Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2026
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "finfet"

Электроника НТБ #6/2021
С. Белоусов
ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ВСТРОЕННЫХ PVT-СЕНСОРОВ ПРИ РАЗРАБОТКЕ ПРОЕКТОВ НА БАЗЕ СОВРЕМЕННЫХ FinFET-ТЕХНОЛОГИЙ

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.207.6.56.61 Рассматриваются общие принципы реализации системы диагностики и контроля современных систем на кристалле на базе FinFET с применением датчиков и контроллеров физических параметров, интегрируемых на этапе проектирования будущих устройств, на основе аппаратных компонентов платформы SLM от Synopsys.

Наноиндустрия #9/2018
Шелепин Николай Алексеевич
Особенности элементной базы СБИС на основе технологии КМОП КНИ с полным обеднением

Рассмотрено развитие конструкций компонентов СБИС на технологических уровнях ниже 28 нм. Отмечено, что уровень 28 нм был последним, в котором были реализованы планарные транзисторы. Далее образовалось два направления трехмерных транзисторов: FinFET и FD SOI. Показаны их основные различия и особенности. Представлены результаты моделирования характеристик КНИ транзисторов с полным обеднением. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.46.48

Электроника НТБ #9/2014
В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ

В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм.

Электроника НТБ #2/2014
В.Майская
Конференции IEDM и ISSCC. Лучшие из лучших

Рассматриваются работы, представленные на традиционных международных форумах – IEDM и ISSCC – и посвященные новым полевым транзисторам с использованием в качестве материала канала полупроводниковых соединений А3В5.