысокого вакуума кроме внешней безмасляной откачной системы (турбомолекулярные, ионные, крионасосы) используются встроенные в ростовой реактор и заполненные жидким азотом криопанели.

sitemap

Разработка: студия Green Art