sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
Статьи
Наноиндустрия спецвыпуск/2025
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК MoSi2, СФОРМИРОВАННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ МЭМС ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Наноиндустрия #7-8/2025
Годовое содержание
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
25.11.2025
Новый российский прибор для измерения концентрации и размера наночастиц в жидкости — NP Counter
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
Санкт-Петербургский международный экологический форум «Экология большого города»
c 07.04.2026 до 09.04.2026
IPhEB 2026. г. Санкт- Петербург
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
Медиаданные:
О журнале
О публикациях
Предметная область и рубрикатор
Редакционная коллегия
Редакционный совет
Распространение
Учредитель
Издатель
План издания
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Редакционная политика журнала "НАНОИНДУСТРИЯ"
Реклама:
В журнале
На сайте
Отдел рекламы
Авторам:
Стратегия оформления
Наукометрия
Соискателям учёной степени
Требования к статьям и рецензирование
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Соцсети
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по нанотехнологиям
читать книгу
Солопова Е.А., Курынцев С.В.
Технологическая подготовка производства: Учебное пособие
читать книгу
Родунер Э.
Размерные эффекты в наноматериалах
читать книгу
Под редакцией Мартина Д.В.
Краткая энциклопедия по структуре материалов
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "sige"
Наноиндустрия #9/2018
Филиппов Иван Федорович, Поморев Андрей Сергеевич, Харитонов Семен Алексеевич, Дученко Николай Владимирович, Ветров Игорь Леонидович, Вертегел Валерий Викторович, Гимпилевич Юрий Борисович
Разработка и исследование SiGe интегральных формирователей квадратурных сигналов L- и S-диапазонов
Современную приемопередающую аппаратуру L-, S-, C-диапазонов строят с применением квадратурной обработки сигналов, реализуемой на основе интегральных схем формирователей квадратурных сигналов (ФКС). В работе представлен обзор типов, методов расчета и характеристик интегральных ФКС, широко применяемых при построении сложнофункциональных блоков приемопередающих устройств. Показана возможность улучшения характеристик ФКС, разработанных на основе недорогой SiGe БиКМОП технологии. Представлены результаты разработки и моделирования характеристик принципиальных схем, топологий формирователей квадратурных сигналов на основе LC-, RC-цепей, триггеров диапазона 1–4 ГГц. УДК 621.3.049.774.3 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.488.497
Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Ефимов Андрей Геннадиевич
Проектирование SiGe СВЧ-устройства управления для приемно-передающего модуля
Представлена структура устройства управления фазой и амплитудой сигнала для СВЧ приемно-передающих модулей. Рассмотрены методы формирования фазовой задержки. Проведена оригинальная разработка дифференциальной схемы управления фазовой задержки и амплитуды на основе биполярных транзисторов с кремний-германиевой базой. Схемные решения для осуществления фазовой задержки основаны на использовании фильтров высокой и низкой частоты. Усиление блока управления задержкой составляет 1,5 дБ. Глубина управления амплитудой 24 дБ. Выходная линейная мощность устройства равна 5 дБм. Полный потребляемый ток составляет 158 мА при питании 5 В. УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.486.487
Разработка: студия
Green Art