eng
Выпуск #1/2023
К.А.Царик, О.Б.Чуканова, Е.А.Козловская
ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
ОСОБЕННОСТИ КОНСТРУКЦИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР ПРИ ПОСТРОЕНИИ GaN НОРМАЛЬНО ЗАКРЫТЫХ ТРАНЗИСТОРОВ ДЛЯ СИЛОВЫХ МОНОЛИТНЫХ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ
Просмотры: 62
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.1.70.79
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
Отзывы читателей
