Электроника НТБ #2/2023
А. Махаринец, Л. Милешко
ЭЛЕКТРОЛИТИЧЕСКОЕ АНОДИРОВАНИЕ КРЕМНИЯ, КАРБИДА И НИТРИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ ЦЕЛЕЙ НАНОТЕХНОЛОГИИ (ОБЗОР) DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.88.90 Представлен анализ технологий формирования нанометровых анодных оксидных пленок (АОП) методом электролитического анодирования кремния, карбида и нитрида кремния. Приведены примеры использования таких технологий в микро- и наноэлектронике. Аналитика #3/2021
А. А. Семенов, А. В. Лизунов, А. В. Глебов, Ф. В. Макаров, Л. А. Карпюк
Перспективы использования нитрида кремния, модифицированного изотопом азот-15 высокого обогащения, при изготовлении оболочек ТВЭЛов DOI: 10.22184/2227-572X.2021.11.3.208.217 Рассмотрены свой­ства керамик на основе нитрида кремния и композитов на основе нитрида и карбида кремния. Отмечена важность создания новых материалов для оболочек тепловыделяющих элементов (ТВЭЛ) вместо циркониевых сплавов, которые могут вступать в реакцию с парами воды, создавая взрыво­опасные смеси на основе водорода. Приведен опыт АО «ВНИИНМ» по созданию новых материалов на основе карбида кремния для изготовления оболочек ТВЭЛов и показана возможность использования для этой цели смешанных композитов на основе карбида и нитрида кремния, модифицированного обогащенным изотопом азот-15. Рассмотрены перспективы создания крупномасштабного производства азота-15 для атомной энергетики как компонента смешанного нитридного уран-плутониевого топлива и возможность его использования при изготовлении оболочек ТВЭЛов из SiC / Si3N4 композита. Наноиндустрия #7-8/2018
А.Афанасьев, В.Ильин, В.Лучинин, А.Михайлов
Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния Рассмотрены особенности применения и возможности газофазной эпитаксии в технологии изготовления силовых вертикальных МДП-транзисторов на основе 4H–SiC при формировании дрейфовой области прибора и оптимизации электрофизических свойств канала транзистора. С технологической точки зрения ключевыми элементами для создания карбидокремниевых компонент силовой электроники, определившими возможность создания электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники на 4H–SiC, являются технологии объемного и эпитаксиального роста. Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497 Электроника НТБ #7/2018
Н. Брюхно, В. Громов, И. Куфтов, М. Степанов, А. Фроликова
Отечественные карбидокремниевые диоды Шоттки на токи до 10 А и напряжения 1 200 В В ЗАО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ» в г. Брянске выпускаются карбидокремниевые диоды Шоттки на коммутируемые токи 2, 5, 10 А и напряжения 1 200 В. Рассмотрены особенности конструкции, технологии. Приведены основные параметры карбидокремниевых диодов Шоттки в диапазоне температур от –60 до 125 °С. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.178.7.80.82 УДК 621.382.2 | ВАК 05.27.00 Наноиндустрия #8/2017
А.Афанасьев, В.Вьюгинов, Н.Гладков, А.Зыбин, В.Ильин, В.Клевцов, В.Кутузов, В.Лучинин, В.Попов
Импортозамещение карбидокремниевой ЭКБ. Стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" В рамках решения задачи импортозамещения с целью обеспечения технологической независимости и безопасности государства реализовано стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" в области организации отечественного технологического маршрута изготовления ЭКБ на основе карбида кремния. УДК 621.382, ВАК 05.27.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.79.8.50.59 Наноиндустрия #3/2017
Ф.Макаров, А.Пономаренко, Р.Захаров, И.Дзюбинский, С.Иванов, А.Глебов, М.Лебедев
Создание труб-оболочек твэлов из композиционных материалов на основе карбида кремния Авария на АЭС в Фукусиме в 2011 году показала особую опасность паро-циркониевой реакции, возникающей при повышении температуры оболочек твэлов из-за потери теплоносителя. В связи с этим особую актуальность приобрели программы по разработке новых материалов твэлов, устойчивых к авариям такого рода и способных существенно повысить безопасность атомных реакторов. УДК 621.039.548, ВАК 05.14.03, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.73.3.60.67 Электроника НТБ #8/2016
М.Червинский
Мощные светодиоды компании CREE: особенности технологии Представлены новые серии мощных светодиодов XLamp: XHP35, XHP50, XHP70 и XP-G3. Описываются особенности технологии SC5. Наноиндустрия #4/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек. DOI:10.22184/1993-8578.2016.66.4.40.50 Наноиндустрия #3/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Разработка в Ленинградском электротехническом институте метода выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) является международно-признанным научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC) во всемирной практике. Применение карбида кремния в создании приборов оптоэлектроники, СВЧ-электроники и, безусловно, силовой электроники определяется экстремальными характеристиками данного широкозонного полупроводника по теплопроводности, критической напряженности электрического поля и дрейфовой скорости носителей заряда, устойчивости к воздействию высоких температур, химически агрессивных сред и радиации. DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89 Электроника НТБ #1/2016
М.Черных
Выбор конструктивно-технологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе карбида кремния Рассмотрены ключевые факторы, определяющие выбор конструктивно-технологических параметров мощных СВЧ MESFET-транзисторов на основе SiC. Выполнена оценка влияния этих параметров на величину паразитных емкостей MESFET-транзисторов.