eng
Выпуск #7-8/2020
А.В.Шведов, В.М.Елинсон, В.И.Кузькин, В.В.Мурныкина
Исследование спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи НЧ-плазмотрона атмосферного давления
Исследование спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи НЧ-плазмотрона атмосферного давления
Просмотры: 485
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.7-8.442.448
В работе представлены результаты исследования спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи низкочастотного плазмотрона низкотемпературной плазмы атмосферного давления. Рассмотрены амплитуды пиков поглощения и установлен химический состав покрытий. Определена ширина запрещенной зоны по методу Тауца.
В работе представлены результаты исследования спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи низкочастотного плазмотрона низкотемпературной плазмы атмосферного давления. Рассмотрены амплитуды пиков поглощения и установлен химический состав покрытий. Определена ширина запрещенной зоны по методу Тауца.
Теги: absorption spectra atmospheric pressure arc discharge chemical composition химический состав fluorocarbon coating low temperature plasma plasma treatment дуговой газовый разряд атмосферного давления низкотемпературная плазма плазменная обработка спектры поглощения фторуглеродное покрытие
А.В.Шведов*, аспирант, инженер, (ORCID: 0000-0002-4743-5701), В.М.Елинсон*, д.т.н., проф., (ORCID: 0000-0002-4432-7991), В.И.Кузькин*, к.т.н., доцент, (ORCID: 0000-0002-7862-2366), В.В.Мурныкина, бакалавр, (ORCID: 0000-0002-7862-2366) / seriousash@yandex.ru
A.V.Shvedov*, Post-graduate, Engineer, V.M.Elinson*, Doct. of Sc.(Technical), Prof., V.I.Kuzkin*, Cand. of Sc. (Technical), Docent, V.V.Murnykina, Bachelor
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.7-8.442.448
Получено: 30.09.2020 г.
ВВЕДЕНИЕ
Исследования и разработки в области модификации перспективных материалов и создания новых призваны ускорить интеграцию изделий опто- и микроэлектроники практически во все сферы народного хозяйства [1–3]. Среди перспективных материалов особое место занимают полимеры, обладающие такими качествами, как низкая плотность, высокая гибкость, химическая стойкость и высокие диэлектрические характеристики. Однако в результате влияния негативных факторов окружающей среды (высокая влажность, УФ-излучение) диэлектрические, механические и оптические свойства полимерных материалов подвергаются существенной деградации, что сказывается на работе оптоэлектронного изделия [4, 5]. Применение низкоэнергетических методов обработки и модификации поверхности материалов все более востребовано в современной промышленности и науке. К таким методам можно отнести применение низкотемпературной плазмы атмосферного давления. Благодаря отсутствию необходимости создания и поддержания вакуума, а также простоте управления процессами, плазма атмосферного давления нашла свое применение в ряде технологических процессов [6–9]. Наиболее привлекательным методом генерации низкотемпературной плазмы является низкочастотный (НЧ) дуговой газовый разряд и установки на его основе – плазмотроны. Он позволяет производить точечную обработку изделия при помощи подаваемой газовой смеси с минимальными энергетическими затратами, не превышающими 100 Вт [9].
Для защиты различных компонентов обычно используются углеродсодержащие материалы [9, 10]. Формирование фторуглеродного покрытия позволяет добиться повышенной физической и химической стойкости и гидрофобности поверхности [11, 12], а также за счет свойств самого углерода: возможности формирования компенсированных валентных связей и широкого спектра свойств, варьируемых в зависимости от применяемых методов осаждения [13].
Целью настоящей работы является исследование спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи НЧ-плазмотрона атмосферного давления.
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
Для достижения поставленной задачи была разработана экспериментальная установка, состоящая из НЧ-плазмотрона, ЧПУ-основы и газового блока.
Управление установкой осуществлялось с помощью персонального компьютера с установленным программным обеспечением NC-Studio. Осаждение из газовой фазы фторуглеродных покрытий обеспечивается подачей смеси из нескольких потоков газов согласно схеме, приведенной на рис.1.
Формирование покрытий производилось при следующих технологических параметрах: расстояние плазмотрон-подложка (15–24 мм), время нанесения (10–20 с), концентрация C6H12 (2–3%). Суммарный поток газов составлял 7,1 ± 0,1 л/мин. Частота газового разряда была зафиксирована на значении 113 кГц. Формирование покрытий производилось на подложки из полиэтилентерефталата (ПЭТФ) для последующего исследования спектров поглощения, получаемых на спектрофотометре Photolab 6600.
РЕЗУЛЬТАТЫ
Исследование оптических свойств фторуглеродных покрытий позволяет определить особенности их применения в изделиях оптоэлектроники, таких как диодные излучатели, фоторезисторы или фоточувствительные матрицы. Спектры поглощения способны продемонстрировать влияние технологических параметров осаждения из газовой фазы на химический состав получаемых покрытий.
С целью исключения влияния ПЭТФ на получаемый спектр, была произведена калибровка спектрофотометра по чистому образцу ПЭТФ, который был принят за единицу поглощения, таким образом, все полученные спектры были сформированы относительно единицы в диапазоне длин волн от 190–600 нм. Для проведения исследований фиксировался ряд других пиков, где значение поглощения резко изменялось в малом спектральном диапазоне, в состав которых входит углерод. Отрицательные значения поглощения относительно единицы являются показателем увеличения пропускания относительно образца чистого ПЭТФ.
На рис.2–4 представлены спектры поглощения фторуглеродных покрытий с различной концентрацией C6H12 при различных расстояниях плазмотрон-подложка, полученных в точечном режиме осаждения из газовой фазы.
Кардинальные различия интенсивности поглощения относительно единицы для концентраций C6H12 2–2,5% и 3–3,5% показывают влияние ограниченного энерговклада НЧ-плазмотрона атмосферного давления, где с увеличением частиц пленкообразующего газа уменьшается общая скорость формирования покрытия. Вследствие этого покрытия, полученные с бόльшим содержанием C6H12, имеют меньшую толщину и естественным образом имеют более низкий показатель поглощения, который в той или иной степени лучше, чем у чистого ПЭТФ. Одновременно с этим происходит увеличение амплитуды пика поглощения и пиков на длинах волн 217 и 223 нм, что соответствует типам связи C=C‒C=C и C≡C. При увеличении концентрации сокращается разница между спектрами, полученными при различных расстояниях плазмотрон-подложка, поскольку увеличивается количество C–C-связей на поверхности подложки из ПЭТФ.
На рис.5 приведенные зависимости пиков спектров поглощения показывают незначительное увеличение поглощения относительно единицы пика поглощения, характеризующего C–C-связи, за счет сокращения других связей в полученном покрытии.
Технологический параметр плазмотрон-подложка во многом оказывает влияние на спектры излучения с длинами волн до 300 нм (УФ-диапазон), как показано на рис.2–5.
Данное влияние обусловлено получением продуктов диссоциации пленкообразующей и транспортной смеси, на которую влияет параметр плазмотрон-подложка, которая связана с концентрацией соединений C=C; C≡C; C=O; C=C‒C=C, имеющих пики в спектральном диапазоне от 160–300 нм, а также с наличием неспаренных электронов, которые приводят к появлению дополнительных пиков и изменению крутизны пика поглощения, лежащего в диапазоне 306–310 нм. Динамика поглощения относительно единицы у фторуглеродных покрытий связана с применением CF4 и химической природой фтора, которая после процесса ионизации C6H12 приводит к замещению C–H-связей, минимизируя возможность рекомбинации заряженных частиц и продуктов диссоциации с атмосферным воздухом, позволяя снизить влияние окружающей среды на протекающие процессы.
С увеличением расстояния плазмотрон-подложка увеличивается количество рекомбинированных заряженных частиц и продуктов диссоциации с атмосферным воздухом, где в первую очередь рекомбинации подвергаются соединения, имеющие более низкий порог ионизации и более низкий заряд. К таким соединениям относятся H, C-H, N и NO. С увеличением расстояния плазмотрон-подложка увеличивается количество кислородных групп участвующих в рекомбинации ионизированных соединений, преимущественно вступая в связь с С–O и C–H и выводя их из ионизированного состояния. В то же время соединения C–C и C=C в той или иной степени подвергаются меньшей рекомбинации, что позволяет им достичь подложки для формирования покрытия [15], в результате возможно получение тонких покрытий с увеличенной концентрацией углерода.
Влияние времени нанесения на поглощение относительно единицы заметно в спектральном диапазоне 190–300 нм и связано с неоднородностью протекания процессов горения НЧ дугового газового разряда с течением времени. В спектральном диапазоне от 310–600 нм характер спектров по времени практически идентичен за счет свойств фторуглеродных покрытий, в число которых входит повышенное оптическое пропускание [11].
Был произведен расчет ширины запрещенной зоны по методу Тауца, которая составила в среднем 4,18 ± 0,04 эВ. Данная ширина запрещенной зоны соответствует диэлектрическому материалу. Влияние технологических параметров на ширину запрещенной зоны незначительно.
ВЫВОДЫ
В результате проделанной работы было установлено влияние технологических параметров на поглощение относительно контрольного образца ПЭТФ, а также на изменение химического состава получаемых покрытий. В частности, было показано, что расстояние плазмотрон-подложка существенно влияет на количество С–С-связей, получаемых на подложке. Определено влияние концентрации C6H12 на относительное поглощение. Установлена ширина запрещенной зоны по методу Тауца, которая в среднем составила 4,18 ± 0,04 эВ.
ЛИТЕРАТУРА / REFERENCES
Цыганов И.К., Колючкин В.В., Талалаев В.Е., Пирютин Н.В., Чебурканов В.Д. Высокопроизводительный оптико-электронный сканер для оперативного контроля подлинности защитных голограмм на документах // Тезисы докладов XV международной конференции по голографии и прикладным оптическим технологиям, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2018, с. 97–101.
Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф., Тагиров Р.Ф. Модернизация вакуумного оборудования для ионно-плазменного нанесения оптических покрытий // Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий, Казань, 2011, с 184–187. ISSN: 2312-2285.
Павлов П.В., Вольф И.Э., Малов А.Н., "Оптико-электронный комплекс неразрушающего контроля авиационных деталей // "Crede experto: Транспорт, общество, образование, язык", Московский государственный технический университет гражданской авиации (Москва) eISSN: 2312-1327, 2017, с. 60–70.
Zainal A., Nurdin A., Mulyati S. Study on Mechanical Properties of Composite Polymeric Foams Reinforced by Bagasse Fibers // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 536 (2019) 012023, IOP Publishing. doi:10.1088/1757-899X/536/1/012023.
Laptev A.B., Golubev A.V., Kireev D.M., Nikolaev E.V. (2019). To the Question of Biodegradation of Polymeric Materials in Natural Environments (review). Proceedings of VIAM. 100-107. doi:10.18577/2307-6046-2019-0-9-100-107.
Kredl J., Kolb J.F. Schnabel U., Polak M., Weltmann K.D. Deposition of Antimicrobial Copper-Rich Coatings on Polymers by Atmospheric Pressure Jet Plasmas // Materials 2016, v. 9, p. 274; doi:10.3390/ma9040274.
Rehn P., Wolkenhauer A., Bente M., Forster S., Viol W. Wood surface modification in dielectric barrier discharges at atmospheric pressure // Surface and Coatings Technology, v. 174–175, September–October 2003, pp. 515–518.
Кутепов А.М., Захаров А.Г., Максимов А.И., Титов В.А. Плазменное модифицирование текстильных материалов: перспективы и проблемы // Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. общества им. Д.И.Менделеева), 2002, т. XLVI, № 1, с. 103.
Елинсон В.М., Шведов А.В., Богданова Ю.Г. Исследование процесса формирования углеродных покрытий, с использованием низкочастотного плазмотрона атмосферного давления в матричном режиме нанесения // Материалы XV-й конференции "Быстрозакаленные материалы и покрытия", М., МАИ, с. 217–221.
Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов // М.: КомКнига, 2006. 592 c.
Vinogradov P., Dinkelmann A., Fateev A., Lunk A. Deposition of fluorocarbon polymer films in a dielectric barrier discharge (DBD) // Surface and Coatings Technology, v. 174–175, September–October 2003, pp. 509–514. doi: 10.1016/S0257-8972(03)00615.
Elinson V.M., Shchur P.A., Silnitskaya O.A. Multifunctional polymer materials with antifungal activity, modified by fluorocarbon films by methods of ion-plasma technology, IOP Publishing Ltd, Journal of Physics: Conference Series, v. 1121 012012, doi:10.1088/1742-6596/1121/1/012012.
Севастьянов В.И., Василец В.Н. 2008, Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. общества имени Д.И.Менделеева), т. LII, № 3, с. 72–80.
Спектральные методы анализа. Практическое руководство: Уч. пос. / Под ред. В.Ф.Селеменева и В.Н.Семенова. – СПб: Лань, 2014. 416 c.
Степанов Н.Ф., Пупышев В.И. Квантовая механика молекул и квантовая химия: Уч. пос. М.: изд-во МГУ, 1991. 384 с.
A.V.Shvedov*, Post-graduate, Engineer, V.M.Elinson*, Doct. of Sc.(Technical), Prof., V.I.Kuzkin*, Cand. of Sc. (Technical), Docent, V.V.Murnykina, Bachelor
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.7-8.442.448
Получено: 30.09.2020 г.
ВВЕДЕНИЕ
Исследования и разработки в области модификации перспективных материалов и создания новых призваны ускорить интеграцию изделий опто- и микроэлектроники практически во все сферы народного хозяйства [1–3]. Среди перспективных материалов особое место занимают полимеры, обладающие такими качествами, как низкая плотность, высокая гибкость, химическая стойкость и высокие диэлектрические характеристики. Однако в результате влияния негативных факторов окружающей среды (высокая влажность, УФ-излучение) диэлектрические, механические и оптические свойства полимерных материалов подвергаются существенной деградации, что сказывается на работе оптоэлектронного изделия [4, 5]. Применение низкоэнергетических методов обработки и модификации поверхности материалов все более востребовано в современной промышленности и науке. К таким методам можно отнести применение низкотемпературной плазмы атмосферного давления. Благодаря отсутствию необходимости создания и поддержания вакуума, а также простоте управления процессами, плазма атмосферного давления нашла свое применение в ряде технологических процессов [6–9]. Наиболее привлекательным методом генерации низкотемпературной плазмы является низкочастотный (НЧ) дуговой газовый разряд и установки на его основе – плазмотроны. Он позволяет производить точечную обработку изделия при помощи подаваемой газовой смеси с минимальными энергетическими затратами, не превышающими 100 Вт [9].
Для защиты различных компонентов обычно используются углеродсодержащие материалы [9, 10]. Формирование фторуглеродного покрытия позволяет добиться повышенной физической и химической стойкости и гидрофобности поверхности [11, 12], а также за счет свойств самого углерода: возможности формирования компенсированных валентных связей и широкого спектра свойств, варьируемых в зависимости от применяемых методов осаждения [13].
Целью настоящей работы является исследование спектров поглощения фторуглеродных покрытий, полученных при помощи НЧ-плазмотрона атмосферного давления.
МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ
Для достижения поставленной задачи была разработана экспериментальная установка, состоящая из НЧ-плазмотрона, ЧПУ-основы и газового блока.
Управление установкой осуществлялось с помощью персонального компьютера с установленным программным обеспечением NC-Studio. Осаждение из газовой фазы фторуглеродных покрытий обеспечивается подачей смеси из нескольких потоков газов согласно схеме, приведенной на рис.1.
Формирование покрытий производилось при следующих технологических параметрах: расстояние плазмотрон-подложка (15–24 мм), время нанесения (10–20 с), концентрация C6H12 (2–3%). Суммарный поток газов составлял 7,1 ± 0,1 л/мин. Частота газового разряда была зафиксирована на значении 113 кГц. Формирование покрытий производилось на подложки из полиэтилентерефталата (ПЭТФ) для последующего исследования спектров поглощения, получаемых на спектрофотометре Photolab 6600.
РЕЗУЛЬТАТЫ
Исследование оптических свойств фторуглеродных покрытий позволяет определить особенности их применения в изделиях оптоэлектроники, таких как диодные излучатели, фоторезисторы или фоточувствительные матрицы. Спектры поглощения способны продемонстрировать влияние технологических параметров осаждения из газовой фазы на химический состав получаемых покрытий.
С целью исключения влияния ПЭТФ на получаемый спектр, была произведена калибровка спектрофотометра по чистому образцу ПЭТФ, который был принят за единицу поглощения, таким образом, все полученные спектры были сформированы относительно единицы в диапазоне длин волн от 190–600 нм. Для проведения исследований фиксировался ряд других пиков, где значение поглощения резко изменялось в малом спектральном диапазоне, в состав которых входит углерод. Отрицательные значения поглощения относительно единицы являются показателем увеличения пропускания относительно образца чистого ПЭТФ.
На рис.2–4 представлены спектры поглощения фторуглеродных покрытий с различной концентрацией C6H12 при различных расстояниях плазмотрон-подложка, полученных в точечном режиме осаждения из газовой фазы.
Кардинальные различия интенсивности поглощения относительно единицы для концентраций C6H12 2–2,5% и 3–3,5% показывают влияние ограниченного энерговклада НЧ-плазмотрона атмосферного давления, где с увеличением частиц пленкообразующего газа уменьшается общая скорость формирования покрытия. Вследствие этого покрытия, полученные с бόльшим содержанием C6H12, имеют меньшую толщину и естественным образом имеют более низкий показатель поглощения, который в той или иной степени лучше, чем у чистого ПЭТФ. Одновременно с этим происходит увеличение амплитуды пика поглощения и пиков на длинах волн 217 и 223 нм, что соответствует типам связи C=C‒C=C и C≡C. При увеличении концентрации сокращается разница между спектрами, полученными при различных расстояниях плазмотрон-подложка, поскольку увеличивается количество C–C-связей на поверхности подложки из ПЭТФ.
На рис.5 приведенные зависимости пиков спектров поглощения показывают незначительное увеличение поглощения относительно единицы пика поглощения, характеризующего C–C-связи, за счет сокращения других связей в полученном покрытии.
Технологический параметр плазмотрон-подложка во многом оказывает влияние на спектры излучения с длинами волн до 300 нм (УФ-диапазон), как показано на рис.2–5.
Данное влияние обусловлено получением продуктов диссоциации пленкообразующей и транспортной смеси, на которую влияет параметр плазмотрон-подложка, которая связана с концентрацией соединений C=C; C≡C; C=O; C=C‒C=C, имеющих пики в спектральном диапазоне от 160–300 нм, а также с наличием неспаренных электронов, которые приводят к появлению дополнительных пиков и изменению крутизны пика поглощения, лежащего в диапазоне 306–310 нм. Динамика поглощения относительно единицы у фторуглеродных покрытий связана с применением CF4 и химической природой фтора, которая после процесса ионизации C6H12 приводит к замещению C–H-связей, минимизируя возможность рекомбинации заряженных частиц и продуктов диссоциации с атмосферным воздухом, позволяя снизить влияние окружающей среды на протекающие процессы.
С увеличением расстояния плазмотрон-подложка увеличивается количество рекомбинированных заряженных частиц и продуктов диссоциации с атмосферным воздухом, где в первую очередь рекомбинации подвергаются соединения, имеющие более низкий порог ионизации и более низкий заряд. К таким соединениям относятся H, C-H, N и NO. С увеличением расстояния плазмотрон-подложка увеличивается количество кислородных групп участвующих в рекомбинации ионизированных соединений, преимущественно вступая в связь с С–O и C–H и выводя их из ионизированного состояния. В то же время соединения C–C и C=C в той или иной степени подвергаются меньшей рекомбинации, что позволяет им достичь подложки для формирования покрытия [15], в результате возможно получение тонких покрытий с увеличенной концентрацией углерода.
Влияние времени нанесения на поглощение относительно единицы заметно в спектральном диапазоне 190–300 нм и связано с неоднородностью протекания процессов горения НЧ дугового газового разряда с течением времени. В спектральном диапазоне от 310–600 нм характер спектров по времени практически идентичен за счет свойств фторуглеродных покрытий, в число которых входит повышенное оптическое пропускание [11].
Был произведен расчет ширины запрещенной зоны по методу Тауца, которая составила в среднем 4,18 ± 0,04 эВ. Данная ширина запрещенной зоны соответствует диэлектрическому материалу. Влияние технологических параметров на ширину запрещенной зоны незначительно.
ВЫВОДЫ
В результате проделанной работы было установлено влияние технологических параметров на поглощение относительно контрольного образца ПЭТФ, а также на изменение химического состава получаемых покрытий. В частности, было показано, что расстояние плазмотрон-подложка существенно влияет на количество С–С-связей, получаемых на подложке. Определено влияние концентрации C6H12 на относительное поглощение. Установлена ширина запрещенной зоны по методу Тауца, которая в среднем составила 4,18 ± 0,04 эВ.
ЛИТЕРАТУРА / REFERENCES
Цыганов И.К., Колючкин В.В., Талалаев В.Е., Пирютин Н.В., Чебурканов В.Д. Высокопроизводительный оптико-электронный сканер для оперативного контроля подлинности защитных голограмм на документах // Тезисы докладов XV международной конференции по голографии и прикладным оптическим технологиям, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2018, с. 97–101.
Галяутдинов Р.Т., Кашапов Н.Ф., Тагиров Р.Ф. Модернизация вакуумного оборудования для ионно-плазменного нанесения оптических покрытий // Низкотемпературная плазма в процессах нанесения функциональных покрытий, Казань, 2011, с 184–187. ISSN: 2312-2285.
Павлов П.В., Вольф И.Э., Малов А.Н., "Оптико-электронный комплекс неразрушающего контроля авиационных деталей // "Crede experto: Транспорт, общество, образование, язык", Московский государственный технический университет гражданской авиации (Москва) eISSN: 2312-1327, 2017, с. 60–70.
Zainal A., Nurdin A., Mulyati S. Study on Mechanical Properties of Composite Polymeric Foams Reinforced by Bagasse Fibers // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering 536 (2019) 012023, IOP Publishing. doi:10.1088/1757-899X/536/1/012023.
Laptev A.B., Golubev A.V., Kireev D.M., Nikolaev E.V. (2019). To the Question of Biodegradation of Polymeric Materials in Natural Environments (review). Proceedings of VIAM. 100-107. doi:10.18577/2307-6046-2019-0-9-100-107.
Kredl J., Kolb J.F. Schnabel U., Polak M., Weltmann K.D. Deposition of Antimicrobial Copper-Rich Coatings on Polymers by Atmospheric Pressure Jet Plasmas // Materials 2016, v. 9, p. 274; doi:10.3390/ma9040274.
Rehn P., Wolkenhauer A., Bente M., Forster S., Viol W. Wood surface modification in dielectric barrier discharges at atmospheric pressure // Surface and Coatings Technology, v. 174–175, September–October 2003, pp. 515–518.
Кутепов А.М., Захаров А.Г., Максимов А.И., Титов В.А. Плазменное модифицирование текстильных материалов: перспективы и проблемы // Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. общества им. Д.И.Менделеева), 2002, т. XLVI, № 1, с. 103.
Елинсон В.М., Шведов А.В., Богданова Ю.Г. Исследование процесса формирования углеродных покрытий, с использованием низкочастотного плазмотрона атмосферного давления в матричном режиме нанесения // Материалы XV-й конференции "Быстрозакаленные материалы и покрытия", М., МАИ, с. 217–221.
Суздалев И.П. Нанотехнология: физико-химия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов // М.: КомКнига, 2006. 592 c.
Vinogradov P., Dinkelmann A., Fateev A., Lunk A. Deposition of fluorocarbon polymer films in a dielectric barrier discharge (DBD) // Surface and Coatings Technology, v. 174–175, September–October 2003, pp. 509–514. doi: 10.1016/S0257-8972(03)00615.
Elinson V.M., Shchur P.A., Silnitskaya O.A. Multifunctional polymer materials with antifungal activity, modified by fluorocarbon films by methods of ion-plasma technology, IOP Publishing Ltd, Journal of Physics: Conference Series, v. 1121 012012, doi:10.1088/1742-6596/1121/1/012012.
Севастьянов В.И., Василец В.Н. 2008, Рос. хим. ж. (Ж. Рос. хим. общества имени Д.И.Менделеева), т. LII, № 3, с. 72–80.
Спектральные методы анализа. Практическое руководство: Уч. пос. / Под ред. В.Ф.Селеменева и В.Н.Семенова. – СПб: Лань, 2014. 416 c.
Степанов Н.Ф., Пупышев В.И. Квантовая механика молекул и квантовая химия: Уч. пос. М.: изд-во МГУ, 1991. 384 с.
Отзывы читателей
