DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349

В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.

sitemap

Разработка: студия Green Art