Современные микросхемы, в силу масштабирования технологических размеров, уменьшения напряжения питания и внутренних емкостей, становятся все более чувствительными к воздействию ТЗЧ. Традиционные специализированные ячейки, устойчивые к воздействию ТЗЧ, теряют свое преимущество вследствие воздействия тяжелых частиц на несколько чувствительных областей. В данной работе представлен разработанный набор радиационно-стойких D триггеров с сигналами сброса, установки и без них на основе DICE элемента в технологическом базисе КНИ 200 нм.

УДК 621.382+621.396.6
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.418.423

sitemap