eng
Просмотры: 35
15.06.2026
На базе секции №13 «Материалы микро- и наноэлектроники, диагностика материалов и элементов электронной компонентной базы» состоится круглый стол «Перспективные пьезо- и сегнетоэлектрические материалы для микро – и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики: синтез и применение».
Цель круглого стола – выработать новое, более глубокое понимание вызовов, стоящих перед отечественными наукой и наукоёмкими отраслями промышленности, наметить пути и перспективы решения важнейших вопросов построения программы получения перспективных полярных материалов и развития технологий для формирования передовых устройств микро- и наноэлектроники, акустоэлектроники, фотоники и сенсорики как одного из базовых элементов обеспечения технологического суверенитета.
Перспективы развития нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем «пьезоэлектрик / полупроводник», которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки информации по электронным и оптическим каналам. Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объёмных акустических волн. Большое значение такие материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G.
Не менее важную роль пьезоэлектрические материалы играют в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций.
Для развития упомянутых направлений необходим поиск не только новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн). Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D-материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств на основе процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии.
Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике.
Поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники – только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.
В ходе круглого стола предполагается обсудить следующие вопросы:
• Подготовка кадров, базовое образование в университетах в области получения и исследования полярных материалов;
• Методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов;
• Объёмные монокристаллы и низкоразмерные 1D-кристаллы;
• Развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомно-силовая микроскопия;
• Сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта;
• Новые подходы в фотонике и сенсорике.
Модераторами круглого стола выступают:
• д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович, директор ФГБУН ИПТМ РАН;
• д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, начальник отдела АО «НИИМЭ».
Приглашены к выступлению:
• Грачев С. Н., заместитель руководителя Департамента металлургии и материалов Минпромторга России;
к.т.н. Машинин О. В., БУТИС;
• Сорокин Б. П., Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств;
• д.т.н., член-корреспондент РАН Бородин В. А., ЭЗАН;
• д.т.н. Бокарев В. П., АО «НИИМЭ».
Присоединяйтесь к дискуссии, чтобы внести вклад в развитие перспективных материалов для прогресса отечественной микроэлектроники! Следите за анонсами о зале и времени проведения мероприятия.
Перспективы развития нано- и микроэлектроники связаны с созданием гибридных систем «пьезоэлектрик / полупроводник», которые позволяют интегрировать задачи передачи и обработки информации по электронным и оптическим каналам. Использование пьезоэлектрических материалов позволяет ускорить передачу информации между ядрами процессоров, создавать пьезогенераторы для питания микросхем и процессоров, создавать нейроморфные процессоры. Пьезоэлектрические материалы играют важную роль в телекоммуникационных системах для обработки и передачи информации в режиме реального времени при использовании поверхностных и объёмных акустических волн. Большое значение такие материалы имеют для развития мобильных сетей 6G и 7G.
Не менее важную роль пьезоэлектрические материалы играют в развитии сенсорики, где необходимо создание датчиков физических величин на прямом пьезоэлектрическом эффекте или акустических резонаторах в условиях беспроводных коммуникаций.
Для развития упомянутых направлений необходим поиск не только новых подходов и решений при создании интегральных устройств акустоэлектроники и фотоники, но и новых перспективных материалов с уникальными физическими свойствами (высокие значения пьезоэлектрических модулей и высокие значения скоростей акустических волн). Большое развитие данное направление может получить с использованием низкоразмерных 1D-материалов (наностержни ZnO и AlN) и развитием технологий миниатюризации акустоэлектронных устройств на основе процессов электроннолучевой и ионнолучевой литографии.
Возможность гибридизации пьезоэлектрических и полупроводниковых материалов в перспективе откроет новую эру в микроэлектронике.
Поиск новых материалов неразрывно связан с развитием методов материаловедения и диагностики материалов и элементной базы микроэлектроники – только такой подход позволяет исследовать физические свойства материалов и определить их место в современной электронике.
В ходе круглого стола предполагается обсудить следующие вопросы:
• Подготовка кадров, базовое образование в университетах в области получения и исследования полярных материалов;
• Методы и оборудование для производства полярных диэлектрических кристаллов;
• Объёмные монокристаллы и низкоразмерные 1D-кристаллы;
• Развитие методов диагностики и материаловедения полярных материалов: электронная микроскопия, рентгеновские методы исследования структуры и свойств, атомно-силовая микроскопия;
• Сырьевая база для производства полярных материалов, исходная шихта;
• Новые подходы в фотонике и сенсорике.
Модераторами круглого стола выступают:
• д.ф.-м.н., член-корреспондент РАН Рощупкин Дмитрий Валентинович, директор ФГБУН ИПТМ РАН;
• д.т.н. Бокарев Валерий Павлович, начальник отдела АО «НИИМЭ».
Приглашены к выступлению:
• Грачев С. Н., заместитель руководителя Департамента металлургии и материалов Минпромторга России;
к.т.н. Машинин О. В., БУТИС;
• Сорокин Б. П., Курчатовский комплекс технологических исследований сверхтвердых и новых углеродных материалов, Лаборатория физической акустики и акустоэлектронных устройств;
• д.т.н., член-корреспондент РАН Бородин В. А., ЭЗАН;
• д.т.н. Бокарев В. П., АО «НИИМЭ».
Присоединяйтесь к дискуссии, чтобы внести вклад в развитие перспективных материалов для прогресса отечественной микроэлектроники! Следите за анонсами о зале и времени проведения мероприятия.
Комментарии читателей
