eng
Спецвыпуск/2019
В. И. Егоркин, М. Н. Журавлёв, В. Е. Земляков
Гетеробиполярный транзистор с высоким напряжением пробоя на основе наногетероструктур соединений
Гетеробиполярный транзистор с высоким напряжением пробоя на основе наногетероструктур соединений
Просмотры: 1149
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.246.247
Проведены исследования возможности повышения пробивного напряжения гетеробиполярного транзистора на основе соединений арсенида галлия. Повышение пробивного напряжения достигается за счет использования анизотропного химического травления и плазмохимической обработки с осаждением Si3N4. Получены значения пробивного напряжения более 25 В.
Проведены исследования возможности повышения пробивного напряжения гетеробиполярного транзистора на основе соединений арсенида галлия. Повышение пробивного напряжения достигается за счет использования анизотропного химического травления и плазмохимической обработки с осаждением Si3N4. Получены значения пробивного напряжения более 25 В.
Отзывы читателей
