Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "память"

Электроника НТБ #1/2022
С. Аряшев, С. Власов, П. Зубковский, С. Сидоров
МИКРОКОНТРОЛЛЕР «КОМДИВ-МК»

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.212.1.118.120 Рассмотрен микроконтроллер «Комдив-МК», выпущенный ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН. Он обладает пониженным энергопотреблением и предназначен в основном для использования в устройствах промышленного Интернета вещей. Приведена информация о структуре, характеристиках и возможных применениях данного микроконтроллера.

Электроника НТБ #10/2021
И. Тарасов
АРХИТЕКТУРА И ОБЛАСТИ ПРИМЕНЕНИЯ ПЛИС XILINX VERSAL

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.136.140 Рассмотрены ПЛИС Xilinx Versal. Отмечено, что их особенностью является добавление на кристалл матрицы процессоров с архитектурой VLIW. Приведена информация об архитектуре, характеристиках и областях применения ПЛИС Xilinx Versal.

Наноиндустрия #9/2018
Гончаренко Максим Викторович, Кульгов Алексей Владимирович, Смирнов Сергей Евгеньевич
Оборудование перспективных сетей связи

В данной работе исследуются вопросы построения гибридной программно-конфигурируемой сети федерального уровня, оценивается необходимый функционал телекоммуникационного оборудования и потребность в элементной базе. УДК 621.391; 004.7 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.90.91

Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь
МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ

Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки".