sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей
Политикой Конфиденциальности
Согласен
главная
eng
Поиск:
на сайте журнала
на всех сайтах РИЦ
Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта
R&W
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
Статьи
Наноиндустрия спецвыпуск/2025
МЕХАНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПЛЕНОК MoSi2, СФОРМИРОВАННЫХ МАГНЕТРОННЫМ РАСПЫЛЕНИЕМ, ДЛЯ СОЗДАНИЯ ТЕРМОСТАБИЛЬНЫХ МЭМС ИК-ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ
Наноиндустрия #7-8/2025
Годовое содержание
Новости
//
все новости
26.11.2025
Итоги Российского форума «Микроэлектроника 2025»
25.11.2025
Новый российский прибор для измерения концентрации и размера наночастиц в жидкости — NP Counter
События
//
все события
c 24.03.2026 до 25.03.2026
Санкт-Петербургский международный экологический форум «Экология большого города»
c 07.04.2026 до 09.04.2026
IPhEB 2026. г. Санкт- Петербург
Вход:
Ваш e-mail:
Пароль:
- запомнить меня
Регистрация
Забыли пароль?
Архив журнала:
2025
2024
2023
2022
2021
2020
2019
2018
2017
2016
2015
2014
2013
2012
2011
2010
2009
2008
2007
Медиаданные:
О журнале
О публикациях
Предметная область и рубрикатор
Редакционная коллегия
Редакционный совет
Распространение
Учредитель
Издатель
План издания
Редакционная политика:
Редакционная политика РИЦ «ТЕХНОСФЕРА»
Редакционная политика журнала "НАНОИНДУСТРИЯ"
Реклама:
В журнале
На сайте
Отдел рекламы
Авторам:
Стратегия оформления
Наукометрия
Соискателям учёной степени
Требования к статьям и рецензирование
Контакты:
Распространение
Адрес
Редакция
Соцсети
Журналы:
Электроника НТБ
Наноиндустрия
Первая миля
Фотоника
Аналитика
Станкоинструмент
Книги по нанотехнологиям
читать книгу
Берлин Е.В., Сейдман Л.А.
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
читать книгу
Под ред. Бхушана Б.
Справочник Шпрингера по нанотехнологиям (в 3-х томах), том 1
читать книгу
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "сапр"
Электроника НТБ #10/2019
Ю. Леган
Разработка электрической схемы в иерархической форме. Часть 1
Описана методика разработки электрических схем в иерархической форме в САПР Altium Designer. Отмечено, что иерархическая форма представления электрических схем часто является оптимальной, особенно для создания сложных устройств. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.191.10.130.134
Электроника НТБ #6/2019
А. Глинкин, К. Никеев, Б. Филипов
Решения Mentor, a Siemens Business. Часть 2
DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.140.148 В статье приводятся краткие сведения обо всех инструментах, выпускаемых компанией Mentor Graphics. Во второй части материала представлены средства проектирования и анализа печатных плат. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.140.148
Электроника НТБ #5/2019
Д. Лобзов, А. Лохов
Решения Mentor, a Siemens Business для проектирования ИС и печатных плат
Часть 1 В статье приведены краткие сведения обо всех средствах проектирования ИС и печатных плат, выпускаемых компанией Mentor Graphics. В первой части представлены инструменты проектирования, моделирования и верификации цифровых, аналоговых и аналого-цифровых ИС.
Электроника НТБ #3/2019
С. Кокин, В. Перминов, С. Волков, С. Морозов
Моделирование электрических схем с учетом влияния тзч в САПР «Кипарис»
В статье рассматривается новый подход к решению проблемы схемотехнического моделирования сбоев от тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в интегральных схемах, который позволяет проектировать библиотечные элементы ИС с заданным уровнем радиационной стойкости. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.184.3.92.96 УДК 621.382 | ВАК 05.13.12
Электроника НТБ #5/2018
А. Савкин
Altium Designer. Новые возможности 18-й версии
Рассматривается повышение производительности САПР Altium Designer 18 в сравнении с предыдущей версией системы, достигнутое, в частности, благодаря переходу системы на 64-битную архитектуру. Описываются изменения пользовательского интерфейса, а также новые возможности Altium Designer 18, связанные с проектированием многоплатных изделий и трехмерным моделированием конструкций. УДК 004.94:621.3.049.75 | ВАК 05.13.12 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.176.5.170.176
Электроника НТБ #5/2018
Б. Филипов
Настройка системы электрических ограничений при проектировании печатных плат в САПР PADS от Mentor Graphics: восемь простых шагов
Минимизировать вероятность ошибок при проектировании печатных плат позволяет система электрических ограничений. В статье описана эффективная методология настройки электрических ограничений в САПР PADS от Mentor Graphics. УДК 004.942 | ВАК 05.13.12 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.176.5.164.168
Станкоинструмент #2/2018
Е. Покатаева
Программное обеспечение цифрового предприятия. Обзор. Часть 1
Нынешние времена наверняка войдут в историю российской информатизации как период, когда оформился переход от эмоциональноописательных определений цифрового промышленного предприятия к инженерным. Этот переход, прежде всего, проявляется в специфических особенностях программных систем. Посмотрим, как изменяются программные продукты, претендующие на то, чтобы стать ИТ инфраструктурой цифрового промышленного предприятия. DOI: 10.22184/24999407.2018.11.02.70.79 УДК 004
Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Сергей Валентинович, Петросянц Константин Орестович, Стахин Вениамин Георгиевич, Харитонов Игорь Анатольевич
Особенности моделирования субмикронных МОП- транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. УДК 621.382.323: 536.48 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.412.414
Наноиндустрия #9/2018
Машевич Павел Романович, Кокин Сергей Александрович, Перминов Владимир Николаевич
Проблемы информационно-коммуникационного взаимодействия при проектировании радиационно- стойких изделий от элементной базы до конечных устройств на примере использования отечественной САПР
При разработке радиационно-стойкой радиоэлектронной аппаратуры (РЭА) необходимо ее моделирование с учетом воздействия специальных факторов. Рассмотрены информационно-коммуникационные взаимодействия при разработке модуля драйвера с применением отечественной системы схемотехнического моделирования. УДК 621.382, ББК 32.85 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.399.401
Наноиндустрия #9/2018
Мороз Ярослав Николаевич, Токарев Дмитрий Сергеевич
Особенности топологического планирования ядер высокопроизводительных процессоров семейства Эльбрус
В данной статье представлены некоторые методы по проектированию отдельных частей сложно-функциональных цифровых СБИС на уровне кристалла на примере проектирования ядер микропроцессоров семейства «Эльбрус». Отмечены особенности физического проектирования микропроцессоров с архитектурой «ELBRUS». УДК 004.3’142.22 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.103.109
←
1
2
3
4
5
6
7
→
Разработка: студия
Green Art