Test & Measurement
Контроль и измерения
V. I. Plebanovich S. M. Avakaw
Microdefect inspection tools as necessary system technology constituent Can you imagine how much harm can be done by defects in the course of IC fabrication? Some experts do not pay enough attention and lose resources. However, there is an answer to this challenge called Automatic Defect Inspection Tools and this is exactly what contemporary IC production process needs for defect-free IC fabrication.
Microdefect inspection tools as necessary system technology constituent Can you imagine how much harm can be done by defects in the course of IC fabrication? Some experts do not pay enough attention and lose resources. However, there is an answer to this challenge called Automatic Defect Inspection Tools and this is exactly what contemporary IC production process needs for defect-free IC fabrication.
В. И. Плебанович С. М. Аваков
Оборудование контроля микродефектности — необходимая составляющая системной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.604.607
Насколько вы представляете себе тот вред, который приносит дефектность в процессе производства интегральных микросхем? Некоторые специалисты не придают этому должного внимания и теряют свои ресурсы. Сегодня доступно оборудование для автоматического контроля дефектности. При производстве интегральных микросхем необходимо встраивать автоматический контроль дефектности в технологический процесс.
Оборудование контроля микродефектности — необходимая составляющая системной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.604.607
Насколько вы представляете себе тот вред, который приносит дефектность в процессе производства интегральных микросхем? Некоторые специалисты не придают этому должного внимания и теряют свои ресурсы. Сегодня доступно оборудование для автоматического контроля дефектности. При производстве интегральных микросхем необходимо встраивать автоматический контроль дефектности в технологический процесс.
K. V. Grigorash
The role of standardization in designing systems, tools and electronic component base for the development of ACS and communications of the Russian Federation Armed Forces Report on the need to standardize the process of development and production of complex and high-tech hardware and software ACS and communications and providing electronic component base (ECB) in the interests of import substitution and technological independence of the domestic market of microelectronics.
The role of standardization in designing systems, tools and electronic component base for the development of ACS and communications of the Russian Federation Armed Forces Report on the need to standardize the process of development and production of complex and high-tech hardware and software ACS and communications and providing electronic component base (ECB) in the interests of import substitution and technological independence of the domestic market of microelectronics.
К. В. Григораш
Роль стандартизации при разработке систем, средств и электронной компонентной базы в интересах развития АСУ и связи Вооруженных Сил Российской Федерации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.608.609
Доклад о необходимости стандартизации процесса разработки и производства сложных и наукоемких аппаратно-программных средств АСУ и связи и обеспечивающей электронной компонентной базе (ЭКБ) в интересах импортозамещения и обеспечения технологической независимости отечественного рынка производства микроэлектроники.
Роль стандартизации при разработке систем, средств и электронной компонентной базы в интересах развития АСУ и связи Вооруженных Сил Российской Федерации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.608.609
Доклад о необходимости стандартизации процесса разработки и производства сложных и наукоемких аппаратно-программных средств АСУ и связи и обеспечивающей электронной компонентной базе (ЭКБ) в интересах импортозамещения и обеспечения технологической независимости отечественного рынка производства микроэлектроники.
A. N. Alexeev S. I. Petrov V. V. Mamaev S. A. Novikov E. V. Lutsenko N. V. Rzheutskii
Advantages of using Russian ammonia MBE system for growing nitride heterostructures for microelectronics The paper deals with using an AlN buffer layer grown at extremely high temperatures (up to 1150 °C) in combination with AlN/AlGaN superlattices at the Russian STE3N MBE System using ammonia as a nitrogen source, which allows drastically improving the structural quality of active GaN layers (dislocation density reduced to 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 cm−2, as well as increasing the mobility of electrons in the GaN/AlGaN channel to 2000 cm2/V⋅s, and providing the device-level quality of heterostructures for microelectronics.
Advantages of using Russian ammonia MBE system for growing nitride heterostructures for microelectronics The paper deals with using an AlN buffer layer grown at extremely high temperatures (up to 1150 °C) in combination with AlN/AlGaN superlattices at the Russian STE3N MBE System using ammonia as a nitrogen source, which allows drastically improving the structural quality of active GaN layers (dislocation density reduced to 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 cm−2, as well as increasing the mobility of electrons in the GaN/AlGaN channel to 2000 cm2/V⋅s, and providing the device-level quality of heterostructures for microelectronics.
А. Н. Алексеев С. И. Петров В. В. Мамаев С. А. Новиков Е. В. Луценко Н. В. Ржеуцкий
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.610.614
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.610.614
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
M. G. Biryukov V. V. Odinokov
Vacuum-plasma processes and experimental equipment for optimizing technologies on O200 mm plates with topological dimensions of 180–65 nanometers level The paper highlights current vacuum-plasma processes and experimental equipment, such as atomic-layer deposition, plasma-chemical etching, shallow trench isolation technique and wafer stripping.
Vacuum-plasma processes and experimental equipment for optimizing technologies on O200 mm plates with topological dimensions of 180–65 nanometers level The paper highlights current vacuum-plasma processes and experimental equipment, such as atomic-layer deposition, plasma-chemical etching, shallow trench isolation technique and wafer stripping.
М. Г. Бирюков В. В. Одиноков
Вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование для отработки технологий на пластинах O200 мм с топологическими размерами уровня 180–65 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.615.623
Рассмотрены актуальные вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование: атомно-слоевое осаждение, плазмохимическое травление, формирование мелкощелевой изоляции и очистка поверхности пластин.
Вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование для отработки технологий на пластинах O200 мм с топологическими размерами уровня 180–65 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.615.623
Рассмотрены актуальные вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование: атомно-слоевое осаждение, плазмохимическое травление, формирование мелкощелевой изоляции и очистка поверхности пластин.
Yu. V. Gerasimenko V. F. Tupikin A. S. Ermakova N. V. Komarov V. N. Komarov A. I. Sergienko
Promising directions of developing specialized domestic equipment for wafer technochemical processing in technological process of manufacturing microcircuits, MEMS and microassemblies The paper presents a complex review of the specialized equipment for the wafers techno-chemical processing, as well as considers the main world trends in the production of special technological equipment for manufacturing integrated circuits, MEMS and microassemblies, summing up the experience of Scientific Research Institute of Semiconductor Mechanical Engineering in this field.
Promising directions of developing specialized domestic equipment for wafer technochemical processing in technological process of manufacturing microcircuits, MEMS and microassemblies The paper presents a complex review of the specialized equipment for the wafers techno-chemical processing, as well as considers the main world trends in the production of special technological equipment for manufacturing integrated circuits, MEMS and microassemblies, summing up the experience of Scientific Research Institute of Semiconductor Mechanical Engineering in this field.
Ю. В. Герасименко В. Ф. Тупикин А. С. Ермакова Н. В. Комаров В. Н. Комаров А. И. Сергиенко
Перспективные направления развития специализированного отечественного оборудования технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления микросхем, МЭМС и микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.624.627
Проведен комплексный обзор специализированного оборудования для технохимической обработки пластин, рассмотрены основные мировые тенденции производства специального технологического оборудования для изготовления интегральных схем, МЭМС и микросборок, представлен опыт ОАО «НИИПМ» в этой области.
Перспективные направления развития специализированного отечественного оборудования технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления микросхем, МЭМС и микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.624.627
Проведен комплексный обзор специализированного оборудования для технохимической обработки пластин, рассмотрены основные мировые тенденции производства специального технологического оборудования для изготовления интегральных схем, МЭМС и микросборок, представлен опыт ОАО «НИИПМ» в этой области.
D. S. Semichasnova V. V. Kondrashov
Automation features of surface mount technologies of printed boards in the realities of the state defense order The paper considers the problems of introducing the automation of surface mounting technologies on printed boards in the military equipment production in the realities of the state defense order.
Automation features of surface mount technologies of printed boards in the realities of the state defense order The paper considers the problems of introducing the automation of surface mounting technologies on printed boards in the military equipment production in the realities of the state defense order.
Д. С. Семичаснова В. В. Кондрашов
Особенности автоматизации процесса сборки печатных узлов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.628.630
В статье рассматриваются проблемные вопросы, возникающие при внедрении автоматизации процесса сборки печатных узлов в рамках производства составных частей военной и спецтехники в условиях гособоронзаказа.
Особенности автоматизации процесса сборки печатных узлов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.628.630
В статье рассматриваются проблемные вопросы, возникающие при внедрении автоматизации процесса сборки печатных узлов в рамках производства составных частей военной и спецтехники в условиях гособоронзаказа.
V. V. Kondrashov V. V. Chapkin A. V. Lukashenkov
Laser trimming simulation of fi lm resistors in ResModel as a basis for developing an optimal control system The paper considers the construction of a simulation system for the process of laser trimming of film resistors based on mesh circuit models. The approaches to the solution of problems arising during the trimming process development are offered.
Laser trimming simulation of fi lm resistors in ResModel as a basis for developing an optimal control system The paper considers the construction of a simulation system for the process of laser trimming of film resistors based on mesh circuit models. The approaches to the solution of problems arising during the trimming process development are offered.
В. В. Кондрашов В. В. Чапкин А. В. Лукашенков
Имитационное моделирование процесса лазерной подгонки пленочных резистивных элементов в программе ResModel как основа построения оптимальных систем управления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.631.633
В работе описано построение системы имитационного моделирования процесса лазерной подгонки резистивных элементов на основе сеточных схемных моделей. Рассмотрены подходы к решению задач, возникающих при разработке процесса подгонки.
Имитационное моделирование процесса лазерной подгонки пленочных резистивных элементов в программе ResModel как основа построения оптимальных систем управления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.631.633
В работе описано построение системы имитационного моделирования процесса лазерной подгонки резистивных элементов на основе сеточных схемных моделей. Рассмотрены подходы к решению задач, возникающих при разработке процесса подгонки.
V. V. Ivanov D. N. Tuzhilin A. A. Efi mov D. A. Mylnikov K. M. Khabarov P. V. Arsenov D. L. Saprykin
Developing additive technology for the production of 3D-microstructures based on aerosol nanoparticles printing with local laser sintering The paper highlights the principles of aerosol printing of 3D-microstructures, combining the processes of gas-discharge synthesis, aerosol deposition and local laser sintering of nanoparticle arrays in a single technological cycle. Laser sintering of microstructures is realized in a wide window of process speeds from 0.01 to 4 mm/s and allows coordinating the processes of aerosol deposition and sintering of nanoparticles on substrates.
Developing additive technology for the production of 3D-microstructures based on aerosol nanoparticles printing with local laser sintering The paper highlights the principles of aerosol printing of 3D-microstructures, combining the processes of gas-discharge synthesis, aerosol deposition and local laser sintering of nanoparticle arrays in a single technological cycle. Laser sintering of microstructures is realized in a wide window of process speeds from 0.01 to 4 mm/s and allows coordinating the processes of aerosol deposition and sintering of nanoparticles on substrates.
В. В. Иванов Д. Н. Тужилин А. А. Ефимов Д. А. Мыльников К. М. Хабаров П. В. Арсенов Д. Л. Сапрыкин
Развитие аддитивной технологии для производства 3D-микроструктур на основе аэрозольной печати наночастицами с локальным лазерным спеканием DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.634.636
Разработаны принципы аэрозольной печати 3D-микроструктур, объединяющей процессы газоразрядного синтеза, аэрозольного осаждения и локального лазерного спекания массивов наночастиц в едином технологическом цикле. Лазерное спекание микроструктур реализуется в широком окне скоростей процесса от 0,01 до 4 мм/с и позволяет согласовывать процессы аэрозольного осаждения и спекания наночастиц на подложках.
Развитие аддитивной технологии для производства 3D-микроструктур на основе аэрозольной печати наночастицами с локальным лазерным спеканием DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.634.636
Разработаны принципы аэрозольной печати 3D-микроструктур, объединяющей процессы газоразрядного синтеза, аэрозольного осаждения и локального лазерного спекания массивов наночастиц в едином технологическом цикле. Лазерное спекание микроструктур реализуется в широком окне скоростей процесса от 0,01 до 4 мм/с и позволяет согласовывать процессы аэрозольного осаждения и спекания наночастиц на подложках.
V. V. Vedeneev A. I. Reshmin S. K. Teplovodskii J. S. Zayko V. V. Trifonov A. V. Markin
Gas-dynamic protection of microelectronics processes and objects from external contamination The paper considers the technoloy of forming the submerged air jets of circular cross-section remaining unidirectional at the distance equal to 5–6 diameters of the jet at sufficiently high Reynolds numbers (~2000–13000). The efficiency of protection of microelectronic objects in such jets from the environment impact has been shown. The technology developed can be used for creating local clean zones not bounded by rigid walls in microelectronics production.
Gas-dynamic protection of microelectronics processes and objects from external contamination The paper considers the technoloy of forming the submerged air jets of circular cross-section remaining unidirectional at the distance equal to 5–6 diameters of the jet at sufficiently high Reynolds numbers (~2000–13000). The efficiency of protection of microelectronic objects in such jets from the environment impact has been shown. The technology developed can be used for creating local clean zones not bounded by rigid walls in microelectronics production.
В. В. Веденеев А. И. Решмин С. Х. Тепловодский Ю. С. Зайко В. В. Трифонов А. В. Маркин
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.637.646
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.637.646
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
A. V. Borodin, A. V. Veretennikov, S. V. Bozhko, S. V. Kotov, D. N. Kuzmin, V. A. Borodin
Factory of the future for developing and manufacturing customized vacuum equipment for scientifi c instrument making and high-tech industries The paper presents the scientific and technical background and activity of the Experimental Factory for Scientific Engineering with the Special Design Bureau of the Russian Academy of Sciences in the field of computer engineering, development and production of high vacuum equipment, as well as related scientific instruments and technological equipment. The project “Factories of the Future”, which is currently being implemented within the NTI (National Technology Initiative), for the development and production of customized vacuum equipment for scientific instruments and high-tech industries has been considered.
Factory of the future for developing and manufacturing customized vacuum equipment for scientifi c instrument making and high-tech industries The paper presents the scientific and technical background and activity of the Experimental Factory for Scientific Engineering with the Special Design Bureau of the Russian Academy of Sciences in the field of computer engineering, development and production of high vacuum equipment, as well as related scientific instruments and technological equipment. The project “Factories of the Future”, which is currently being implemented within the NTI (National Technology Initiative), for the development and production of customized vacuum equipment for scientific instruments and high-tech industries has been considered.
А. В. Бородин А. В. Веретенников С. В. Божко С. В. Котов Д. Н. Кузьмин В. А. Бородин
Фабрика будущего по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.647.649
В статье представлены научно-технический задел и работы экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН) по компьютерному инжинирингу, разработке и производству высоковакуумной техники, приборам и технологическому оборудованию на ее основе. Рассматривается реализуемый в настоящее время в рамках НТИ проект «Фабрики будущего» по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности.
Фабрика будущего по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.647.649
В статье представлены научно-технический задел и работы экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН) по компьютерному инжинирингу, разработке и производству высоковакуумной техники, приборам и технологическому оборудованию на ее основе. Рассматривается реализуемый в настоящее время в рамках НТИ проект «Фабрики будущего» по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности.
V. V. Mazhulin, P. M. Matyushin, E. A. Shamaev
Test rigs for ICs: development experience and new opportunities The paper highlights the development of special test rigs and test beds for new ICs. A cooperation model in IC development and testing has been proposed, and a possible trend of development has been described.
Test rigs for ICs: development experience and new opportunities The paper highlights the development of special test rigs and test beds for new ICs. A cooperation model in IC development and testing has been proposed, and a possible trend of development has been described.
В. В. Мажулин П. М. Матюшин Е. А. Шамаев
Оснастки для проведения испытаний микросхем: опыт разработки и новые возможности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.650
Рассмотрены задачи создания специализированных оснасток и стендов для проведения испытаний ЭКБ в свете решаемой в настоящее время в Российской Федерации задачи импортозамещения. Предложена модель взаимодействия организаций в процессе разработки микросхем.
Оснастки для проведения испытаний микросхем: опыт разработки и новые возможности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.650
Рассмотрены задачи создания специализированных оснасток и стендов для проведения испытаний ЭКБ в свете решаемой в настоящее время в Российской Федерации задачи импортозамещения. Предложена модель взаимодействия организаций в процессе разработки микросхем.
O. Yu. Bulgakov
The state and directions of developing metrological support of tests in the ECB production The paper presents the main problems of metrological support of tests in the electronic component base production. The causes of these problems have been identified. Rational ways of solving such problems have been found.
The state and directions of developing metrological support of tests in the ECB production The paper presents the main problems of metrological support of tests in the electronic component base production. The causes of these problems have been identified. Rational ways of solving such problems have been found.
О. Ю. Булгаков
Состояние и направления развития метрологического обеспечения испытаний при производстве ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.651.653
В статье рассмотрены основные проблемы метрологического обеспечения испытаний при производстве электронной компонентной базы. Выявлены причины данных проблем. Построены рациональные пути решения подобных задач.
Состояние и направления развития метрологического обеспечения испытаний при производстве ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.651.653
В статье рассмотрены основные проблемы метрологического обеспечения испытаний при производстве электронной компонентной базы. Выявлены причины данных проблем. Построены рациональные пути решения подобных задач.
P. P. Kutsko, O. Yu. Bulgakov
The concept of creating an integrated center for organizing and conducting tests of ECB and radio electronics The article considers a number of objective and subjective problems at the radio electronic industry enterprises. The main tool for solving the problem has been identified. The main goal of the need to create an Integrated Center for organizing and conducting tests of ECB and REA has been set.
The concept of creating an integrated center for organizing and conducting tests of ECB and radio electronics The article considers a number of objective and subjective problems at the radio electronic industry enterprises. The main tool for solving the problem has been identified. The main goal of the need to create an Integrated Center for organizing and conducting tests of ECB and REA has been set.
П. П. Куцько О. Ю. Булгаков
Концепция создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.654.656
В статье рассмотрен ряд как объективных, так и субъективных проблем на предприятиях радиоэлектронной отрасли. Выявлен основной инструмент решения поставленной проблематики. Поставлена главная цель необходимости создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА.
Концепция создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.654.656
В статье рассмотрен ряд как объективных, так и субъективных проблем на предприятиях радиоэлектронной отрасли. Выявлен основной инструмент решения поставленной проблематики. Поставлена главная цель необходимости создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА.
A. A. Kuzmin, D. V. Nacharov, Yu. P. Mikhaylyuck, V. V. Vertegel, Yu. B. Gimpilevich
System for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts The paper presents the results of developing a prototype of a technical vision system based on a field programmable gate array. A method for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts has been presented.
System for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts The paper presents the results of developing a prototype of a technical vision system based on a field programmable gate array. A method for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts has been presented.
А. А. Кузьмин Д. В. Начаров Ю. П. Михайлюк В. В. Вертегел Ю. Б. Гимпилевич
Система улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.657.669
В работе представлены результаты разработки прототипа системы технического зрения, выполненного на основе программируемой логической интегральной схемы. Изложен метод улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем и его аппаратная реализация.
Система улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.657.669
В работе представлены результаты разработки прототипа системы технического зрения, выполненного на основе программируемой логической интегральной схемы. Изложен метод улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем и его аппаратная реализация.
Стандартизация
S. V. Novichkov, D. E. Bandurin
Software and hardware VLSI verifi cation. SCE-MI standard The paper considers standard Co-Emulation Modeling Interface (SCE-MI) and advantages of using FPGA for SoC functional verification.
Software and hardware VLSI verifi cation. SCE-MI standard The paper considers standard Co-Emulation Modeling Interface (SCE-MI) and advantages of using FPGA for SoC functional verification.
С. В. Новичков, Д. Е. Бандурин
Программно-аппаратная верификация СБИС. Стандарт SCE-MI DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.333.334
В данной работе рассматривается стандарт совместной программно-аппаратной верификации SCE-MI, а также преимущества использования ПЛИС для функциональной верификации СнК.
Программно-аппаратная верификация СБИС. Стандарт SCE-MI DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.333.334
В данной работе рассматривается стандарт совместной программно-аппаратной верификации SCE-MI, а также преимущества использования ПЛИС для функциональной верификации СнК.
D. V. Kulikov
A behavioral model of pipelined ADCs The paper is devoted to the development of behavioral models of pipelined ADC by Verilog-A, providing multi-factor optimization of ADC units, including multi-channel pipelined ADC.
A behavioral model of pipelined ADCs The paper is devoted to the development of behavioral models of pipelined ADC by Verilog-A, providing multi-factor optimization of ADC units, including multi-channel pipelined ADC.
Д. В. Куликов
Поведенческая модель конвейерных АЦП DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.335.336
Работа посвящена созданию поведенческих моделей конвейерных АЦП на Verilog-A, обеспечивающих многофакторную оптимизацию блоков АЦП, в том числе для многоканальных конвейерных АЦП.
Поведенческая модель конвейерных АЦП DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.335.336
Работа посвящена созданию поведенческих моделей конвейерных АЦП на Verilog-A, обеспечивающих многофакторную оптимизацию блоков АЦП, в том числе для многоканальных конвейерных АЦП.
A. A. Glushko, M. G. Chistyakov, I. V. Kudinov, S. A. Morozov, G. A. Yashin, A. V. Amirkhanov, V. V. Makarchuk, L. A. Zinchenko
Combining radiation transport simulations with TCAD modeling to address Single Event Eff ects The paper presents a procedure that allows multi-stage description of different physical processes taking place inside irradiated microelectronic devices. It incorporates modeling of initial interactions of bombarding energetic particles with matter, 3D simulation of charge carriers generated in the affected region and circuit-level computations that provide whole-system response. Here we discuss issues related to practical implementation of the procedure. Examples concerning SEU in SRAM cells irradiated with 14 MeV neutrons have been presented.
Combining radiation transport simulations with TCAD modeling to address Single Event Eff ects The paper presents a procedure that allows multi-stage description of different physical processes taking place inside irradiated microelectronic devices. It incorporates modeling of initial interactions of bombarding energetic particles with matter, 3D simulation of charge carriers generated in the affected region and circuit-level computations that provide whole-system response. Here we discuss issues related to practical implementation of the procedure. Examples concerning SEU in SRAM cells irradiated with 14 MeV neutrons have been presented.
А. А. Глушко, М. Г. Чистяков, И. В. Кудинов, С. А. Морозов, Г. А. Яшин, А. В. Амирханов, В. В. Макарчук, Л. А. Зинченко
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
V. V. Alekseev, A. I. Kolyadin, A. A. Chuprinov
A system of intellectual support of the designer based on united information space (IPR) The system of intellectual support of the designer (SIPP) Concept is aimed at the ultimate goal — the creation of an “electronic” product and includes both the development of VLSI (chips) and electronic equipment and printed circuit boards. The modern approach involves the use of a unified information space at all these and subsequent stages of the life cycle of the designed product.
A system of intellectual support of the designer based on united information space (IPR) The system of intellectual support of the designer (SIPP) Concept is aimed at the ultimate goal — the creation of an “electronic” product and includes both the development of VLSI (chips) and electronic equipment and printed circuit boards. The modern approach involves the use of a unified information space at all these and subsequent stages of the life cycle of the designed product.
В. В. Алексеев, А. И. Колядин, А. А. Чупринов
Система интеллектуальной поддержки проектировщика на базе объединенного информационного пространства (ОИП) DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.342.343
Концепция системы интеллектуальной поддержки проектировщика (СИПП) направлена на конечную цель — создание «электронного» продукта, и включает в себя разработку как СБИС (чипов), так и радиоэлектронной аппаратуры и печатных плат. Современный подход предполагает использование объединенного информационного пространства на всех этих и последующих этапах жизненного цикла проектируемого продукта.
Система интеллектуальной поддержки проектировщика на базе объединенного информационного пространства (ОИП) DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.342.343
Концепция системы интеллектуальной поддержки проектировщика (СИПП) направлена на конечную цель — создание «электронного» продукта, и включает в себя разработку как СБИС (чипов), так и радиоэлектронной аппаратуры и печатных плат. Современный подход предполагает использование объединенного информационного пространства на всех этих и последующих этапах жизненного цикла проектируемого продукта.
M. M. Gourary, M. M. Zharov, L. P. Ionov, I. I. Mukhin, S. G. Rusakov, I. M. Ten, S. L. Ulyanov
PLL Phase Micromodel Considering Nonlinear Effects The paper cinsiders problems of noise analysis of fractional-N PLL circuits in the presence of nonlinear effects in the charge pump. An algorithm taking into account the current mismatch has been proposed for obtaining an equivalent quantization noise spectrum for the formation of a PLL linear phase macro-model. Simulation examples have been presented.
PLL Phase Micromodel Considering Nonlinear Effects The paper cinsiders problems of noise analysis of fractional-N PLL circuits in the presence of nonlinear effects in the charge pump. An algorithm taking into account the current mismatch has been proposed for obtaining an equivalent quantization noise spectrum for the formation of a PLL linear phase macro-model. Simulation examples have been presented.
М. М. Гурарий, М. М. Жаров, Л. П. Ионов, И. И. Мухин, С. Г. Русаков, И. М. Тен, С. Л. Ульянов
Фазовая макромодель схем ФАПЧ с учетом нелинейных эффектов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.344.345
В работе рассмотрены проблемы шумового анализа схем ФАПЧ с дробным делителем частоты при наличии нелинейных эффектов в токовом ключе. Предложен алгоритм учета рассогласования токов при получении эквивалентного спектра шума квантования для формирования линейной фазовой макромодели ФАПЧ. Приведены примеры моделирования.
Фазовая макромодель схем ФАПЧ с учетом нелинейных эффектов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.344.345
В работе рассмотрены проблемы шумового анализа схем ФАПЧ с дробным делителем частоты при наличии нелинейных эффектов в токовом ключе. Предложен алгоритм учета рассогласования токов при получении эквивалентного спектра шума квантования для формирования линейной фазовой макромодели ФАПЧ. Приведены примеры моделирования.
O. S. Pivko, A. M. Galimov
Angular dependence and averaging over full solid angle of upset cross section in modern COTS memory circuits The paper highlights angular dependence of the upset cross section in modern commercial memory circuits designed in the planar CMOS and FinFET technologies.
Angular dependence and averaging over full solid angle of upset cross section in modern COTS memory circuits The paper highlights angular dependence of the upset cross section in modern commercial memory circuits designed in the planar CMOS and FinFET technologies.
О. С. Пивко, А. М. Галимов
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
R. S. Aristov, A. A. Gladkikh, V. N. Davydov, M. O. Komakhin
Developing software Kopycat platform for emulation of complex computing systems The paper considers the development of the “Kopycat” program emulation software and gives general information about the emulator. In addition, a comparison of the developed software with existing analogues has been presented as well as advantages and disadvantages of this software solution in comparison with analogues.
Developing software Kopycat platform for emulation of complex computing systems The paper considers the development of the “Kopycat” program emulation software and gives general information about the emulator. In addition, a comparison of the developed software with existing analogues has been presented as well as advantages and disadvantages of this software solution in comparison with analogues.
Р. С. Аристов, А. А. Гладких, В. Н. Давыдов, М. О. Комахин
Разработка программной платформы Kopycat эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.350.352
Рассмотрена разработка программного обеспечения Kopycat, позволяющего проводить эмуляцию различных сложных систем. Приведены общие сведения по разработанному эмулятору. Кроме этого, показано сравнение разработанного программного обеспечения с существующими в настоящее время аналогами. Представлены преимущества и недостатки данного программного решения по сравнению с аналогами.
Разработка программной платформы Kopycat эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.350.352
Рассмотрена разработка программного обеспечения Kopycat, позволяющего проводить эмуляцию различных сложных систем. Приведены общие сведения по разработанному эмулятору. Кроме этого, показано сравнение разработанного программного обеспечения с существующими в настоящее время аналогами. Представлены преимущества и недостатки данного программного решения по сравнению с аналогами.
В. Н. Давыдов, М. О. Комахин, Ю. С. Михайлов
Достижения компании ООО «ИНФОРИОН» в области разработки и проектирования электроники и микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.353.354
Достижения компании ООО «ИНФОРИОН» в области разработки и проектирования электроники и микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.353.354
I. N. Bychkov, S. G. Lomako
Developing technology for packing VLSI This article highlights CAD for joint design of the body and VLSI chip and subsequent application in the process of assembling microchips. The developed technology of creating matrix enclosures for VLSI with a large number of outputs provides for the placement and planning of the outputs of the microcircuit chips, as well as the internal connections of the housing. The basis of the developed technology is the creation of a design automation system, which covers all the main stages of designing integrated circuit packages. The developed technology includes: formalizing the parameters of the used technological processes for manufacturing VLSI crystals, housing elements, as well as assembling chips, topological design of VLSI input / output elements, selecting the necessary matrix housing, as well as creating the optimal switching board of the housing and issuing the necessary design documentation for production.
Developing technology for packing VLSI This article highlights CAD for joint design of the body and VLSI chip and subsequent application in the process of assembling microchips. The developed technology of creating matrix enclosures for VLSI with a large number of outputs provides for the placement and planning of the outputs of the microcircuit chips, as well as the internal connections of the housing. The basis of the developed technology is the creation of a design automation system, which covers all the main stages of designing integrated circuit packages. The developed technology includes: formalizing the parameters of the used technological processes for manufacturing VLSI crystals, housing elements, as well as assembling chips, topological design of VLSI input / output elements, selecting the necessary matrix housing, as well as creating the optimal switching board of the housing and issuing the necessary design documentation for production.
И. Н. Бычков, С. Г. Ломако
САПР проектирования коммутационных плат корпусов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.355.360
В данной статье предлагается на рассмотрение САПР для совместного проектирования корпуса и кристалла СБИС и последующим применением при технологических процессах сборки микросхем. Разработанная технология создания матричных корпусов для СБИС с большим количеством выводов обеспечивает размещение и планирование выводов кристаллов микросхем, а также внутренних соединений корпуса. Основой разработанной технологии является создание системы автоматизации проектирования, которая охватывает все основные этапы проектирования корпусов интегральных схем. Разработанная технология включает: формализацию параметров используемых технологических процессов изготовления кристаллов СБИС, элементов корпуса, а также сборки микросхем, топологическое проектирование элементов ввода/вывода СБИС, подбор необходимого матричного корпуса, в том числе оптимальной коммутационной платы корпуса и выдачу необходимой конструкторской документации на производство.
САПР проектирования коммутационных плат корпусов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.355.360
В данной статье предлагается на рассмотрение САПР для совместного проектирования корпуса и кристалла СБИС и последующим применением при технологических процессах сборки микросхем. Разработанная технология создания матричных корпусов для СБИС с большим количеством выводов обеспечивает размещение и планирование выводов кристаллов микросхем, а также внутренних соединений корпуса. Основой разработанной технологии является создание системы автоматизации проектирования, которая охватывает все основные этапы проектирования корпусов интегральных схем. Разработанная технология включает: формализацию параметров используемых технологических процессов изготовления кристаллов СБИС, элементов корпуса, а также сборки микросхем, топологическое проектирование элементов ввода/вывода СБИС, подбор необходимого матричного корпуса, в том числе оптимальной коммутационной платы корпуса и выдачу необходимой конструкторской документации на производство.
A. V. Prikota, V. V. Bubnov
Modern Technologies in Electronic Circuit Simulation Released in SimOne Circuit Simulator The paper cpnsiders the problems of large electronic circuits simulation. Methods of accelerating the simulation process by using the decomposition approach to solving systems of linear algebraic equations with using technologies of parallel computing have been proposed.
Modern Technologies in Electronic Circuit Simulation Released in SimOne Circuit Simulator The paper cpnsiders the problems of large electronic circuits simulation. Methods of accelerating the simulation process by using the decomposition approach to solving systems of linear algebraic equations with using technologies of parallel computing have been proposed.
А. В. Прикота, В. В. Бубнов
Современные технологии моделирования электронных схем в системе схемотехнического моделирования SimOne DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.361.367
Рассмотрены проблемы моделирования современных электронных схем большой размерности. Предложен метод ускорения процесса моделирования за счет использования декомпозиционного подхода к решению систем линейных алгебраических уравнений и использования технологий параллельных вычислений.
Современные технологии моделирования электронных схем в системе схемотехнического моделирования SimOne DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.361.367
Рассмотрены проблемы моделирования современных электронных схем большой размерности. Предложен метод ускорения процесса моделирования за счет использования декомпозиционного подхода к решению систем линейных алгебраических уравнений и использования технологий параллельных вычислений.
K. A. Medvedev, A. V. Kuzovkov, V. V. Ivanov
Algorithm and methodology for increasing the OPC-recipe effi ciency The paper describes the OPC-recipe calibration algorithm based on the differential evolution method. A technique for improving the quality of the recipe using the proposed algorithm has been developed and an experimental study has been carried out to evaluate its effectiveness.
Algorithm and methodology for increasing the OPC-recipe effi ciency The paper describes the OPC-recipe calibration algorithm based on the differential evolution method. A technique for improving the quality of the recipe using the proposed algorithm has been developed and an experimental study has been carried out to evaluate its effectiveness.
К. А. Медведев, А. В. Кузовков, В. В. Иванов
Алгоритм и методика повышения эффективности OPC-рецепта DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.368.372
В работе рассматривается алгоритм калибровки параметров OPC-рецепта, основанный на методе дифференциальной эволюции. Разработана методика повышения качества рецепта с применением предложенного алгоритма и проведено экспериментальное исследование для оценки его эффективности.
Алгоритм и методика повышения эффективности OPC-рецепта DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.368.372
В работе рассматривается алгоритм калибровки параметров OPC-рецепта, основанный на методе дифференциальной эволюции. Разработана методика повышения качества рецепта с применением предложенного алгоритма и проведено экспериментальное исследование для оценки его эффективности.
V. I. Karagusov
Determining the optimal warm-up power of SC-cut direct heating piezoelement The paper presents the calculations results of optimal warm-up power of SC-cut quartz crystal piezoelement with direct heating for reducing warm-up time of precision quartz crystal oscillators. The results have been achieved by calculating piezoelement thermal processes dynamics in warm-up mode on space thermal model.
Determining the optimal warm-up power of SC-cut direct heating piezoelement The paper presents the calculations results of optimal warm-up power of SC-cut quartz crystal piezoelement with direct heating for reducing warm-up time of precision quartz crystal oscillators. The results have been achieved by calculating piezoelement thermal processes dynamics in warm-up mode on space thermal model.
В. И. Карагусов
Определение оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.373.381
Представлены результаты расчетов оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза с прямым термостатированием для уменьшения времени установления частоты прецизионного термостатированного кварцевого генератора путем расчета динамики теплового поля пьезоэлемента в режиме разогрева на основе пространственной численно-аналитической модели.
Определение оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.373.381
Представлены результаты расчетов оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза с прямым термостатированием для уменьшения времени установления частоты прецизионного термостатированного кварцевого генератора путем расчета динамики теплового поля пьезоэлемента в режиме разогрева на основе пространственной численно-аналитической модели.
A. V. Andrianov
Practical ways of optimizing regression testing of “system-on-chip” projects The article describes a set of practical ways to reduce time costs when developing and debugging test scenarios of “system-on-chip” VLSI, as well as when optimizing regression testing. The article covers issues of picking optimal hardware for the task, fine-tuning operating system, designing the testbench and using select features from Cadence Xcellium software package.
Practical ways of optimizing regression testing of “system-on-chip” projects The article describes a set of practical ways to reduce time costs when developing and debugging test scenarios of “system-on-chip” VLSI, as well as when optimizing regression testing. The article covers issues of picking optimal hardware for the task, fine-tuning operating system, designing the testbench and using select features from Cadence Xcellium software package.
А. В. Андрианов
Практические способы оптимизации процесса регрессионного тестирования СБИС «СнК» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.382.386
В статье рассмотрен ряд практических способов сокращения временных затрат при разработке и отладке программных тестов СБИС «СнК», а также при последующем регрессионном тестировании. Рассматриваются вопросы оптимального выбора аппаратного обеспечения, тонкой настройки операционной системы, особенности верификационного окружения и средства пакета ПО Cadence XCELLIUM.
Практические способы оптимизации процесса регрессионного тестирования СБИС «СнК» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.382.386
В статье рассмотрен ряд практических способов сокращения временных затрат при разработке и отладке программных тестов СБИС «СнК», а также при последующем регрессионном тестировании. Рассматриваются вопросы оптимального выбора аппаратного обеспечения, тонкой настройки операционной системы, особенности верификационного окружения и средства пакета ПО Cadence XCELLIUM.
J. Kirshman
Understanding and Correctly Predicting Critical Metrics for Wireless RF Links Three cases demonstrate how system design software NI AWR Visual System Simulator overcomes the limitations of traditional spreadsheet analysis. The paper describes the advantages of using VSS to determine system specifications due to its powerful simulation capabilities and greater insight into the design.
Understanding and Correctly Predicting Critical Metrics for Wireless RF Links Three cases demonstrate how system design software NI AWR Visual System Simulator overcomes the limitations of traditional spreadsheet analysis. The paper describes the advantages of using VSS to determine system specifications due to its powerful simulation capabilities and greater insight into the design.
Д. Киршман
Моделирование ключевых элементов беспроводных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.387.390
На ряде примеров показано, что с помощью специализированного программного обеспечения NI AWR Visual System Simulator можно преодолеть функциональную ограниченность расчетных таблиц при проектировании беспроводных систем. Продемонстрированы преимущества симулятора VSS, обеспечивающего значительно более точный и учитывающий множество различных факторов анализ трактов.
Моделирование ключевых элементов беспроводных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.387.390
На ряде примеров показано, что с помощью специализированного программного обеспечения NI AWR Visual System Simulator можно преодолеть функциональную ограниченность расчетных таблиц при проектировании беспроводных систем. Продемонстрированы преимущества симулятора VSS, обеспечивающего значительно более точный и учитывающий множество различных факторов анализ трактов.
A. M. Galimov, E. S. Shalashova, I. A. Fateev, A. V. Alexandrov
Exploring the susceptibility to dice fl ip-fl op upsets in CREME-MC The dosimetric approach to cross section and error rate calculation of the DICE flip-flop is considered. The approach is based on the simultaneous deposited charge calculation in the sensitive volumes of the flip-flop by means of the CRÈME-MC Monte Carlo simulation tool.
Exploring the susceptibility to dice fl ip-fl op upsets in CREME-MC The dosimetric approach to cross section and error rate calculation of the DICE flip-flop is considered. The approach is based on the simultaneous deposited charge calculation in the sensitive volumes of the flip-flop by means of the CRÈME-MC Monte Carlo simulation tool.
А. М. Галимов, Е. С. Шалашова, И. А. Фатеев, А. В. Александров
Исследование чувствительности к сбоям dice-триггера в инструменте CREME-MC DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.391.392
В докладе рассмотрен дозиметрический подход к расчету сечения и частоты сбоев DICE-триггера от частиц космоса на этапе проектирования. Подход основан на подсчете единовременно выделенного заряда в чувствительных областях триггера с помощью моделирования Монте-Карло в инструменте CRÈME-MC.
Исследование чувствительности к сбоям dice-триггера в инструменте CREME-MC DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.391.392
В докладе рассмотрен дозиметрический подход к расчету сечения и частоты сбоев DICE-триггера от частиц космоса на этапе проектирования. Подход основан на подсчете единовременно выделенного заряда в чувствительных областях триггера с помощью моделирования Монте-Карло в инструменте CRÈME-MC.
S. I. Bokov, V. V. Alekseev, A. A. Chuprinov, A. A. Kolyadin
Issues of managing state target programs aimed at creating radio-electronic and information technologies A brief analysis and assessment of the available reserves to increase the efficiency of R & d on radio-electronic and information technologies is presented.
Issues of managing state target programs aimed at creating radio-electronic and information technologies A brief analysis and assessment of the available reserves to increase the efficiency of R & d on radio-electronic and information technologies is presented.
С. И. Боков, В. В. Алексеев, А. А. Чупринов, А. А. Колядин
Вопросы управления государственными целевыми программами, направленными на создание радиоэлектронных и информационных технологий DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.393.398
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проводимых НИОКР по радиоэлектронным и информационным технологиям.
Вопросы управления государственными целевыми программами, направленными на создание радиоэлектронных и информационных технологий DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.393.398
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проводимых НИОКР по радиоэлектронным и информационным технологиям.
S. I. Bokov, V. V. Alekseev, A. A. Chuprinov, A. A. Kolyadin
Using knowledge bases in computer-aided design systems The paper presents a brief analysis and evaluation of the available reserves for increasing efficiency and product design using knowledge bases of electronic and information technologies.
Using knowledge bases in computer-aided design systems The paper presents a brief analysis and evaluation of the available reserves for increasing efficiency and product design using knowledge bases of electronic and information technologies.
С. И. Боков, В. В. Алексеев, А. А. Чупринов, А. А. Колядин
Использование баз знаний в системах автоматизированного проектирования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.399.403
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проектирования изделий с использованием баз знаний радиоэлектронных и информационных технологий.
Использование баз знаний в системах автоматизированного проектирования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.399.403
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проектирования изделий с использованием баз знаний радиоэлектронных и информационных технологий.
Plenary reports
Пленарные доклады
В. В. Шпак
Микроэлектроника — локомотив опережающего развития российской промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.17.18
Микроэлектроника — локомотив опережающего развития российской промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.17.18
А. И. Белоус, В. А. Солодуха
Современные технологии контроля безопасности в микроэлектронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.19.26
Современные технологии контроля безопасности в микроэлектронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.19.26
Navigationally connected VLSIs and modules
Навигационно-связные СБИС и модули
А. А. Алимов
Разработка навигационного модуля на отечественной радиационно-стойкой элементной базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.27.28
Разработка навигационного модуля на отечественной радиационно-стойкой элементной базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.27.28
M. Ю. Клименко
Встраиваемый модуль высокоточного спутникового трехчастотного навигационного приемника МС149.01 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.29.31
Встраиваемый модуль высокоточного спутникового трехчастотного навигационного приемника МС149.01 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.29.31
Т. Ю. Дубинко
Технология высокоточной навигации по сигналам ГНСС на основе коррекции эфемеридно-временной информации (технология РРР). Опыт создания, результаты испытаний и перспективы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.32
Технология высокоточной навигации по сигналам ГНСС на основе коррекции эфемеридно-временной информации (технология РРР). Опыт создания, результаты испытаний и перспективы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.32
И. Л. Корнеев, М. С. Кулаков, И. Д. Григорьев, И. А. Татарчук
Разработка отечественной ЭКБ для реализации технологий АЗН-В и АИС в РФ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.33.36
Разработка отечественной ЭКБ для реализации технологий АЗН-В и АИС в РФ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.33.36
И. Л. Корнеев, В. В. Егоров
Вопросы построения локальных систем навигации. Перспективы применения и потенциальные возможности проектируемых технических модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.37.41
Вопросы построения локальных систем навигации. Перспективы применения и потенциальные возможности проектируемых технических модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.37.41
И. Б. Чикваркин, Т. Ю. Дубинко, А. И. Левченко, В. И. Зеленский, В. О. Скворцов
Разработка высокоточной навигационной аппаратуры для с/х техники, морского и речного транспорта на отечественной ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.42.43
Разработка высокоточной навигационной аппаратуры для с/х техники, морского и речного транспорта на отечественной ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.42.43
А. Р. Попов
Методология построения мобильных многоадресных асинхронных систем связи и управления с шумоподобными сигналами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.44.46
Методология построения мобильных многоадресных асинхронных систем связи и управления с шумоподобными сигналами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.44.46
А. В. Александров, В. В. Ерохин
Специализированный связной вычислитель ССВ-64 для доверенной отечественной телекоммуникационной аппаратуры DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.47.48
Специализированный связной вычислитель ССВ-64 для доверенной отечественной телекоммуникационной аппаратуры DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.47.48
Д. Е. Чикрин, П. А. Савинков, П. А. Кокунин, Р. И. Шагиев
Интегрированные системы высокоточной спутниково-локально-инерциальной навигации в задачах беспилотного управления транспортными средствами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.49.56
Интегрированные системы высокоточной спутниково-локально-инерциальной навигации в задачах беспилотного управления транспортными средствами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.49.56
High-performance computation systems
Высокопроизводительные вычислительные системы
И. Н. Бычков, П. А. Чучко
Решения для средств вычислительной техники на основе процессора «Эльбрус-8СВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.57.59
Решения для средств вычислительной техники на основе процессора «Эльбрус-8СВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.57.59
А. С. Воробьев
Разработка корпуса многоядерного процессора на основе полимерной коммутационной платы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.60.64
Разработка корпуса многоядерного процессора на основе полимерной коммутационной платы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.60.64
И. Е. Билялетдинов, А. Е. Ометов, Л. С. Тимин, А. А. Виноградов
Средство удаленной отладки процессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.65.69
Средство удаленной отладки процессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.65.69
А. В. Колотов
Особенности внесения изменений при перепроизводстве ИС в технологических процессах с нормами 28 и 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.70.72
Особенности внесения изменений при перепроизводстве ИС в технологических процессах с нормами 28 и 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.70.72
С. В. Мушкаев, И. В. Жиленков
Архитектура NeuroMatrix в трехмерной графике: возможности и перспективы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.73.77
Архитектура NeuroMatrix в трехмерной графике: возможности и перспективы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.73.77
С. И. Аряшев, П. С. Зубковский
64-разрядные системы на кристалле с архитектурой «КОМДИВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.78.79
64-разрядные системы на кристалле с архитектурой «КОМДИВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.78.79
С. Г. Елизаров, Г. А. Лукьянченко, Д. С. Марков, А. М. Монахов, В. А. Роганов
Тестирование многоядерных вычислительных систем на основе идей алгоритма RSA DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.80.81
Тестирование многоядерных вычислительных систем на основе идей алгоритма RSA DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.80.81
С. В. Юрлин, А. С. Воробьев
Масштабируемая система эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.82.88
Масштабируемая система эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.82.88
Б. Ю. Рогаткин, Ю. Б. Рогаткин
Блок мониторинга СБИС микропроцессора для технологии 28 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.89.92
Блок мониторинга СБИС микропроцессора для технологии 28 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.89.92
П. С. Зубковский
Методика создания моделей арифметических сопроцессоров DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.93.98
Методика создания моделей арифметических сопроцессоров DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.93.98
С. И. Аряшев, А. В. Корниленко, П. С. Зубковский, О. И. Эсула
Проектирование подсистемы памяти для обеспечения быстродействия при решении задач трехмерной графики DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.99.101
Проектирование подсистемы памяти для обеспечения быстродействия при решении задач трехмерной графики DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.99.101
М. С. Ладнушкин, С. И. Аряшев
Особенности проектирования систем скан-тестирования с компрессией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.102.106
Особенности проектирования систем скан-тестирования с компрессией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.102.106
Н. А. Бочаров, Р. В. Елисеев, Н. Б. Парамонов, Д. В. Янко
Катастрофоустойчивость бортовых вычислительных систем на базе микропроцессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.107.112
Катастрофоустойчивость бортовых вычислительных систем на базе микропроцессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.107.112
Я. Н. Мороз
Физическое проектирование видеокодеков для микропроцессоров семейства «Эльбрус» на технологии 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.113.119
Физическое проектирование видеокодеков для микропроцессоров семейства «Эльбрус» на технологии 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.113.119
А. В. Бумагин, А. В. Гондарь, С. А. Савельев
Разработка сложно-функционального блока приемопередатчика интерфейса Serial RapidIO 2,5 Гбит/с на основе отечественного технологического процесса для применения в составе радиационно-стойких интегральных микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.120.125
Разработка сложно-функционального блока приемопередатчика интерфейса Serial RapidIO 2,5 Гбит/с на основе отечественного технологического процесса для применения в составе радиационно-стойких интегральных микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.120.125
Information-management systems
Информационно-управляющие системы
С. Ф. Горбунов, В. Ю. Гришин, П. М. Еремеев
Сетевые интерфейсы космических аппаратов: перспективы развития и проблемы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.128.130
Сетевые интерфейсы космических аппаратов: перспективы развития и проблемы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.128.130
Е. А. Новожилов, Ю. Б. Рогаткин, А. В. Ларионов, С. О. Задябин
Реализация высокоскоростных интерфейсов в процессорах ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН для космических DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.126.127
Реализация высокоскоростных интерфейсов в процессорах ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН для космических DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.126.127
А. Л. Переверзев, А. А. Бирюк, В. И. Орешкин, И. А. Кузьмин, К. С. Лялин, Т. А. Довгаль
Стенд имитационного моделирования радара с синтезированной апертурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.131.134
Стенд имитационного моделирования радара с синтезированной апертурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.131.134
С. И. Боков, А. А. Чупринов
О роли обеспечения системы управления цифровой экономикой России на основе организации единого информационного пространства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.135.139
О роли обеспечения системы управления цифровой экономикой России на основе организации единого информационного пространства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.135.139
А. В. Зуйков, А. А. Воробьев, С. Е. Серяков
Обеспечение теплоотвода модулей 6U в магистрально-модульных системах на базе высокоскоростных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.140.146
Обеспечение теплоотвода модулей 6U в магистрально-модульных системах на базе высокоскоростных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.140.146
Е. В. Гусев, С. Н. Тихонов
Организация программного обеспечения бортовых вычислительных машин космических аппаратов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.147.148
Организация программного обеспечения бортовых вычислительных машин космических аппаратов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.147.148
А. Л. Переверзев, А. А. Бирюк, В. И. Орешкин, К. С. Лялин, Ю. М. Мелёшин
Аппаратные и алгоритмические решения при проектировании РСА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.149.155
Аппаратные и алгоритмические решения при проектировании РСА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.149.155
Н. В. Костулин, Е. С. Янакова
Быстрый алгоритм обнаружения и распознавания лиц для семантического анализа изображений на DSP-ядрах ELcore DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.156.158
Быстрый алгоритм обнаружения и распознавания лиц для семантического анализа изображений на DSP-ядрах ELcore DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.156.158
А. Д. Листопадов
Нагрузочное тестирование в маршруте разработки СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.159.161
Нагрузочное тестирование в маршруте разработки СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.159.161
П. А. Тарабаров, П. М. Еремеев, В. Ю. Гришин
Отказоустойчивая управляющая вычислительная система с аппаратной поддержкой взаимного информационного согласования и автоматической реконфигурацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.162.163
Отказоустойчивая управляющая вычислительная система с аппаратной поддержкой взаимного информационного согласования и автоматической реконфигурацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.162.163
Т. А. Мадумаров, А. В. Стефанцов
Система автоматизации испытаний бортового СВЧ-оборудования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.164.165
Система автоматизации испытаний бортового СВЧ-оборудования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.164.165
Т. Робинсон, Р. Рджиба, А. Котюр, Ф. Нюн, Д. Керр-Манслоу, С. Казаченко
Приемопередатчик с низким энергопотреблением Cortus CIoT25 для приложений Интернета вещей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.166.171
Приемопередатчик с низким энергопотреблением Cortus CIoT25 для приложений Интернета вещей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.166.171
В. А. Баскин, И. А. Соколов, Ю. К. Калинников
Разработка радиочастотных модулей для бортовых акустооптических приборов космического назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.172.174
Разработка радиочастотных модулей для бортовых акустооптических приборов космического назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.172.174
Techologies and micro- and nanoelectronics components
Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники
V. P. Bokarev, G. Ya. Krasnikov, E. S. Gornev
Anisotropy of Crystals Surface Properties and its Role in Microelectronic Technology Anisotropy of the surface energy of crystal materials used in the silicon technology has been calculated with a model of coordination melting. Based on these calculations and some experimental data, anisotropies of electron work function on different faces of Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W crystals and their surface melting temperature have been evaluated. The paper highlights the relation between physical-chemical properties of crystallographicaly different metals surfaces of the cubic crystal system and the surface arrangement of atoms in the first coordination spheres.
Anisotropy of Crystals Surface Properties and its Role in Microelectronic Technology Anisotropy of the surface energy of crystal materials used in the silicon technology has been calculated with a model of coordination melting. Based on these calculations and some experimental data, anisotropies of electron work function on different faces of Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W crystals and their surface melting temperature have been evaluated. The paper highlights the relation between physical-chemical properties of crystallographicaly different metals surfaces of the cubic crystal system and the surface arrangement of atoms in the first coordination spheres.
В. П. Бокарев, Г. Я. Красников, Е. С. Горнев
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.175.179
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.175.179
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
P. I. Kozlov, N. A. Nagaev
Trends in the development of metal-ceramic packages: import substitution, tooling, components The paper considers tendencies of microelectronics development and formulates requirements to modern metal-ceramic packages. Besides, it presents the experience of the domestic factory in creating modern metal-ceramic packages.
Trends in the development of metal-ceramic packages: import substitution, tooling, components The paper considers tendencies of microelectronics development and formulates requirements to modern metal-ceramic packages. Besides, it presents the experience of the domestic factory in creating modern metal-ceramic packages.
П. И. Козлов, Н. А. Нагаев
Тенденции развития металлокерамических корпусов: импортозамещение, оснастка, комплектующие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.180.185
Рассмотрены тенденции развития микроэлектроники. Сформулированы требования к современным металлокерамическим корпусам. Определен опыт отечественного предприятия по созданию современных металлокерамических корпусов.
Тенденции развития металлокерамических корпусов: импортозамещение, оснастка, комплектующие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.180.185
Рассмотрены тенденции развития микроэлектроники. Сформулированы требования к современным металлокерамическим корпусам. Определен опыт отечественного предприятия по созданию современных металлокерамических корпусов.
D. A. Sukhanov
Modernizing thin-fi lm HIC production The paper analyses the problems encountered in the production of thin-film hybrid integrated circuits (TF HIC) and compares production technologies, using the contact photolithography method and laser exposure, as well as different ways of forming thin films. A comprehensive solution for modernizing TF HIC production has been found.
Modernizing thin-fi lm HIC production The paper analyses the problems encountered in the production of thin-film hybrid integrated circuits (TF HIC) and compares production technologies, using the contact photolithography method and laser exposure, as well as different ways of forming thin films. A comprehensive solution for modernizing TF HIC production has been found.
Д. А. Суханов
Модернизация производства тонкопленочных ГИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.186.188
Проведен анализ проблем, возникающих при производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем (ТП ГИС). Проведено сравнение технологий производства, использующих метод контактной фотолитографии и метод прямого лазерного экспонирования, а также различных способов формирования тонких пленок. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства ТП ГИС.
Модернизация производства тонкопленочных ГИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.186.188
Проведен анализ проблем, возникающих при производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем (ТП ГИС). Проведено сравнение технологий производства, использующих метод контактной фотолитографии и метод прямого лазерного экспонирования, а также различных способов формирования тонких пленок. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства ТП ГИС.
eng



