DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.268.274

Рассмотрены вопросы создания отечественных радиационно-стойких КМОП ИС и СБИC с момента появления первых микронных КМОП-транзисторов в 1968 г. до современных нанометровых СБИС типа «систем на кристалле» (СнК), изготавливаемых по технологиям объемного кремния уровня 250–90 нм. Проанализированы особенности радиационно-стойкого проектирования таких СБИС. На основе разработанных библиотек элементов и СФ-блоков создан ряд конкурентоспособных СБИС СнК и ОЗУ.

sitemap

Разработка: студия Green Art