Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "vacuum micro-device"

Наноиндустрия #5/2018
А.Григорьев, А.Иванов, В.Ильин, В.Лучинин
Вакуумная электроника: ренессанс или стагнация

Освоение миллиметровых длин волн и терагерцового диапазона частот при необходимости обеспечения высоких значений важнейшего критерия качества систем беспроводной связи, радиолокации и радиоэлектронного противодействия – произведения выходной мощности на рабочую частоту и полосу частот – стали стимулом для развития вакуумной микроэлектроники. Использование базовых и модифицированных процессов микро- и нанотехнологии и инфраструктуры интегрально-группового производства приборов твердотельной электроники и микросистемной техники создают предпосылки к эволюции вакуумной электроники в микро- и наноразмерную область. В статье отмечено, что по комплексу параметров, в том числе, быстродействию, критерию качества, предельной рабочей частоте, уровню шумов, устойчивости к радиационным, температурным и электромагнитным воздействиям, приборы вакуумной эмиссионной электроники могут превосходить твердотельные функциональные аналоги. Определены актуальные физико-технологические проблемы вакуумной микроэлектроники. Представлены современные разработки, реализуемые на кафедре радиотехнической электроники и в центре микротехнологии и диагностики СПбГЭТУ "ЛЭТИ", в том числе, автоэмиссионные катоды на основе карбида кремния и алмаза, лампа бегущей волны миллиметрового диапазона для 5G систем беспроводной связи и клистрон миллиметрового диапазона. Рассмотрены области, в которых может быть востребована вакуумная микроэлектроника. УДК 621.37; ВАК 05.27.01; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.84.5.356.368

Наноиндустрия #5/2011
Н.Зайцев, Е.Горнев, С.Орлов, А.Красников, К.Свечкарев, Р.Яфаров
Наноалмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных элементов

Изучены наноструктурированные алмазографитовые автоэмиттеры для интегральных автоэмиссионных микроприборов. Обнаружена самоорганизация алмазных нанокристаллитов в графитовых и полимероподобных пленках при осаждении в неравновесной СВЧ -плазме паров этанола. Определены режимы раздельного осаждения углеродных структур заданной аллотропной модификации. Изготовлены интегральные автоэмиссионные микроприборы: диоды и триоды с наноалмазографитовыми эмиттерами. Наноалмазографитовые эмиттеры при 1×10-6 Торр и 300К обеспечивают плотность эмиссионного тока около 2 А/см2 и порог эмиссии до 1,5 В/мкм.