Комплексно исследованы тонкопленочные микроэлектронные структуры low-k-диэлектриков и диффузионно-барьерных слоев TiN несколькими рентгенооптическими методами. Это разрешит неоднозначности типа "плотность – шероховатость", возникающие при решении обратных рентгеновских задач и выявит особенности формирования исследованных структур. Создан аналитический комплекс, объединенный самосогласованной обработкой данных нескольких методов измерений. Планируется адаптация к методам рентгеноспектрального и рентгеноструктурного анализа для исследования элементного и фазового состава, включая анализ рудных полезных ископаемых.

DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.534.541

sitemap

Разработка: студия Green Art