sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
Статьи
Наноиндустрия спецвыпуск/2025
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК MoSi2, СФОРМИРОВАННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ МЭМС ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Наноиндустрия #7-8/2025
Годовое содержание
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
25.11.2025
Новый российский прибор для измерения концентрации и размера наночастиц в жидкости — NP Counter
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
Санкт-Петербургский международный экологический форум «Экология большого города»
c 07.04.2026 до 09.04.2026
IPhEB 2026. г. Санкт- Петербург
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
Медиаданные:
О журнале
О публикациях
Предметная область и рубрикатор
Редакционная коллегия
Редакционный совет
Распространение
Учредитель
Издатель
План издания
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Редакционная политика журнала "НАНОИНДУСТРИЯ"
Реклама:
В журнале
На сайте
Отдел рекламы
Авторам:
Стратегия оформления
Наукометрия
Соискателям учёной степени
Требования к статьям и рецензирование
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Соцсети
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по нанотехнологиям
читать книгу
Берлин Е.В., Сейдман Л.А.
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
читать книгу
Под ред. Бхушана Б.
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в 3-х томах), том 1
читать книгу
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "photolithography"
Электроника НТБ #6/2023
А. Шишарин
РАЗРАБАТЫВАЕМЫЙ АО «АНГСТРЕМ» 32 РАЗРЯДНЫЙ УНИВЕРСАЛЬНЫЙ МИКРОКОНТРОЛЛЕР «ТРАССА 1П»: ХАРАКТЕРИСТИКИ И ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.227.6.56.59 Рассмотрен 32 разрядный универсальный микроконтроллер «Трасса 1П», разрабатываемый АО «Ангстрем». Приведена информация о характеристиках и перспективах развития данного микроконтроллера. Ключевые слова: микроконтроллер, память, интерфейс
Электроника НТБ #2/2023
Е. Панкратова, Ш. Шугаепов, Е. Ермолаев, В. Егошин
ПРИМЕНЕНИЕ ФОТОЛИТОГРАФИИ ДЛЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ КОМПЛЕКТУЮЩИХ В АО «ЗПП»
DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.68.70 Рассмотрено применение фотолитографии в АО «Завод полупроводниковых приборов» (АО «ЗПП») для изготовления различных металлических комплектующих. Приведены примеры изделий, изготовленных с использованием данной технологии.
Наноиндустрия #9/2018
Аваков Сергей Мирзоевич, Плебанович Владимир Иванович
Безмасковая литография
Наряду с массовым производством все чаще возникает потребность в индивидуальном подходе при производстве интегральных микросхем (ИМС). Десятилетиями складывающаяся технология производства ИМС не подразумевает индивидуального производства. Наличие фотошаблона (маски) подразумевает многократное повторение одного и того же изделия. Появление многолучевых сканирующих генераторов изображений позволило серьезно подойти к освоению технологии безмасочной литографии. УДК 621.38, ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.200.202
Электроника НТБ #4/2017
В.Плебанович, С.Воронин
Комплект оборудования ОАО "КБТЭМ-ОМО" для проекционной субмикронной литографии
Фотолитография – ключевая операция в микроэлектронике, производстве МЭМС, микроэлектрооптических систем, прецизионных СВЧ печатных плат. Точное соответствие изготавливаемой конструкции расчетам конструктора – залог высокого качества, воспроизводимости параметров и достижения предельных возможностей технологии. Специалисты ОАО "КБТЭМ-ОМО" представляют комплект оборудования для проекционной субмикронной литографии. УДК 621.38 ВАК 05.27.06 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.164.4.62.69
Фотоника #2/2017
Ю.С.Боброва, М.Андроник, Б.Б.Самадов, Д.А.Даниленко
Особенности нанесения жидких фотополимеров при формировании планарных оптических волноводов
Рассмотрены способы нанесения полимерных слоев для формирования планарных оптических волноводов, интегрированных в оптоэлектронные модули. Даны рекомендации по планаризации полимерных слоев, наносимых на заготовки с рельефом высотой до нескольких десятков микрометров. DOI: 10.22184/1993-7296.2017.62.2.34.41
Наноиндустрия #8/2016
А.Кузнецов, К.Пучнин, В.Грудцов
Методы создания химических рисунков на поверхности
Рассмотрены масочные и безмасочные методы функционализации для формирования рисунков на поверхностях различных материалов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.70.8.110.117
Электроника НТБ #3/2011
Г.Трапашко
Контроль микроразмеров при производстве ИС. Задачи и особенности
Фотолитография – ключевой технологический процесс в производстве полупроводниковых приборов и микросхем. Суть процесса заключается в переносе оригинала топологии интегральной схемы на поверхность полупроводниковой пластины. Характеристики микросхем зависят от точности изготовления их минимальных элементов. Задача фотолитографии – обеспечить качественное формирование этих элементов на всем поле кремниевой пластины с соблюдением допускаемых отклонений размеров элементов и их расположения относительно нижележащих структур, сформированных в предыдущем цикле.
Разработка: студия
Green Art