eng
Спецвыпуск/2019
Н. А. Усачев, Д. И. Сотсков, В. В. Елесин, Г. Н. Назарова, И. О. Метелкин, Г. В. Чуков, А. Г. Кузнецов
Радиационно-ориентированное проектирование СВЧ функциональных блоков приемопередающих БИС на основе гетероструктурных биполярных транзисторов
Радиационно-ориентированное проектирование СВЧ функциональных блоков приемопередающих БИС на основе гетероструктурных биполярных транзисторов
Просмотры: 1172
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.427.429
Представлены результаты радиационно-ориентированного проектирования СВЧ функциональных блоков статического делителя и буферного усилителя с рабочими частотами до 10 ГГц, предназначенных для изготовления по технологии на основе А3В5 гетероструктурных биполярных транзисторов.
Представлены результаты радиационно-ориентированного проектирования СВЧ функциональных блоков статического делителя и буферного усилителя с рабочими частотами до 10 ГГц, предназначенных для изготовления по технологии на основе А3В5 гетероструктурных биполярных транзисторов.
Отзывы читателей
