Наноиндустрия - научно-технический журнал

Nanotechnology

Нанотехнологии

D.V.Gorelov, E.A.Lebedev, N.A.Molyakov, A.I.Novoseltsev, A.M.Tarasov, D.V.Novikov, A.I.Savitskiy
OPTIMIZING MoXSiY THIN FILM FORMATION PROCESS FOR IR EMITTERS BY MAGNETRON SPUTTERING

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.5.9

Д.В.Горелов, Е.А.Лебедев, Н.А.Моляков, А.И.Новосельцев, А.М.Тарасов, Д.В.Новиков, А.И.Савицкий
ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК НА ОСНОВЕ MoxSiy ДЛЯ ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ МЕТОДОМ МАГНЕТРОННОГО РАСПЫЛЕНИЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.5.9

A.I.Savitskiy, D.V.Gorelov, A.M.Tarasov, D.V.Novikov, N.A.Molyakov, E.A.Lebedev
FORMATION OF A MODIFICATION COATING BASED ON MANGANESE OXIDES TO INCREASE THE RADIATION EFFICIENCY OF IR EMITTERS BASED ON Ni MICRONHEATERS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.10.17

А.И.Савицкий, Д.В.Горелов, А.М.Тарасов, Д.В.Новиков, Н.А.Моляков, Е.А.Лебедев
ФОРМИРОВАНИЕ МОДИФИЦИРУЮЩЕГО ПОКРЫТИЯ НА ОСНОВЕ ОКСИДОВ МАРГАНЦА ДЛЯ УВЕЛИЧЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИЗЛУЧЕНИЯ ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ Ni-МИКРОНАГРЕВАТЕЛЕЙ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.10.17

А.А.Grebenkina, М.D.Andreev, А.V.Nikolaeva, S.А.Polomoshnov, V.V.Krivetsky
STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR GAS MEMS SENSOR RESPONSES USING MACHINE LEARNING METHODS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.5.9

А.А.Гребенкина, М.Д.Андреев, А.В.Николаева, С.А.Поломошнов, В.В.Кривецкий
СТАБИЛИЗАЦИЯ ОТКЛИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ГАЗОВЫХ МЭМС-СЕНСОРОВ С ПОМОЩЬЮ МЕТОДОВ МАШИННОГО ОБУЧЕНИЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.5.9

S.V.Nikiforov, S.S.Generalov, D.V.Gorelov, P.А.Syvorotkin, V.V.Platonov, I.V.Godovitsin, V.V.Amelichev, А.А.Cheremisinov
APPLICATION OF IMMERSION FLUIDS IN ELECTROSTATIC ACTUATORS OF OPTICAL MEMS SWITCHES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.24.32

С.В.Никифоров, С.С.Генералов, Д.В.Горелов, П.А.Сывороткин, В.В.Платонов, И.В.Годовицын, В.В.Амеличев, А.А.Черемисинов
ПРИМЕНЕНИЕ ИММЕРСИОННЫХ ЖИДКОСТЕЙ В ЭЛЕКТРОСТАТИЧЕСКИХ АКТЮАТОРАХ ОПТИЧЕСКИХ МЭМС-ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЕЙ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.24.32

V.А.Sergeev, I.V.Frolov, А.А.Kazankov, О.А.Radaev, А.М.Nizametdinov, А.А.Chertoriysky, А.М.Khodakov, А.А.Gavrikov, V.S.Suhanov, R.S.Litvinenko
METHODOLOGY FOR IDENTIFYING PARAMETERS OF THERMAL EQUIVALENT CIRCUITS OF ELECTRONIC MODULES AND MICROASSEMBLIES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.33.39

В.А.Сергеев, И.В.Фролов, А.А.Казанков, О.А.Радаев, А.М.Низаметдинов, А.А.Черторийский, А.М.Ходаков, А.А.Гавриков, В.С.Суханов, Р.С.Литвиненко
МЕТОДИКА ИДЕНТИФИКАЦИИ ПАРАМЕТРОВ ТЕПЛОВЫХ ЭКВИВАЛЕНТНЫХ СХЕМ ЭЛЕКТРОННЫХ МОДУЛЕЙ И МИКРОСБОРОК

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.33.39

M.A.Evstafyev, I.S.Marinkin, E.A.Lebedev, I.M.Gavrilin, A.I.Novoselcev
STUDY OF THE FEATURES OF SEQUENTIAL LOCAL DEPOSITION OF CATHODE MATERIALS BASED ON LiFePO4 AND ANODE MATERIALS BASED ON GE NANOFIBERS FOR PLANAR LITHIUM-ION BATTERIES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.40.45

М.А.Евстафьев, И.С.Маринкин, Е.А.Лебедев, И.М.Гаврилин, А.И.Новосельцев
ИССЛЕДОВАНИЕ ОСОБЕННОСТЕЙ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОГО ЛОКАЛЬНОГО ОСАЖДЕНИЯ КАТОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ LiFePO4 И АНОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ НАНОВОЛОКОН Ge ДЛЯ ПЛАНАРНЫХ ЛИТИЙ-ИОННЫХ АККУМУЛЯТОРОВ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.40.45

A.I.Kochaev, D.V.Kozlov, R.S.Litvinenko, A.V.Suhanov, K.I.Ilin
MULTISCALE ATOMISTIC MODELING OF PHYSICAL CHARACTERISTICS OF ALUMINUM-GRAPHITE INTERFACES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.46.51

А.И.Кочаев, Д.В.Козлов, Р.С.Литвиненко, А.В.Суханов, К.И.Ильин
МНОГОМАСШТАБНОЕ АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК АЛЮМО-ГРАФИТОВЫХ ИНТЕРФЕЙСОВ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.46.51

Е.V.Artsebasheva, S.А.Muromtsev
COMPARATIVE ANALYSIS OF APPROACHES TO THE PAYMENT OF ROYALTIES OF RUSSIAN SCIENTIFIC AND EDUCATIONAL ORGANIZATIONS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.52.59

Е.В.Арцебашева, С.А.Муромцев
СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ ПОДХОДОВ К ПОРЯДКУ ВЫПЛАТЫ АВТОРСКОГО ВОЗНАГРАЖДЕНИЯ РОССИЙСКИХ НАУЧНЫХ И ОБРАЗОВАТЕЛЬНЫХ ОРГАНИЗАЦИЙ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.52.59

L.A.Al-Khadge, I.A.Voloshchuk, A.V.Ermachikhin, Yu.V.Vorobyov, A.I.Savitsky, G.V.Mironov, A.V.Kiselev, D.D.Tuzhilin, P.I.Lazarenko, D.Yu.Terekhov, A.O.Yakubov
ELECTROPHYSICAL PROPERTIES OF HIGH-RESISTANCE AMORPHOUS THIN FILMS OF Ge2Sb2Te5 IN A WIDE RANGE OF ELECTRIC FIELD STRENGTHS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.60.68

Л.А.Эль-Хадж, И.А.Волощук, А.В.Ермачихин, Ю.В.Воробьев, А.И.Савицкий, Г.В.Миронов, А.В.Киселев, Д.Д.Тужилин, П.И.Лазаренко, Д.Ю.Терехов, А.О.Якубов
ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ВЫСОКООМНЫХ АМОРФНЫХ ТОНКИХ ПЛЕНОК Ge2Sb2Te5 В ШИРОКОМ ДИАПАЗОНЕ НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.60.68

A.A.Shamanaev, R.M.Ryazanov, Yu.O.Vasilevskaya, M.A.Lebedeva, A.A.Dudin, E.M.Eganova, E.P.Kitsyuk
FEATURES OF PLASMA ENHANCED CATALYTIC SYNTHESIS OF ORDERED CNT ARRAYS ON THE TOPOLOGICAL STRUCTURES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.69.75

А.А.Шаманаев, Р.М.Рязанов, Ю.О.Василевская, М.А.Лебедева, А.А.Дудин, Е.М.Еганова, Е.П.Кицюк
ОСОБЕННОСТИ ПЛАЗМОСТИМУЛИРОВАННОГО КАТАЛИТИЧЕСКОГО СИНТЕЗА ОРИЕНТИРОВАННЫХ МАССИВОВ УНТ НА ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СТРУКТУРАХ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.69.75

V.V.Svetukhin, I.O.Yavtushenko
CREATION OF REGULAR STRUCTURES OF A GIVEN SIZE USING ULTRA-SHORT LASER PULSES IN VARIOUS MEDIA, USING SILICON CRYSTALS AS AN EXAMPLE

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.76.81

В.В.Светухин, И.О.Явтушенко
СОЗДАНИЕ РЕГУЛЯРНЫХ СТРУКТУР ЗАДАННОГО РАЗМЕРА УЛЬТРАКОРОТКИМИ ЛАЗЕРНЫМИ ИМПУЛЬСАМИ В РАЗЛИЧНЫХ СРЕДАХ НА ПРИМЕРЕ КРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.76.81

D.M.Kobtsev, I.O.Venediktov, S.S.Svyatodukh, A.D.Golikov, A.A.Nevzorov, P.I.Lazarenko, E.P.Kitsyuk, V.V.Svetukhin, V.V.Kovalyuk, G.N.Goltsman
STUDY OF BANDWIDTH OF ELECTRO-OPTICAL MODULATOR ON RING MICRORESONATOR MADE OF THIN-FILM LITHIUM NIOBATE ON INSULATOR

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.82.89

Д.М.Кобцев, И.О.Венедиктов, С.С.Святодух, А.Д.Голиков, А.А.Невзоров, П.И.Лазаренко, Е.П.Кицюк, В.В.Светухин, В.В.Ковалюк, Г.Н.Гольцман
ИССЛЕДОВАНИЕ БЫСТРОДЕЙСТВИЯ ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКОГО МОДУЛЯТОРА НА КОЛЬЦЕВОМ МИКРОРЕЗОНАТОРЕ ИЗ ТОНКОПЛЕНОЧНОГО НИОБАТА ЛИТИЯ НА ИЗОЛЯТОРЕ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.82.89

D.A.Guryev, I.V.Zhluktova1, V.A.Kamynin, P.I.Lazarenko, A.O.Yakubov, V.V.Kovalyuk, S.A.Kozyukhin, V.V.Svetukhin, V.B.Tsvetkov
MULTILEVEL REFLECTION SWITCHING OF A Ge2Sb2Te5 FIBER ELEMENT USING PICOSECOND PULSES WITH 1MHZ REPETITION RATE

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.90.97

Д.А.Гурьев, И.В.Жлуктова, В.А.Камынин, П.И.Лазаренко, А.О.Якубов, В.В.Ковалюк, C.А.Козюхин, В.В.Светухин, В.Б.Цветков
МНОГОУРОВНЕВОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ОТРАЖЕНИЯ ВОЛОКОННОГО ЭЛЕМЕНТА НА ОСНОВЕ ПЛЕНКИ Ge2Sb2Te5 С ПОМОЩЬЮ ПИКОСЕКУНДНЫХ ИМПУЛЬСОВ С ЧАСТОТОЙ СЛЕДОВАНИЯ 1 МГЦ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.90.97

D.D.Butmanov, M.Y.Prudnikovа, D.V.Novikov, R.M.Ryazanov, D.A.Dronova, T.P.Savchuk
EFFECT OF ELECTROLYTE TEMPERATURE ON THE PHASE COMPOSITION AND OPTICAL PROPERTIES OF TITANIUM OXIDE ANODE NANOTUBE ARRAYS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.98.103

Д.Д.Бутманов, М.Ю.Прудникова, Р.М.Рязанов, Д.В.Новиков, Д.А.Дронова, Т.П.Савчук
ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ЭЛЕКТРОЛИТА НА ФАЗОВЫЙ СОСТАВ И ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА МАССИВОВ АНОДНЫХ НАНОТРУБОК ОКСИДА ТИТАНА

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.98.103

P.O.Ksenofontova, R.T.Sibatov
FRACTAL SILVER ISLAND FILMS NEAR THE PERCOLATION THRESHOLD FOR NEUROMORPHIC COMPUTING

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.104.110

П.О.Ксенофонтова, Р.Т.Сибатов
ФРАКТАЛЬНЫЕ ОСТРОВКОВЫЕ ПЛЕНКИ СЕРЕБРА ВБЛИЗИ ПОРОГА ПЕРКОЛЯЦИИ ДЛЯ НЕЙРОМОРФНЫХ ВЫЧИСЛЕНИЙ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.104.110

P.N.Vasilevsky, Yu.O.Vasilevskaya, D.T.Murashko, M.S.Savelyev, A.Yu.Gerasimenko
ALL-OPTICAL LOGICAL OPERATION REALIZATION IN CARBON NANOTUBES SUSPENSION USING SPATIAL CROSS-PHASE MODULATION

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.111.115

П.Н.Василевский, Ю.О.Василевская, Д.Т.Мурашко, М.С.Савельев, А.Ю.Герасименко
ПОЛНОСТЬЮ ОПТИЧЕСКАЯ РЕАЛИЗАЦИЯ ЛОГИЧЕСКИХ ОПЕРАЦИЙ В СУСПЕНЗИИ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ПРОСТРАНСТВЕННОЙ ФАЗОВОЙ КРОСС-МОДУЛЯЦИИ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.111.115

A.A.Zhukov, E.P.Kitsyuk, R.M.Ryazanov
STUDY OF OPTICAL CROSSTALK SUPPRESSION METHODS IN SILICON PHOTOMULTIPLIERS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.116.118

А.А.Жуков, Е.П.Кицюк, Р.М.Рязанов
ИССЛЕДОВАНИЕ МЕТОДОВ ПОДАВЛЕНИЯ ОПТИЧЕСКОЙ СВЯЗИ В КРЕМНИЕВЫХ ФОТОЭЛЕКТРОННЫХ УМНОЖИТЕЛЯХ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.116.118

D.Zhangireev, А.V.Shemyakin, S.О.Belostotskaya
DEVELOPMENT OF SPICE MODELS FOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICES BASED ON DEVICE-TECHNOLOGY SIMULATION RESULTS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.119.123

Д.Жангиреев, А.В.Шемякин, С.О.Белостоцкая
РАЗРАБОТКА SPICE-МОДЕЛЕЙ ПРИБОРОВ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ ИЗ РЕЗУЛЬТАТОВ ПРИБОРНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.119.123

A.V.Alekseyev, A.V.Shemyakin
MODELING OF INTERCONNECT PARAMETER CORNERS IN VLSI: AN OVERVIEW

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.124.128

А.В.Алексеев, А.В.Шемякин
МОДЕЛИРОВАНИЕ ГРАНИЦ ПАРАМЕТРОВ МЕЖСОЕДИНЕНИЙ В СБИС: ОБЗОР

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.124.128

R.A.Fedorov, A.A.Lukianov, A.S.Roslyakov
SERIES OF MICROCHIPS 5575BB: TECHNOLOGICAL SOVEREIGNTY IN THE SEGMENT OF GALVANIC ISOLATION OF HIGH-SPEED INTERFACES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.129.132

Р.А.Федоров, А.А.Лукьянов, А.С.Росляков
СЕРИЯ МИКРОСХЕМ 5575ВВ: ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ СУВЕРЕНИТЕТ В СЕГМЕНТЕ ГАЛЬВАНИЧЕСКОЙ РАЗВЯЗКИ ВЫСОКОСКОРОСТНЫХ ИНТЕРФЕЙСОВ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.129.132

R.V.Magerramov, E.Y.Ilinova
RESEARCH AND DEVELOPMENT OF TRANSFORMERS FOR A PULSED PUSH-PULL SECONDARY POWER SUPPLY

0.22184/1993-8578.2025.18.12s.133.140

Р.В.Магеррамов, Е.Ю.Ильинова
ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАЛИЗАЦИЙ ТРАНСФОРМАТОРОВ ДЛЯ ИМПУЛЬСНОГО ДВУХТАКТНОГО ИСТОЧНИКА ВТОРИЧНОГО ЭЛЕКТРОПИТАНИЯ

0.22184/1993-8578.2025.18.12s.133.140

M.A.Saurov, D.V.Gorelov, M.I.Bazarova
P-I-N PHOTODETECTORS FOR MICRO-OPTO-MECHANICAL CONVERTERS OF PHYSICAL QUANTITES

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.141.144

М.А.Сауров, Д.В.Горелов, М.И.Базарова
P-I-N-ФОТОДЕТЕКТОРЫ ДЛЯ МИКРООПТОМЕХАНИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ ФИЗИЧЕСКИХ ВЕЛИЧИН

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.141.144

D.V.Ryazantsev, S.O.Belostotskaya
A CMOS-COMPATIBLE FLOATING-GATE MOSFET DOSIMETER FOR IONIZING RADIATION MONITORING

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.145.149

Д.В.Рязанцев, C.О.Белостоцкая
КМОП-СОВМЕСТИМЫЙ ДОЗИМЕТР НА ОСНОВЕ МОП-СТРУКТУРЫ С ПЛАВАЮЩИМ ЗАТВОРОМ ДЛЯ КОНТРОЛЯ ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.145.149

A.M.Katsero, A.E.Gabdrakhmanov, D.V.Ryazantsev, N.V.Komarova, A.E.Kuznetsov
PH-SENSOR WITH EXTENDED GATE AND LIQUID CONTACT ON THE BACK OF THE SUBSTRATE

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.150.154

А.М.Кацеро, А.Э.Габдрахманов, Д.В.Рязанцев, Н.В.Комарова, А.Е.Кузнецов
pН-СЕНСОР С РАСШИРЕННЫМ ЗАТВОРОМ И КОНТАКТОМ К ЖИДКОСТИ НА ОБРАТНОЙ СТОРОНЕ ПОДЛОЖКИ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.150.154

O.V.Gubanova, A.E.Gabdrakhmanov, E.N.Rybachek, V.P.Grudtsov, A.E.Kuznetsov
COMPARISON OF PLANAR AND NANOWIRE MOS CAPACITORS BASED ON SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.155.159

О.В.Губанова, А.Э.Габдрахманов, Е.Н.Рыбачек, В.П.Грудцов, А.Е.Кузнецов
СРАВНЕНИЕ ПЛАНАРНОГО И НАНОПРОВОЛОЧНОГО МОП-КОНДЕНСАТОРОВ НА ОСНОВЕ ТЕХНОЛОГИИ КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.155.159

D.V.Gorelov, A.I.Novoseltsev, M.Сheshkov, A.M.Lavrenova, A.I.Savitskiy
MECHANICAL CHARACTERISTICS OF MAGNETRON-SPUTTERED MoSi2 FILMS FOR THERMAL-STABLE MEMS INFRARED EMITTERS

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.161.165

Д.В.Горелов, А.И.Новосельцев, М.Чешков, А.М.Лавренова, А.И.Савицкий
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК MoSi2, СФОРМИРОВАННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ МЭМС ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ

10.22184/1993-8578.2025.18.12s.161.165