eng
Спецвыпуск/2019
А. Н. Алексеев С. И. Петров В. В. Мамаев С. А. Новиков Е. В. Луценко Н. В. Ржеуцкий
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники
Просмотры: 1465
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.610.614
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
Отзывы читателей
