Станкоинструмент #2/2025
А. П. Кузнецов, О. С. Сухарев
Достигнутый уровень технологической независимости: проблемы и решения DOI: 10.22184/2499-9407.2025.39.2.52.64 В статье с критических позиций рассматривается методика оценки достигнутого уровня технологической независимости, обобщаются ее основные недостатки и предлагается вариант их преодоления. В качестве методологии используется теория измерений и технологического развития, авторские подходы в области «экономики технологий» как нового научного направления, включающие типизацию, учет и измерение технологического потенциала и суверенитета. Предлагается алгоритм, существенно видоизменяющий утвержденную методику Минпромторга России и улучшающую ее в аспекте повышения правдоподобия оценки технологической независимости (суверенитета). Станкоинструмент #3/2024
О. С. Сухарев
Измерение технологического развития: проблемы и способы их преодоления DOI: 10.22184/2499-9407.2024.36.3.26.32 Статья посвящена рассмотрению измерительных проблем технологического развития, возникающих в современной экономической науке, имеющей трудности в рассмотрении технологичности хозяйственных систем, определении уровня технологического развития, вызванных сложностью агрегирования этого уровня и техническими ограничениями сравнительного анализа, если измерять по каждому отдельному направлению или объекту. Электроника НТБ #6/2024
М. Макушин
АСПЕКТЫ РАЗВИТИЯ 6G-СЕТЕЙ. ЧАСТЬ 2 DOI: 10.22184/1992-4178.2024.237.6.116.128 В статье рассмотрены вопросы архитектуры и основных технологий, требующихся для развертывания 6G-сетей, и проблемы их реализации. Приводятся маршрутная карта развития 6G-сетей, составленная специалистами ЕС и США, а также примеры различных разработок для 6G-сетей. Электроника НТБ #5/2024
М. Макушин
АСПЕКТЫ РАЗВИТИЯ 6G-СЕТЕЙ DOI: 10.22184/1992-4178.2024.236.5.122.131 В статье рассмотрены вопросы архитектуры и основных технологий, требующихся для развертывания 6G-сетей, и проблемы их реализации. Приводятся маршрутная карта развития 6G-сетей, составленная специалистами ЕС и США, а также примеры различных разработок для 6G-сетей. Электроника НТБ #2/2022
В. Иванов
ПЕРСПЕКТИВЫ И ВОЗМОЖНОСТИ ПРОИЗВОДСТВА микроLED-ДИСПЛЕЕВ DOI: 10.22184/1992-4178.2022.213.2.106.113 Рассмотрен ряд технологических разработок для производства микроLED-дисплеев. Ожидается, что полноценная коммерциализация микроLED-дисплеев может стать реальностью в ближайшие годы. Наноиндустрия #5/2020
Д.Г.Мустафаева
Анализ и исследование материаловедческих и технологических факторов при создании пленочных преобразователей DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.5.304.307 Проведены анализ и исследование материаловедческих и технологических факторов при создании пленочных преобразователей, определены требования к материалам и их свойствам, технологии формирования элементов преобразователя. Показано, что учет материаловедческих и технологических факторов обеспечивает соответствие параметров изделия требуемым, устойчивость к внешним факторам, получение пленок исходного состава и стабильность технологии производства. Наноиндустрия #2/2020
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Формирование контактно-металлизационных систем с улучшенными технологическими параметрами DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.122.125 Показаны технологические подходы, улучшающие адгезию металлизации, уменьшающие структурные напряжения в пленке при осаждении и электромиграцию при формировании контактно-металлизационных систем элементов ИЭ. Наноиндустрия #2/2020
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Элементно-технологическая и конструктивная интеграции при создании микроэлектронных приборных структур DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.2.108.112 При изготовлении микроэлектронных приборных структур (МПС) с субмикронными размерами усиливается связь между их параметрами и технологией изготовления. Физико-технологическое моделирование позволяет прогнозировать характеристики МПС и устанавливать корреляции технологических и электрических параметров элементов, оптимально их проектировать. Наноиндустрия #6/2019
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Формирование многоуровневой системы межсоединений и повышение воспроизводимости процесса при создании элементов интегральной электроники DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.6.338.341 Показано формирование многоуровневой системы межсоединений (МСМ) в элементах интегральной электроники, определены влияющие факторы, пути снижения внутренних напряжений и обеспечение адгезии. Показано, что МСМ обеспечивает создание надежных и стабильных элементов и воспроизводимость получения МСМ. Наноиндустрия #5/2019
М.Г.Мустафаев, Д.Г.Мустафаева, Г.А.Мустафаев
Воспроизводимость и стабильность технологии и параметров структур микроэлектронных приборов DOI: 10.22184/1993-8578.2019.12.5.256.259 Рассмотрены технологические подходы, обеспечивающие достижение заданного уровня точности и стабильности технологических операций, формирование приборных структур с заданными параметрами и приборов на их основе.