eng
Выпуск #9/2018
Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния
Просмотры: 3258
УДК 538.956/537.226.4
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281
Теги: atomic layer deposition ferroelectricity hafnium oxide non-volatile memory orthorhombic phase. thin films атомно-слоевое осаждение оксид гафния орторомбическая фаза сегнетоэлектричество тонкие пленки энергонезависимая память
В данной работе представлены результаты формирования ячеек сегнетоэлектрической памяти, изготовленных по технологии «1 транзистор — 1 сегнетоэлектрический конденсатор» (1Т-1С), на основе полностью изготовленного методом атомно-слоевого осаждения (АСО) сегнетоэлектрического конденсатора TiN/Hf0,5Zr0,5O2/TiN с толщиной функционального слоя Hf0,5Zr0,5O2 10 нм. Было продемонстрировано значение остаточной поляризации на уровне 2Pr = 20 мкКл/см2. Сегнетоэлектрические конденсаторы TiN/Hf0,5Zr0,5O2/TiN были интегрированы с транзисторами, изготовленными по полностью промышленной технологии 180 нм. Было показано, что сформированные таким образом 1Т-1С-ячейки памяти характеризуются перспективным ресурсом — количеством циклов чтения-записи более 1010. Кроме того, было продемонстрировано формирование массива 1Т-1С-ячеек емкостью 1 Мб. В данной работе также предложены пути последующего улучшения характеристик 1Т-1С-ячеек памяти путем формирования тонкопленочных сегнетоэлектрических слоев на основе оксида гафния, способных демонстрировать более перспективные характеристики. Так, продемонстрировано формирование тонкопленочной трехкомпонентной системы HfO2-ZrO2-La2O3 с низкой температурой кристаллизации, высокой остаточной поляризацией и перспективным ресурсом. В результате намечены пути создания сегнетоэлектрического конденсатора TiN/HfO2-ZrO2-La2O3/TiN полностью методом АСО для дальнейшей интеграции с транзисторами и формирования ячеек сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти нового поколения.
Отзывы читателей
