DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.244.245

Представлены результаты исследования особенностей процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур как одного из основополагающих в технологии изготовления 3D-ИС. В работе исследовано влияние операционных параметров плазменного травления кремния на технологические характеристики процесса в источнике высокоплотной трансформаторно-связанной плазмы. Показан ионностимулированный характер осаждения фторуглеродной пленки.