Наноиндустрия #2/2018
В.Лучинин
Национальные технологические приоритеты. Алмазная экстремальная электроника
В отличие от других технологических вызовов, российская материаловедческая база обеспечила в настоящее время возможность формирования полностью отечественного инновационного технологического маршрута производства алмазной электроники с ранее недостижимыми энерго-частотными характеристиками, температурными и радиационными условиями эксплуатации. Это стало возможным благодаря постановке в России технологии выращивания крупных синтетических монокристаллов алмаза и разработке процессов получения легированных эпитаксиальных алмазных слоев, в том числе нанослоевых композиций. УДК 621.382, ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.81.2.156.169
Наноиндустрия #8/2017
А.Афанасьев, В.Вьюгинов, Н.Гладков, А.Зыбин, В.Ильин, В.Клевцов, В.Кутузов, В.Лучинин, В.Попов
Импортозамещение карбидокремниевой ЭКБ. Стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана"
В рамках решения задачи импортозамещения с целью обеспечения технологической независимости и безопасности государства реализовано стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" в области организации отечественного технологического маршрута изготовления ЭКБ на основе карбида кремния. УДК 621.382, ВАК 05.27.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.79.8.50.59
Наноиндустрия #4/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек. DOI:10.22184/1993-8578.2016.66.4.40.50
Наноиндустрия #3/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Разработка в Ленинградском электротехническом институте метода выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) является международно-признанным научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC) во всемирной практике. Применение карбида кремния в создании приборов оптоэлектроники, СВЧ-электроники и, безусловно, силовой электроники определяется экстремальными характеристиками данного широкозонного полупроводника по теплопроводности, критической напряженности электрического поля и дрейфовой скорости носителей заряда, устойчивости к воздействию высоких температур, химически агрессивных сред и радиации. DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89