Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "рефлектометрия"

Фотоника #6/2024
С. Б. Бычков, А. О. Погонышев, С. В. Тихомиров, В. Р. Сумкин
Методы измерения обратных потерь в волоконно-оптических линиях и компонентах

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2024.18.6.470.484 В статье рассматриваются 3 метода измерения величины обратных потерь (ORL) в волоконно-оптических системах, применяемые в современных измерительных приборах – метод измерений на непрерывном излучении (CW), метод рефлектометрии во временной области (OTDR) и метод рефлектометрии в частотной области (OFDR). Проводится сравнительный анализ этих методов, рассматриваются преимущества и ограничения.

Наноиндустрия #5/2019
Л.Асиновский, Д.Никулин, В.Васильев
Определение толщины пленок методом спектроскопической рефлектометрии с использованием алгоритмов быстрого преобразования Фурье

DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.5.260.267 В работе приведены примеры применения программного пакета обработки отраженных спектров для определения толщины пленок на подложках и анализа многослойных пленочных структур. Представлен обзор практических применений программного обеспечения TFCompanion (Semiconsoft) в составе измерительных комплексов MProbe® (Semiconsoft) для измерения и анализа отраженных спектров и расчета толщины толстых пленок с использованием встроенных алгоритмов быстрого преобразования Фурье (БПФ).

Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Хлыбов Александр Иванович, Родионов Денис Владимирович
Экстракция параметров модели HEMT-транзистора на основе исследований рефлектометрическим методом

В работе продемонстрирована возможность временного метода для исследования параметров НЕМТ транзистора. Показано применение рефлектометрического метода к задаче экстракции параметров малосигнальной модели HEMT транзистора. Измерены параметры HEMT транзистора в динамическом режиме (входная и проходная емкости, сопротивление канала в крутой и пологой областях, крутизна транзистора). УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.481

Печатный монтаж #5/2016
В.Кусков, Е.Слепухов, Р.Горемычкин
Динамический рефлектометр для контроля волнового сопротивления микрополосковых линий и дифференциальных пар модель ИРС-35

Разработана отечественная рефлектометрическая система измерения волнового сопротивления микрополосковых линий и дифференциальных пар для тестирования и дефектоскопии печатных плат – ИРС-35.

Первая миля #5/2015
С.Глаголев, В.Рудницкий, В.Сумкин, А.Салтыков
Особенности рефлектометрии абонентского участка сети PON

Рассматриваются особенности рефлектометрических измерений в пассивных оптических сетях (PON), обусловленные включением сплиттера и многообразием схем организации абонентских участков

Первая миля #2/2014
А.Васильев
iOLM – революция в рефлектометрическом анализе ВОЛС

Благодаря бурному развитию волоконной связи, рефлектометр стал одним из самых распространённых оптических измерительных приборов. В то же время – и одним из самых сложных в использовании. Технология Link-Aware от компании EXFO, реализованная в системе iOLM, перекладывает трудности выбора параметров измерения и анализа результатов с человека на рефлектометр.