sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
Статьи
Наноиндустрия спецвыпуск/2025
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК MoSi2, СФОРМИРОВАННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ МЭМС ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Наноиндустрия #7-8/2025
Годовое содержание
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
25.11.2025
Новый российский прибор для измерения концентрации и размера наночастиц в жидкости — NP Counter
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
Санкт-Петербургский международный экологический форум «Экология большого города»
c 07.04.2026 до 09.04.2026
IPhEB 2026. г. Санкт- Петербург
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
Медиаданные:
О журнале
О публикациях
Предметная область и рубрикатор
Редакционная коллегия
Редакционный совет
Распространение
Учредитель
Издатель
План издания
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Редакционная политика журнала "НАНОИНДУСТРИЯ"
Реклама:
В журнале
На сайте
Отдел рекламы
Авторам:
Стратегия оформления
Наукометрия
Соискателям учёной степени
Требования к статьям и рецензирование
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Соцсети
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по нанотехнологиям
читать книгу
Гамбург Ю. Д.
Гальванические покрытия. Справочник по применению
читать книгу
Под ред. Бхушана Б.
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в 3-х томах), том 1
читать книгу
Красников Г.
Конструктивные особенности субмикронных МОП-транзисторов (в 2-х томах)
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "defectiveness"
Наноиндустрия #9/2018
Слепцов Евгений Васильевич, Черных Алексей Владимирович, Черных Сергей Владимирович, Слепцова Анастасия Алексеевна, Кондратьев Евгений Сергеевич, Гладышева Надежда Борисовна, Дорофеев Алексей Анатольевич, Диденко Сергей Иванович
Исследование барьеров Шоттки на основе Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к AlGaN/GaN гетероструктурам
В настоящей работе проведено исследование влияния отжига в диапазоне температур от 300 до 650 °C на параметры барьера Шоттки и тока утечки контактов Шоттки Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN. УДК 621.382.032.27 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.264.265
Наноиндустрия #9/2018
Сивченко Александр Сергеевич, Кузнецов Евгений Васильевич
Определение основных параметров надежности КМОП процесса полупроводниковой фабрики
В данной работе предложен подход по оценке надежности технологии КМОП ИС. Для этого разработаны методики исследований, автоматизированные программы измерений на их основе и тестовые структуры. Данные методики позволяют проводить исследования по оценке качества подзатворного диэлектрика МОП транзисторов, их стойкости к воздействию горячих носителей и изменению параметров под воздействием высокой температуры при отрицательном напряжении, а также определять надежность шин металлизации и переходных окон к электромиграции. Разработанные методики прошли апробацию на тестовых структурах, изготовленных по технологии 65 нм. Предложенный подход может быть использован на фабриках по производству КМОП ИС для контроля качества технологических процессов, от которых зависят основные характеристики надежности КМОП ИС, а также дизайн-центрами для оценки надежности технологии полупроводниковой фабрики. УДК 621.3.049 .77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.257.263
Фотоника #6/2015
К.Базалеева, О.Ховова, Е.Цветкова, П.Лукьянов
Изучение структурной стабильности аустенитной стали, полученной методом селективного лазерного плавления
Установлено по уровню удельного электросопротивления, что дефектность решетки стали, полученной методом селективного лазерного плавления (СЛП), на 15% выше, чем дефектность стали того же состава, но полученной стандартной закалкой в воде. Оценена структурная стабильность стали аустенитного класса 03Х16Н15М3, полученной СЛП. Обнаружено расхождение температурных зависимостей с ростом температуры для стали после СЛП и закаленного состояния. Дано объяснение этому эффекту как протекание рекристаллизационных процессов в стали, полученной СЛП-методом, которые в целом завершаются при нагреве до 1100К.
Разработка: студия
Green Art