НИИ точного машиностроения (НИИТМ) основан в 1962 году. Входит в бизнес-направление "Микроэлектронные решения" ОАО "СИТРОНИКС". Предприятие специализируется на разработке вакуумного оборудования для нанесения тонких пленок, плазмохимического травления, ионной имплантации приповерхностных слоев, стимулированного плазмой газофазного осаждения, (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition – PE CVD), а также физико-термического оборудования для осуществления процессов диффузии, окисления и восстановления, газофазного осаждения, отжига, в том числе быстрого термического.
НИИ точного машиностроения (НИИТМ) основан в 1962 году. Входит в бизнес-направление "Микроэлектронные решения" ОАО "СИТРОНИКС". Предприятие специализируется на разработке вакуумного оборудования для нанесения тонких пленок, плазмохимического травления, ионной имплантации приповерхностных слоев, стимулированного плазмой газофазного осаждения, (Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition – PE CVD), а также физико-термического оборудования для осуществления процессов диффузии, окисления и восстановления, газофазного осаждения, отжига, в том числе быстрого термического.
Предприятие разрабатывает, изготавливает и модернизирует экспериментальное, опытно-промышленное и специальное технологическое оборудование (СТО) для производства изделий электроники и микроэлектроники. Приоритетным направлением являются разработки оборудования для реализации технологических процессов, применяемых в наноэлектронике, микромеханике, при синтезе наноматериалов. В числе разработок, предназначенных для решения вышеназванных задач: Вакуумная установка для осаждения пленок и нанотрубок из газовой фазы в реакторе с плазменной активацией "Алмаз ТМ–001" Универсальная PECVD установка предназначена для реализации широкого спектра нанотехнологических процессов на пластинах диаметром до 100 мм. Позволяет осуществлять: низкотемпературное выращивание ориентированных углеродных нанотрубок (УТН) и нановолокон контролируемой толщины и длины; осаждение поликристаллических алмазных и алмазоподобных пленок (включая легированные) на кремниевые, сапфировые, поликоровые и другие подложки;
осаждение широкого круга материалов для экстремальной электроники. Установка содержит: реактор металлический водоохлаждаемый с кварцевой футеровкой и шлюзовой загрузкой; графитовый подложкодержатель с нагревом до 950°С; вакуумную систему с форвакуумными и турбомолекулярным насосами; семиканальную газовую систему; СВЧ- и ВЧ-генераторы, источник ПТ; двухконтурную систему гидроохлаждения и систему воздушного охлаждения; двухуровневую систему безопасности. Особенности установки: использование оригинального СВЧ (2,45 ГГц) плазмохимического реактора с несколькими зонами разрядов в комбинации с ICP (частота 13,56 МГц) и DC источниками позволяет проводить технологические процессы в широком диапазоне рабочих давлений более чем в десяти режимах возбуждения плазмы; высокий уровень автоматизации комплекса обеспечивает прецизионное регулирование параметров процесса; построение по модульному принципу позволяет выбрать конфигурацию, оптимальную для решаемых задач. Лабораторно-исследовательская вакуумная установка "ВУ ТМ–001" Установка со съемными рабочими камерами (реакторами) различного технологического характера предназначена для исследований и отработки технологических процессов микроэлектроники и нанотехнологий. Установка включает: технологический базовый модуль, оснащенный: - вакуумной системой с высоковакуумным и форвакуумным насосом; - средствами измерения вакуума (вакуумметры); - блоком управления вакуумной системой; - газовой системой из двух линеек для подачи в рабочую камеру инертного и реактивных газов. съемные рабочие камеры с источниками питания: - камеру с магнетронной системой нанесения тонких пленок, содержащую магнетронное распылительное устройство с мишенью диаметром 75 мм, соединенное с источником питания мощностью до 3 кВА. (На подложку диаметром 70 мм подается напряжение смещения); - камеру с дуговым источником нанесения пленок, выполненную аналогично камере с магнетронной системой; - камеру с плазмохимической системой травления (ПХТ) материалов и пленок, содержащую высокочастотный источник плазмы мощностью до 1 кВА и охлаждаемый столик с прижимом пластины, на который подается напряжение смещения; - камеру с плазмохимической системой (ПХ) осаждения пленок из газовой фазы, выполненную аналогично камере с ПХТ. (Нагрев столика возможен до 600°С). В установке использована импортная элементная база (высоковакуумные и форвакуумные насосы, клапаны, затворы, другие узлы и элементы). В соответствии с требованиями Заказчика установка может быть оснащена дополнительными системами и элементами. Электропечь для обработки наноматериалов в газовой среде "Отжиг ТМ-004" Электропечь встраивается в чистую комнату. Обеспечивает газотермическую обработку нанопорошков в среде рабочего газа при нормальном (атмосферном) давлении. Установка оснащена: однореакторной трехсекционной электропечью горизонтального типа с двумя газовыми магистралями; двухканальной газовой системой с электронными регуляторами расхода газа, регуляторами давления и фильтрами тонкой очистки; микропроцессорной системой управления. Технические характеристики Режим работы полуавтоматический Внутренний диаметр реактора 80 мм Диапазон рабочих температур 300–1000°С Рабочая зона с погрешностью распределения температуры не хуже +2°С не менее 180 мм Нестабильность поддержания температуры по опорной точке в рабочей зоне не более 1,5°С Время разогрева до максимальной рабочей температуры не более 20 мин Особенности конструкции позволяют: управлять скоростью разогрева и охлаждения реактора; программировать параметры термообработки (с возможностью запрета перепрограммирования параметров). Универсальный вакуумный базовый модуль "Модуль УВБ – 200" (в стадии разработки) Предназначен для создания вакуумного оборудования на основе собственных реакторов Заказчика для реализации различных технологических процессов микроэлектроники и нанотехнологий. Модуль включает: прогреваемую (охлаждаемую) загрузочную камеру; шлюзовую систему загрузки-выгрузки подложек с вакуумным затвором; турбомолекулярный высоковакуумный насос*; форвакуумный насос рабочей магистрали*; форвакуумный насос шлюзовой камеры; регулируемые дроссельные заслонки высоковакуумной и форвакуумной магистралей*; элементы гидравлической и пневматической систем охлаждения; элементы охлаждения (чиллер) и термостатирования (термостат)*; вакуумные датчики; вакуумные клапаны – Ду40, Ду25, Ду16*; электрокоммутационную панель. Модуль обеспечивает: обработку подложек диаметром до 200 мм; откачку загрузочной камеры до предельного разрежения 1•10-6 мм.рт.ст.; поддержание заданного рабочего давления в загрузочной камере в диапазоне 1,0–10-2 мм.рт.ст.; откачку камеры шлюзования до остаточного давления 5•10-2 мм.рт.ст.; измерение предельного разрежения и рабочего давления в камере загрузки, а так же остаточного давления в камере шлюзования; натекание газа в загрузочную камеру и камеру шлюзования; защиту датчиков давления от воздействия агрессивных сред. Серия "НАНО-ТМ" Вакуумная установка плазмохимического осаждения наноструктур "НаноАЛМАЗ" Установка встраивается в чистую комнату и позволяет производить осаждение материалов из газовой фазы с плазменной активацией для формирования пленочных структур и УНТ. Установка оснащена: рабочей камерой с реактором ВЧ- или СВЧ-плазмы для осаждения пленок на подложки диаметром до 150 мм; шлюзовой системой поштучной загрузки-выгрузки подложек; рабочим столом с нагревателем до 1000°С и подачей напряжения смещения на подложку; многоканальной (2–6 каналов) газовой системой; безмасляной системой откачки; микропроцессорной системой управления. Особенности конструкции позволяют проводить осаждение пленок SiO2, Si3N4, Si, SiC, алмазных пленок, УНТ с неравномерностью осаждения пленок ±2%. Вакуумная установка магнетронного нанесения каталитических слоев наноструктур "НаноМАГНА" Предназначена для нанесения металлических (магнитных и немагнитных) пленок с целью формирования каталитических слоев наноструктур (Fe, Ni, Co и др.). Скорость нанесения: металлических пленок – до 0,5 мкм/мин; диэлектрических пленок – до 0,2 мкм/мин. Неравномерность пленок по толщине ±1,5%. Установка встраивается в чистую комнату и оснащена: рабочей камерой с магнетронным распылительным устройством для осаждения пленок на подложки диаметром до 150 мм; шлюзовой системой поштучной загрузки-выгрузки подложек; планарным магнетронным распылительным устройством (МРУ) с источником питания на постоянном токе и ВЧ-питания с дисковой мишенью 280 мм или мультикатодным МРУ с тремя мишенями диаметром 100 мм для нанесения многослойных или многокомпонентных пленок заданного состава; безмасляной системой откачки; микропроцессорной системой управления. Вакуумная установка ионно-плазменного травления наноструктур "НаноПЛАЗМА" Установка встраивается в чистую комнату и предназначена для реактивно-ионного травления проводящих и диэлектрических материалов с целью формирования наноструктур и микроэлектронных механических систем (МЭМС). Установка оснащена: рабочей камерой с ВЧ-реактором для травления подложек диаметром до 150 мм; шлюзовой системой поштучной загрузки-выгрузки подложек; химически стойкими средствами откачки и измерения вакуума: -турбомолекулярным и форвакуумным насосами, вакуумметрами – баротронами; гелиевым охлаждением подложек на рабочем столе; многоканальной (2–6) газовой системой; микропроцессорной системой управления. Установка обеспечивает: скорость анизотропного травления: - кремния (1–3) мкм/мин; - двуокиси кремния, кварца, стекла "пирекс" (0,5–1) мкм/мин; неравномерность травления + 2%; аспектное соотношение 1/10–1/30. Институт заинтересован в партнерах для совместных разработок новых технологий, реакторов и конкурентоспособных технологических установок.