Электроника НТБ #10/2019
В. Жалнин, А. Трифонов, Т. Цивинская
Выбор технологии для корпусирования радиационно-стойкой мемристорной памяти На основе анализа факторов, определяющих механическую прочность и радиационную стойкость мемристорных структур, показана целесообразность выбора технологии LTCC для создания микросборки модуля системы хранения данных. Описана конструкция микросборки и некоторые особенности материалов и технологических процессов, влияющие на радиационную стойкость. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.191.10.124.128 Электроника НТБ #6/2019
П. Гребенщиков
Выявление контрафактной продукции в области микроэлектроники Объем контрафакта в микроэлектронной промышленности постоянно растет, из-за чего производители электроники теряют десятки миллиардов долларов ежегодно. В статье рассмотрены виды контрафактной продукции и основные методы ее обнаружения. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.172.174 Электроника НТБ #10/2017
О.Кошовец, Н.Ганичев
Ускоренное развитие микроэлектроники и ИКТ и четвертая промышленная революция В статье анализируются последние данные о глобальном технологическом развитии и инвестициях в НИОКР в контексте назревающей "цифровой революции". Демонстрируется, что микроэлектроника и ИКТ продолжают оставаться приоритетным направлением технологического развития для большинства развитых стран и корпораций. Обосновы¬вается гипотеза о том, что концепция "четвертой промышленной революции" имеет целью дальнейшую коммерциализацию уже имеющихся ИКТ путем создания для них принципиально новых массовых рынков и формирования механизма, обеспечивающего транснациональным корпорациям в сфере ИКТ постоянное поддержание монопольного положения на рынке и получения "технологической ренты". УДК 004.3:330.3 ВАК 05.13.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.171.10.140.145 Электроника НТБ #10/2017
И.Фролов
Глобальные проекты развития электроники и инфокоммуникационных технологий: угроза и новые возможности развития российской экономики В статье рассматривается актуальность вопросов, раскрытых в статье "Ускоренное развитие микроэлектроники и ИКТ и четвертая промышленная революция" О.Б.Кошовец и Н.А.Ганичева, на основе анализа поведения мировой экономики в последние годы, тех концепций и идей, которые рассматриваются в качестве возможных источников новых механизмов экономического роста, и угроз и возможностей, которые они несут для России. УДК 004.3:330.3 ВАК 05.13.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.171.10.136.138 Печатный монтаж #3/2017
С.Гладких, А.Степанов, С.Антипина
Теплопроводящие электроизоляционные клеи для сборки изделий микроэлектроники В статье представлены результаты механических и термомеханических испытаний разработанного в ОАО "Композит" теплопроводящего одноупаковочного клея ОТПК, предназначенного для микросборки элементов электрорадиоизделий и имеющего существенные преимущества перед широко применяемым для этих целей клеем ВК-26М. DOI: 10.22184/1992-4178.2017.163.3.182.187 УДК 666.968.9 ВАК 05.27.06 Наноиндустрия #4/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек. DOI:10.22184/1993-8578.2016.66.4.40.50 Наноиндустрия #3/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ" Разработка в Ленинградском электротехническом институте метода выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) является международно-признанным научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC) во всемирной практике. Применение карбида кремния в создании приборов оптоэлектроники, СВЧ-электроники и, безусловно, силовой электроники определяется экстремальными характеристиками данного широкозонного полупроводника по теплопроводности, критической напряженности электрического поля и дрейфовой скорости носителей заряда, устойчивости к воздействию высоких температур, химически агрессивных сред и радиации. DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89 Печатный монтаж #3/2016
С.Гладких, А.Шестаков, Т.Древаль, Д.Патин, А.Савкин
Токопроводящие клеи для монтажа электроники космического назначения Применение токопроводящих клеев взамен пайки является перспективной технологией для операций монтажа элементов в изделиях микроэлектроники. В статье приведены номенклатура и характеристики современных токопроводящих клеев, разработанных в ОАО "Композит". Наноиндустрия #6/2015
В.Вернер, Е.Кузнецов, А.Сауров
Закону Мура 50 лет: завершение или изменение? В третьей части статьи анализируется восприятие отраслевым сообществом закона Мура в прошлом, настоящем и будущем. DOI:10.22184/1993-8578.2015.60.6.50.62 Электроника НТБ #9/2014
В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм.